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1. 发明申请

WO2010130359A1 DÜNNSCHICHTSOLARZELLE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER DÜNNSCHICHTSOLARZELLE 审中-公开
标题翻译：薄膜太阳能电池及其制备方法的薄膜太阳能电池
公开(公告)号：WO2010130359A1
公开(公告)日：2010-11-18
申请号：PCT/EP2010/002742
申请日：2010-05-05
申请人： SCHOTT AG , SPEIT, Burkhard , RUDIGIER-VOIGT, Eveline , WOLFF, Silke , MANNSTADT, Wolfgang
发明人： SPEIT, Burkhard , RUDIGIER-VOIGT, Eveline , WOLFF, Silke , MANNSTADT, Wolfgang
IPC分类号： C03C3/085 , C03C3/087 , C03C3/093 , C03C3/112 , C03C3/118 , C03C17/36
CPC分类号： C03C3/112 , C03C3/087 , C03C3/093 , C03C3/095 , C03C3/118 , C03C4/0092 , C03C17/3605 , C03C17/3649 , C03C17/3678 , H01L31/03923 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要： Die erfindungsgemäße Dünnschichtsolarzelle umfasst wenigstens ein Na 2 O-haltiges Mehrkomponentensubstratglas, wobei das Substratglas nicht phasenentmischt ist und einen Gehalt an ß-OH von 25 bis 80 mMol/l aufweist. Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung einer Dünnschichtsolarzelle umfasst folgende Schritte: a) Bereitstellen eines Na 2 O-haltigen Mehrkomponentensubstratglas, wobei das Substratglas einen Gehalt an ß-OH von 25 bis 80 mMol/l aufweist und wobei das Substratglas nicht phasenentmischt ist, b) Aufbringen einer Metallschicht auf das Substratglas, wobei die Metallschicht einen elektrischen Rückkontakt der Dünnschichtsolarzellen bildet, c) Aufbringen einer intrinsisch p-leitenden polykristallinen Schicht aus einem Verbundhalbleitermaterial, insbesondere aus einem CIGS-Verbundhalbleitermaterial, umfassend mindestens einen Hochtemperaturschritt bei einer Temperatur > 550 °C, d) Aufbringen eines p/n-Übergangs. Vorzugsweise setzt sich das Glas zusammen aus, in Mol.-%: SiO 2 61 - 70,5; AI 2 O 3 8,0 - 15,0; B 2 O 3 0 - 4,0; Na 2 O 0,5 - 18,0; K 2 O 0,05 - 10,0; Li 2 O + Na 2 O + K 2 O 10,0 - 22,0; MgO 0 - 7,0; CaO 0 - 5,0; SrO 0 - 9,0; BaO 0 - 5.0; CaO + SrO + BaO + ZnO 0,5 - 11,0; TiO 2 + ZrO 2 0 - 4,0; SnO 2 + CeO 2 0 - 0,5; As 2 O 3 + Sb 2 O 3 + P 2 O 5 + La 2 O 3 0 - 2,0; F 2 + Cl 2 0 - 2.
摘要翻译：本发明的薄膜太阳能电池包括至少一个的Na 2 O的含多组分玻璃基底，其中所述基底玻璃不是相分离的，并且具有β-OH的25至80毫摩尔/ l的内容。用于制造包括以下步骤的薄膜太阳能电池本发明的方法：a）提供一个含有的Na 2 O-多组分基板玻璃，其中所述基底玻璃具有β-OH的含量为25至80毫摩尔/升，并且其中所述基底玻璃没有相分离，b）将金属层到基板玻璃，其中，所述金属层形成的薄膜太阳能电池的电背接触，c）中以> 550℃的温度下施加的化合物半导体材料的本征p型多晶硅层，特别是包括至少一个高温步骤CIGS化合物半导体材料制成的，d）将一个p / n结。优选地，所述玻璃是由，在摩尔％为：SiO2 61〜70.5; AL2O3 8.0至15.0; B 2 O 3 0〜4.0; 的Na 2 O 0.5〜18.0; K2O 0.05至10.0; 的Li 2 O的Na 2 O + K 2 O + 10.0〜22.0; 的MgO 0〜7.0; 的CaO 0〜5.0; 的SrO 0〜9.0; 的BaO 0 - 5.0; 的CaO +的SrO + BaO的+ 0.5的ZnO至11.0; 的TiO 2的ZrO 2 + 0至4.0; 的SnO 2 +的CeO 2 0〜0.5; 三氧化二砷的Sb2O3 + + P2O5 +镧0至2.0; F2 +氯气0-2。

2. 发明申请

WO2011035848A3 METHOD FOR PRODUCING A SOLAR CELL OR A TRANSISTOR HAVING A CRYSTALLINE SILICON THIN-FILM LAYER 审中-公开
标题翻译：制造方法太阳能电池或晶体管与结晶硅薄层
公开(公告)号：WO2011035848A3
公开(公告)日：2011-07-21
申请号：PCT/EP2010005365
申请日：2010-09-01
申请人： SCHOTT AG , SPEIT BURKHARD , HANSEN ROLF , WEBER URBAN
发明人： SPEIT BURKHARD , HANSEN ROLF , WEBER URBAN
IPC分类号： H01L21/336 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/03921 , H01L21/02422 , H01L21/0245 , H01L21/02513 , H01L21/02532 , H01L21/02617 , H01L21/02658 , H01L29/6675 , H01L31/1804 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： In order to produce a thin-film solar cell or a thin-film transistor, crystalline silicon particles are fixed on the surface of the substrate (1), whereupon a crystalline silicone thin-film layer is epitaxially precipitated from different partial layers (2).
摘要翻译：为了产生一个薄膜太阳能电池或薄膜晶体管的结晶硅粒子被固定在基板（1）的表面上，由此从（2）的外延沉积的不同的子层的结晶性硅薄膜。

