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1. 发明申请

WO2007069295A1 半導体装置およびその制御方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其控制方法
公开(公告)号：WO2007069295A1
公开(公告)日：2007-06-21
申请号：PCT/JP2005/022827
申请日：2005-12-13
申请人：スパンションエルエルシー , Spansion Japan株式会社 , 坂下基匡 , 矢野勝 , 小川暁 , 中井努
发明人：坂下基匡 , 矢野勝 , 小川暁 , 中井努
IPC分类号： G11C16/10
CPC分类号： G11C16/10 , G11C2207/2263
摘要：本発明は、メモリセルアレイにプログラムすべきデータを分割した分割データの書き込むビットの総数を検出し（Ｓ１０、Ｓ２０）、前記ビットの総数を所定のビットの数と比較する（Ｓ１２、Ｓ２２）。比較結果に応じ分割データを反転（Ｓ１４、Ｓ２４）または非反転（Ｓ１５、Ｓ２５）する。反転または非反転したデータである反転データをメモリセルアレイにプログラムする（Ｓ１８）。そして、反転データをメモリセルアレイにプログラムする（Ｓ１８）間に、次の分割データの書き込むビットの総数を検出し（Ｓ２０）、前記ビットの総数を所定のビットの数と比較する（Ｓ２２）半導体装置およびその制御方法である。
摘要翻译：在半导体器件和控制半导体器件的方法中，在步骤（S10，S20）中检测从应该在存储器单元阵列中编程的数据中的写入位的总数，并且总位数与步骤中的预定比特数进行比较（S12，S22）。响应于步骤（S14，S24）或（S15，S25）中的比较结果，分割数据被反转或不反转。在步骤（S18）中将反相或非反相数据编程在存储单元阵列中。在步骤（S18）中在反相或非反相数据被编程在存储单元阵列的时间段期间，在步骤（S20）中检测下一个分割数据中的总写入位数，将比特数与步骤中的预定比特数进行比较（S22）。

2. 发明申请

WO2007000809A1 半導体装置およびその制御方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其控制方法
公开(公告)号：WO2007000809A1
公开(公告)日：2007-01-04
申请号：PCT/JP2005/011815
申请日：2005-06-28
申请人：スパンションエルエルシー , Spansion Japan株式会社 , 小川暁 , 矢野勝
发明人：小川暁 , 矢野勝
IPC分类号： G11C16/28
CPC分类号： H01L27/1052 , G11C16/0466 , G11C16/28 , Y10T29/41
摘要：本発明は、不揮発性メモリセルアレイ内（１０）に設けられたコアセル（１２）に接続された第１の電流電圧変換回路（１６）と、レファレンスセル（２２）にレファレンスセルデータライン（２４）を介し接続された第２の電流電圧変換回路（２６）と、第１の電流電圧変換回路の出力と、第２の電流電圧変換回路の出力とをセンシングするセンスアンプ（１８）と、レファレンスセルデータラインの電圧値と所定電圧値と比較する比較回路（２８）と、レファレンスセルデータラインのプリチャージの際、レファレンスセルデータラインの電圧値が所定電圧値より低ければ、レファレンスセルデータラインをチャージするチャージ回路（３０）と、を具備する半導体装置およびその制御方法である。本発明によれば、レファレンスセルデータラインのプリチャージ時間を短縮し、データの読み出し時間を短縮することができる。
摘要翻译：一种半导体器件包括连接到设置在非易失存储单元阵列（10）中的核心单元（12）的第一电流 - 电压转换电路（16），通过参考数据线连接的第二电流 - 电压转换电路（26） 24），用于感测第一和第二电流 - 电压转换电路的输出的读出放大器（18），比较电路（28），用于将参考单元数据线上的电压值与如果参考单元数据线上的电压值低于预定电压值，则在预充电周期期间对参考单元数据线进行充电的充电电路（30）。还公开了一种半导体器件的控制方法。半导体器件及其控制方法可以减少参考单元数据线的预充电时间，从而减少数据读取时间。

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