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1. 发明申请

WO2007111432A1 LIGHT EMITTING DEVICE HAVING ZENER DIODE THEREIN AND METHOD OF FABRICATING THE SAME 审中-公开
标题翻译：具有齐纳二极管的发光装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2007111432A1
公开(公告)日：2007-10-04
申请号：PCT/KR2007/001348
申请日：2007-03-20
申请人： SEOUL OPTO DEVICE CO., LTD. , OH, Duck Hwan , LEE, Sang Joon , KIM, Kyung Hae
发明人： OH, Duck Hwan , LEE, Sang Joon , KIM, Kyung Hae
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L27/15 , H01L23/62 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , Y10S438/983 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： Disclosed are a light emitting device having a zener diode therein and a method of fabricating the light emitting device. The light emitting device comprises a P-type silicon substrate having a zener diode region and a light emitting diode region. A first N-type compound semiconductor layer is contacted to the zener diode region of the P-type silicon substrate to exhibit characteristics of a zener diode together with the P-type silicon substrate. Further, a second N-type compound semiconductor layer is positioned on the light emitting diode region of the P-type silicon substrate. The second N-type compound semiconductor layer is spaced apart from the first N-type compound semiconductor layer. Meanwhile, a P-type compound semiconductor layer is positioned on the second N-type compound semiconductor layer, and an active layer is interposed between the second N-type compound semiconductor layer and the P-type compound semiconductor layer. Accordingly, it is possible to provide a light emitting device having a zener diode including the P-type silicon substrate and the first N-type compound semiconductor layer, and a light emitting diode including the second N-type compound semiconductor layer, the active layer and the P-type compound semiconductor layer in a single chip, so that damage to the light emitting diode due to electrostatic discharge can be prevented.
摘要翻译：公开了一种其中具有齐纳二极管的发光器件和制造发光器件的方法。发光器件包括具有齐纳二极管区域和发光二极管区域的P型硅衬底。第一N型化合物半导体层与P型硅衬底的齐纳二极管区域接触，以与P型硅衬底一起显示齐纳二极管的特性。此外，第二N型化合物半导体层位于P型硅衬底的发光二极管区域上。第二N型化合物半导体层与第一N型化合物半导体层间隔开。同时，P型化合物半导体层位于第二N型化合物半导体层上，有源层插入在第二N型化合物半导体层和P型化合物半导体层之间。因此，可以提供具有包括P型硅衬底和第一N型化合物半导体层的齐纳二极管的发光器件和包括第二N型化合物半导体层的发光二极管，有源层和P型化合物半导体层，从而可以防止由于静电放电而对发光二极管造成的损坏。

2. 发明申请

WO2007105868A1 LIGHT EMITTING DIODE HAVING COLUMNS FOR LIGHT EXTRACTION AND METHOD OF FABRICATING THE SAME 审中-公开
标题翻译：具有用于光提取的色谱柱的发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：WO2007105868A1
公开(公告)日：2007-09-20
申请号：PCT/KR2007/001064
申请日：2007-03-05
申请人： SEOUL OPTO DEVICE CO., LTD. , OH, Duck Hwan , YOON, Yeo Jin
发明人： OH, Duck Hwan , YOON, Yeo Jin
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/32
摘要： The present invention relates to a light emitting diode having columns for light extraction and a method of fabricating the light emitting diode. The light emitting diode comprises a first conductive type (Al, In, Ga)N semiconductor layer, a second conductive type (Al, In, Ga)N semiconductor layer positioned on one region of the first conductive type semiconductor layer, an active layer interposed between the first and second conductive type semiconductor layers. Additionally, columns for light extraction are positioned on other region of the first conductive type semiconductor layer. The columns for light extraction reduce light loss due to internal reflection, thereby enhancing light extraction efficiency.
摘要翻译：本发明涉及具有用于光提取的列的发光二极管和制造该发光二极管的方法。发光二极管包括第一导电型（Al，In，Ga）N半导体层，位于第一导电型半导体层的一个区域上的第二导电型（Al，In，Ga）N半导体层，在第一和第二导电类型半导体层之间。另外，用于光提取的列位于第一导电类型半导体层的其他区域上。用于光提取的列减少由于内部反射引起的光损失，从而提高光提取效率。

