专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2012000015A1 METAL CONTACT SCHEME FOR SOLAR CELLS 审中-公开
标题翻译：太阳能电池金属接触方案
公开(公告)号：WO2012000015A1
公开(公告)日：2012-01-05
申请号：PCT/AU2011/000586
申请日：2011-05-17
申请人： NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LIMITED , LENNON, Alison Joan , LU, Doris , CHEN, Yang
发明人： LENNON, Alison Joan , LU, Doris , CHEN, Yang
IPC分类号： H01L21/44 , H01L21/28
CPC分类号： H01L31/02021 , H01L31/022425 , H01L31/02363 , Y02E10/50
摘要： A method of forming point metal electrical contacts to a semiconductor surface of a semiconductor device is provided. In a first step a first metal layer is formed over the semiconductor surface. The first metal layer is then anodised to create a porous metal-oxide layer formed over the semiconductor surface. The pores in the porous metal-oxide layer will thus form an array of openings in the porous metal-oxide layer. A contact metal layer is then formed over the porous metal-oxide layer such that parts of the contact metal layer extend into openings of the array of openings. The contact metal layer electrically contacts the semiconductor surface through the array of openings in the porous metal-oxide layer. A dielectric layer may optionally be formed over the semiconductor surface and the porous metal-oxide layer the formed over the dielectric layer and the contact metal then contacts the semiconductor surface through the dielectric layer.
摘要翻译：提供了一种将半导体器件的半导体表面形成点金属电触点的方法。在第一步骤中，在半导体表面上形成第一金属层。然后阳极氧化第一金属层以产生形成在半导体表面上的多孔金属氧化物层。因此，多孔金属氧化物层中的孔将在多孔金属氧化物层中形成开口阵列。然后在多孔金属氧化物层上形成接触金属层，使得接触金属层的部分延伸到开口阵列的开口中。接触金属层通过多孔金属氧化物层中的开口阵列与半导体表面电接触。可以可选地在半导体表面上形成电介质层，并且在介电层上形成的多孔金属氧化物层，然后接触金属通过介电层接触半导体表面。

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式