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1. 发明申请

WO2012047459A2 SELECTIVE ETCH PROCESS FOR SILICON NITRIDE 审中-公开
标题翻译：氮化硅的选择性蚀刻工艺
公开(公告)号：WO2012047459A2
公开(公告)日：2012-04-12
申请号：PCT/US2011051379
申请日：2011-09-13
申请人： TOKYO ELECTRON LTD , TOKYO ELECTRON AMERICA INC , METZ ANDREW W , COTTLE HONGYUN
发明人： METZ ANDREW W , COTTLE HONGYUN
IPC分类号： H01L21/311
CPC分类号： H01L21/311 , H01J37/32082 , H01L21/67109 , H01L21/6831 , H01L21/76897
摘要： A method for selectively etching a substrate (25, 140, 150, 300, 310, 510) is described. The method includes preparing a substrate (25, 140, 150, 300, 310, 510) comprising a silicon nitride layer (180, 320) overlying a silicon-containing contact region (172, 343), and patterning the silicon nitride layer (180, 320) to expose the silicon-containing contact region (172, 343) using a plasma etching process in a plasma etching system (1, 1 a, 1 b, 1 c, 1 c', 1 d, 1 e, 1f). The plasma etching process uses a process composition having as incipient ingredients a process gas containing C, H and F, and a non-oxygen-containing additive gas, wherein the non-oxygen- containing additive gas includes H, or C, or both H and C, and excludes a halogen atom.
摘要翻译：描述了用于选择性地蚀刻衬底（25,140,150,300,310,510）的方法。该方法包括制备包括覆盖含硅接触区（172,343）的氮化硅层（180,320）的衬底（25,140,150,300,310,510），并且图案化氮化硅层（180,320），在等离子体蚀刻系统（1,1a，1b，1c，1c'，1d，1e，1f）中使用等离子体蚀刻工艺来暴露含硅接触区域（172,343）。等离子体蚀刻工艺使用具有含有C，H和F以及不含氧的添加剂气体的处理气体作为初始成分的处理组合物，其中不含氧的添加剂气体包括H或C或H 和C，并排除卤素原子。

2. 发明申请

WO2012024178A3 METHOD FOR HIGH ASPECT RATIO PATTERNING IN SPIN-ON LAYER 审中-公开
标题翻译：用于旋转层中高比例比较方法的方法
公开(公告)号：WO2012024178A3
公开(公告)日：2012-04-05
申请号：PCT/US2011047541
申请日：2011-08-12
申请人： TOKYO ELECTRON LTD , TOKYO ELECTRON AMERICA INC , METZ ANDREW W
发明人： METZ ANDREW W
IPC分类号： G03F7/00 , G03F7/38
CPC分类号： G03F7/38 , G03F7/0035 , H01L21/0271 , H01L21/0273
摘要： A method of patterning a substrate (110) is described. The method includes preparing a film stack on a substrate (110), wherein the film stack comprises a spin-on layer (120), and heating the spin-on layer (120) to a cure temperature less than a thermal decomposition temperature of the spin-on layer (120) and exceeding about 200 degrees C to increase mechanical strength of the spin-on layer (120). The method further includes forming a feature pattern (105) without pattern collapse in the spin-on layer (120), wherein the feature pattern (105) is characterized by a critical dimension (155) less than 35nm (nanometers) and an aspect ratio relating a height (150) of the feature pattern (1 05) to the critical dimension (155) exceeding 5:1.
摘要翻译：描述了图案化衬底（110）的方法。该方法包括在基底（110）上制备薄膜叠层，其中薄膜叠层包括旋涂层（120），并将旋涂层（120）加热到固化温度小于旋转层（120）并且超过约200℃以增加旋涂层（120）的机械强度。该方法还包括在旋涂层（120）中形成无图案折叠的特征图案（105），其中特征图案（105）的特征在于小于35nm（纳米）的临界尺寸（155）和宽高比将特征图案（105）的高度（150）与超过5:1的临界尺寸（155）相关联。

3. 发明申请

WO2012024178A2 METHOD FOR HIGH ASPECT RATIO PATTERNING IN SPIN-ON LAYER 审中-公开
标题翻译：自旋层中高纵横比构图的方法
公开(公告)号：WO2012024178A2
公开(公告)日：2012-02-23
申请号：PCT/US2011/047541
申请日：2011-08-12
申请人： TOKYO ELECTRON LIMITED , TOKYO ELECTRON AMERICA, INC. , METZ, Andrew, W.
发明人： METZ, Andrew, W.
IPC分类号： G03F7/00 , G03F7/38
CPC分类号： G03F7/38 , G03F7/0035 , H01L21/0271 , H01L21/0273
摘要： A method of patterning a substrate (110) is described. The method includes preparing a film stack on a substrate (110), wherein the film stack comprises a spin-on layer (120), and heating the spin-on layer (120) to a cure temperature less than a thermal decomposition temperature of the spin-on layer (120) and exceeding about 200 degrees C to increase mechanical strength of the spin-on layer (120). The method further includes forming a feature pattern (105) without pattern collapse in the spin-on layer (120), wherein the feature pattern (105) is characterized by a critical dimension (155) less than 35nm (nanometers) and an aspect ratio relating a height (150) of the feature pattern (1 05) to the critical dimension (155) exceeding 5:1.
摘要翻译：描述图案化衬底（110）的方法。该方法包括在衬底（110）上制备薄膜叠层，其中该薄膜叠层包括旋涂层（120），并且将旋涂层（120）加热至小于该旋涂层的热分解温度旋涂层（120）并且超过约200℃以增加旋涂层（120）的机械强度。该方法进一步包括在旋涂层（120）上形成没有图案塌陷的特征图案（105），其中特征图案（105）的特征在于小于35纳米（纳米）的临界尺寸（155）将特征图案（105）的高度（150）与超过5：1的临界尺寸（155）相关联。

4. 发明申请

WO2012047459A3 SELECTIVE ETCH PROCESS FOR SILICON NITRIDE 审中-公开
公开(公告)号：WO2012047459A3
公开(公告)日：2012-04-12
申请号：PCT/US2011/051379
申请日：2011-09-13
申请人： TOKYO ELECTRON LIMITED , TOKYO ELECTRON AMERICA, INC. , METZ, Andrew, W. , COTTLE, Hongyun
发明人： METZ, Andrew, W. , COTTLE, Hongyun
IPC分类号： H01L21/311
摘要： A method for selectively etching a substrate (25, 140, 150, 300, 310, 510) is described. The method includes preparing a substrate (25, 140, 150, 300, 310, 510) comprising a silicon nitride layer (180, 320) overlying a silicon-containing contact region (172, 343), and patterning the silicon nitride layer (180, 320) to expose the silicon-containing contact region (172, 343) using a plasma etching process in a plasma etching system (1, 1 a, 1 b, 1 c, 1 c', 1 d, 1 e, 1f). The plasma etching process uses a process composition having as incipient ingredients a process gas containing C, H and F, and a non-oxygen-containing additive gas, wherein the non-oxygen- containing additive gas includes H, or C, or both H and C, and excludes a halogen atom.

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