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    • 7. 发明申请
    • 시냅스 소자의 점진적 저항 변화를 제어하는 장치 및 방법
    • WO2021020899A1
    • 2021-02-04
    • PCT/KR2020/010056
    • 2020-07-30
    • 김준성
    • 김준성
    • G11C13/00
    • 본 발명에서는, 뉴로모픽 시스템을 구현하기 위한 시냅스 소자를 위해 아날로그적 정보 처리를 위한 점진적 저항 변화를 일으킬 수 있는 메모리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 상기 과제를 해결하기 위해 본 발명에서는, 선택적으로 논리 상태를 저장할 수 있는 복수의 메모리 셀과 상기 복수의 메모리 셀과 연결되는 비트 라인 및 워드 라인을 포함하는 메모리 어레이, 라이팅 단계와 리딩 단계를 제어하는 컨트롤러, 라이팅부 및 리딩부를 포함하고, 상기 컨트롤러는 라이팅 단계에서 상기 라이팅부를 통해 상기 복수의 메모리 셀 중에 하나 이상의 메모리 셀을 선택하고 차례로 라이팅 전압을 인가하여 논리 상태를 라이팅하도록 하고, 리딩 단계에서 상기 리딩부를 통해 상기 선택되어 논리 상태가 라이팅된 하나 이상의 메모리 셀에 리딩 전압을 인가하여 흐르는 전류의 합을 통해 시냅스 가중치를 결정하여, 상기 선택된 하나 이상의 메모리 셀이 하나의 시냅스 소자로 인식되어 작동하도록 하는, 메모리 장치를 제공한다.