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1. 发明申请

WO2012065536A1 SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING THE SAME 审中-公开
标题翻译：半导体结构及其形成方法
公开(公告)号：WO2012065536A1
公开(公告)日：2012-05-24
申请号：PCT/CN2011/082174
申请日：2011-11-14
申请人： WANG, Chuwen , ZHAO, Dongjing
发明人： WANG, Chuwen , ZHAO, Dongjing
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/02 , H01L33/12
CPC分类号： H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/02505 , H01L21/02513 , H01L21/02521 , H01L21/02538 , H01L21/02658 , H01L33/0066
摘要： A semiconductor structure and a forming method thereof are provided. The semiconductor structure comprises: a substrate (1100), a first porous layer (1200) formed on the substrate (1100), a second porous layer (1300) formed on the first porous layer (1200), and a first semiconductor layer (1400) formed on the second porous layer (1300). A porosity of the second porous layer (1300) is smaller than that of the first porous layer (1200), and a pore size of the second porous layer (1300) is smaller than that of the first porous layer (1200).
摘要翻译：提供半导体结构及其形成方法。半导体结构包括：基板（1100），形成在基板（1100）上的第一多孔层（1200），形成在第一多孔层（1200）上的第二多孔层（1300）和第一半导体层）形成在第二多孔层（1300）上。第二多孔层（1300）的孔隙率小于第一多孔层（1200）的孔隙率，第二多孔层（1300）的孔径小于第一多孔层（1200）的孔径。

2. 发明申请

WO2013159693A1 GROUP III-V SEMICONDUCTOR DC TRANSFORMER AND METHOD FOR FORMING SAME 审中-公开
标题翻译：第III-V族半导体直流变压器及其形成方法
公开(公告)号：WO2013159693A1
公开(公告)日：2013-10-31
申请号：PCT/CN2013/074556
申请日：2013-04-23
申请人： GUO, Lei , ZHAO, Dongjing
发明人： GUO, Lei , ZHAO, Dongjing
IPC分类号： H02M3/02 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/173 , H02M3/04 , Y02E10/56
摘要： A group III-V semiconductor DC transformer and a method for forming the same are provided. The group III-V semiconductor DC transformer comprises: an isolation layer (3) with a material of transparent insulating dielectric; a plurality of group III-V semiconductor light emitting diodes (1) formed on one surface of the isolation layer (3) for emitting a working light with specified wavelength to convert an electric energy into an optical energy; a plurality of group III-V semiconductor photovoltaic cells (2) formed on one surface of the isolation layer (3) for absorbing the working light to convert the optical energy into the electric energy, in which a working light spectrum of each group III-V semiconductor light emitting diode (1) is matched with that of each group III-V semiconductor photovoltaic cell (2), and the isolation layer (3) is transparent to the working light.
摘要翻译：提供III-V族半导体DC变压器及其形成方法。 III-V族半导体DC变压器包括：具有透明绝缘介电材料的隔离层（3）; 多个III-V族半导体发光二极管（1），形成在所述隔离层（3）的一个表面上，用于发射具有特定波长的工作光以将电能转换为光能; 形成在隔离层（3）的一个表面上的用于吸收工作光以将光能转换成电能的多个III-V族半导体光伏电池（2），其中每组III- V型半导体发光二极管（1）与各III-V族半导体光伏电池（2）的配合，隔离层（3）对于工作光是透明的。

3. 发明申请

WO2013067805A1 SEMICONDUCTOR DC TRANSFORMER 审中-公开
标题翻译：半导体直流变压器
公开(公告)号：WO2013067805A1
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：PCT/CN2012/075393
申请日：2012-05-11
申请人： GUO, Lei , ZHAO, Dongjing
发明人： ZHAO, Dongjing
IPC分类号： H01L31/12 , H01L31/153
CPC分类号： H01L31/173
摘要： A semiconductor DC transformer (1) comprises: a plurality of semiconductor electricity-to-light conversion structures (10) connected in series for converting input electric energy into optical energy; and a plurality of semiconductor light-to-electricity conversion structures (20) connected in series for converting input optical energy into electric energy, in which the number of the semiconductor electricity-to light conversion structures (10) is different from that of the semiconductor light-to-electricity conversion structures (20) so as to realize a DC transformer, and a working light spectrum of the semiconductor electricity-to-light conversion structures (10) is matched with that of the semiconductor light-to-electricity conversion structures (20).
摘要翻译：半导体直流变压器（1）包括：多个串联连接的半导体电 - 光转换结构（10），用于将输入电能转换为光能; 以及将输入光能转换为电能的串联连接的多个半导体光电转换结构（20），其中半导体电光转换结构（10）的数量与半导体的不同光电转换结构（20），以实现DC变压器，半导体电光转换结构（10）的工作光谱与半导体光 - 电转换结构（10）的工作光谱相匹配（20）。

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