3. 发明申请

WO2012020896A1 UV LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
标题翻译：紫外线发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：WO2012020896A1
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：PCT/KR2011/000364
申请日：2011-01-18
申请人： SEOUL OPTO DEVICE CO., LTD. , NAM, Ki Bum , OH, Duck Hwan , SEO, Won Cheol
发明人： NAM, Ki Bum , OH, Duck Hwan , SEO, Won Cheol
IPC分类号： H01L33/02 , H01L33/20
CPC分类号： H01L33/10 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/46 , H01L2933/0083
摘要： The present disclosure provides a UV light emitting diode and a method of manufacturing the same. The UV light emitting diode includes a first conductive type semiconductor layer, an active layer, and a second conductive type semiconductor layer sequentially formed on a substrate, an electrode formed on the second conductive type semiconductor layer, and an opening formed by removing at least portions of the first conductive type semiconductor layer, the active layer, the second conductive type semiconductor layer, the reflective structure and the transparent electrode to expose a portion of the first conductive type semiconductor layer therethrough. In the UV light emitting diode, UV light is emitted from the active layer, passes through the opening, and then travels outside.
摘要翻译：本公开提供了一种UV发光二极管及其制造方法。 UV发光二极管包括依次形成在基板上的第一导电型半导体层，有源层和形成在第二导电型半导体层上的电极的第二导电型半导体层，以及形成在第二导电型半导体层上的至少部分第一导电型半导体层，有源层，第二导电类型半导体层，反射结构和透明电极，以暴露第一导电类型半导体层的一部分。在UV发光二极管中，紫外光从有源层发射，穿过开口，然后向外传播。

4. 发明申请

WO2007081092A1 DEL À COUCHE D'ITO ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION 审中-公开
标题翻译： DELÀCOUCHE D'ITO ET SONPROCÉDÉDE FABRICATION
公开(公告)号：WO2007081092A1
公开(公告)日：2007-07-19
申请号：PCT/KR2006/005352
申请日：2006-12-08
申请人： SEOUL OPTO DEVICES CO., LTD. , KIM, Dae Won , YOON, Yeo Jin , OH, Duck Hwan , KIM, Jong Hwan
发明人： KIM, Dae Won , YOON, Yeo Jin , OH, Duck Hwan , KIM, Jong Hwan
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/42 , H01L27/153 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： L'invention porte sur une DEL à luminance et performances photoémettrices améliorées en raison d’un accroissement de l’efficacité de la diffusion du courant dans la couche d’ITO, et sur son procédé de fabrication. L’invention consiste à monter sur un substrat au moins une cellule photoémettrice comprenant une couche semi-conductrice de type N, une couche active, et une couche semi-conductrice de type P. ledit procédé comporte les étapes suivantes: (a) formation d’au moins une cellule photoémettrice comprenant une couche d’ITO sur la surface supérieure d’une couche semi-conductrice de type P; (b) formation par gravure à sec dans la couche d’ITO d’une rainure de contact de câblage; et (c) remplissage de la rainure de contact avec un élément de connexion fait d'un matériau conducteur.
摘要翻译： L'invent porte sur une DELàbrightness et performancephotoémettricesamélioréesen raison d'un accroissement de l'effectiveacitéde la diffusion du courant dans la couche d'ITO，et sur sonprocédéde fabrication。发明组合àmonter sur un substrat au moins une cellulephotoémettricecomprenant une couche semi-conductrice de type N，une couche active，et une couche semi-conductrice de type P. leditprocédécomporte lesétapessuivantes：（a）formation d 'au moins une cellulephotoémettricecomprenant une couche d'ITO sur la surfacesupérieured'une couche semi-conductrice de type P; （b）形成凹凸不平的àsec dans la couche d'ITO d'une rainure de contact decâblage; et（c）remplissage de la rainure de contact avec unélémentde connexion fait d'unmatériauconducteur。

5. 发明申请

WO2008082081A1 LIGHT EMITTING DIODE HAVING BARRIER LAYER OF SUPERLATTICE STRUCTURE 审中-公开
标题翻译：具有超级结构障碍层的发光二极管
公开(公告)号：WO2008082081A1
公开(公告)日：2008-07-10
申请号：PCT/KR2007/005840
申请日：2007-11-21
申请人： SEOUL OPTO DEVICE CO., LTD. , LEE, Sang Joon , OH, Duck Hwan , KIM, Kyung Hae , HAN, Chang Seok
发明人： LEE, Sang Joon , OH, Duck Hwan , KIM, Kyung Hae , HAN, Chang Seok
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/06
摘要： A light emitting diode (LED) having a barrier layer with a superlattice structure is disclosed. In an LED having an active region between an GaN-based N-type compound semiconductor layer and a GaN-based P-type compound semiconductor layer, the active region comprises a well layer and a barrier layer with a superlattice structure. As the barrier layer with the superlattice structure is employed, it is possible to reduce occurrence of defects caused by lattice mismatch between the well layer and the barrier layer.
摘要翻译：公开了一种具有超晶格结构的阻挡层的发光二极管（LED）。在具有GaN基N型化合物半导体层和GaN系P型化合物半导体层之间的有源区域的LED中，有源区域包括阱层和具有超晶格结构的势垒层。由于采用具有超晶格结构的阻挡层，可以减少由阱层与阻挡层之间的晶格失配引起的缺陷的发生。

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