3. 发明申请

WO2010130358A1 SUBSTRATGLAS FÜR DÜNNSCHICHTSOLARZELLE 审中-公开
标题翻译：基板玻璃薄膜太阳能电池
公开(公告)号：WO2010130358A1
公开(公告)日：2010-11-18
申请号：PCT/EP2010/002741
申请日：2010-05-05
申请人： SCHOTT AG , SPEIT, Burkhard , RUDIGIER-VOIGT, Eveline , WOLFF, Silke , MANNSTADT, Wolfgang
发明人： SPEIT, Burkhard , RUDIGIER-VOIGT, Eveline , WOLFF, Silke , MANNSTADT, Wolfgang
IPC分类号： C03C3/112 , C03C17/36
CPC分类号： C03C17/3605 , C03C3/112 , C03C4/0092 , C03C17/3649 , C03C17/3678 , H01L31/035281 , H01L31/0392 , H01L31/03923 , H01L31/03925 , H01L31/0749 , Y02E10/541
摘要： Die erfindungsgemäße Dünnschichtsolarzelle umfasst wenigstens ein Na 2 O-haltiges Mehrkomponentensubstratglas, wobei das Substratglas weniger als 1 Gew.-% B 2 O 3 , weniger als 1 Gew.-% BaO und weniger in Summe als 3 Gew.-% CaO + SrO + ZnO enthält, wobei das molare Verhältnis der Substratglaskomponenten (Na 2 O+K 2 O)/(MgO+CaO+SrO+BaO) größer als 0,95 ist, wobei das molare Verhältnis der Substratglaskomponenten SiO 2 /AI 2 O 3 kleiner als 7 ist, und wobei das Substratglas eine Transformationstemperatur Tg von größer als 550 °C, insbesondere von größer als 600 °C aufweist.
摘要翻译：本发明的薄膜太阳能电池包括的Na 2中的至少一种多组分玻璃衬底，其中所述衬底玻璃包含小于1和重量％的B 2 O 3，小于1重量％的BaO和更少总共超过3重量％的CaO +的SrO +的ZnO含O，其中，所述 /氧化镁（MgO + CaO的+的SrO + BaO）为基片的玻璃成分（的Na 2 O + K 2 O）的摩尔比小于0.95，其中该基板的玻璃成分的摩尔比，SiO2 / Al2O3的是小于7时，并且其中，所述基底是玻璃，更大的转变温度Tg的具有550℃，特别是大于600℃

4. 发明申请

WO2011035848A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SOLARZELLE ODER EINES TRANSISTORS MIT EINER KRISTALLINEN SILIZIUM-DÜNNSCHICHT 审中-公开
标题翻译：制造具有晶体硅薄层的太阳能电池或晶体管的方法
公开(公告)号：WO2011035848A2
公开(公告)日：2011-03-31
申请号：PCT/EP2010/005365
申请日：2010-09-01
申请人： SCHOTT AG , SPEIT, Burkhard , HANSEN, Rolf , WEBER, Urban
发明人： SPEIT, Burkhard , HANSEN, Rolf , WEBER, Urban
IPC分类号： H01L21/336 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/03921 , H01L21/02422 , H01L21/0245 , H01L21/02513 , H01L21/02532 , H01L21/02617 , H01L21/02658 , H01L29/6675 , H01L31/1804 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Zur Herstellung einer Dünnschichtsolarzelle oder eines Dünnschichttransistors werden auf der Oberfläche des Substrats (1) kristalline Siliziumteilchen fixiert, worauf eine kristalline Silizium-Dünnschicht aus verschiedenen Teilschichten (2) epitaktisch abgeschieden wird.
摘要翻译：
为了产生一个d导航用途nnschichtsolarzelle或d导航用途nnschichttransistors是衬底（1）结晶硅颗粒固定的表面BEAR表面上，随后从不同的子层的结晶硅d导航用途nnschicht（2）外延沉积是

5. 发明申请

WO2003025262A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG BRUCHFESTER CALCIUMFLUORID-EINKRISTALLE SOWIE DEREN VERWENDUNG 审中-公开
标题翻译：用于生产断裂强度氟化钙单晶及其用途
公开(公告)号：WO2003025262A1
公开(公告)日：2003-03-27
申请号：PCT/DE2002/003190
申请日：2002-08-30
申请人： SCHOTT GLAS , CARL-ZEISS-STIFTUNG TRADING AS SCHOTT GLAS , CARL-ZEISS-STIFTUNG , SPEIT, Burkhard , WEHRHAN, Gunther
发明人： SPEIT, Burkhard , WEHRHAN, Gunther
IPC分类号： C30B29/12
CPC分类号： C30B11/00 , C30B29/12
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung von bruchfesten, großformatigen Calciumfluorid-Einkristallen beschrieben, die für optische Bauteile im tiefen UV-Bereich geeignet sind. Das CaF 2 -Rohmaterial wird zunächst aufgeschmolzen. Anschließend erstarrt die Schmelze tinter Abkühlen zu einem Einkristall. Dabei wird dem CaF 2 -Rohmaterial, das geringe Verunreinigungen enthalten kann, zur Erhöhung der Bruchfestigkeit Th, Ba, W, Sb, Y und/oder seltene Erden zudotiert.
摘要翻译：描述了一种用于生产抗断裂，大尺寸的氟化钙单晶，其适合于在深UV范围内的光学部件的方法。的氟化钙原料首先被熔化。接着，使熔融固化调色料冷却，以形成单晶。在这种情况下，W，锑，Y和/或稀土元素是氟化钙原料可以含有少量的杂质，以增加的断裂强度的Th，钡，尖。

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