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1. 发明申请

WO2004061990A2 SCHICHTENFOLGE 审中-公开
标题翻译：层序列
公开(公告)号：WO2004061990A2
公开(公告)日：2004-07-22
申请号：PCT/DE2003/003867
申请日：2003-11-21
申请人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH , FÖRSTER, Arnold , LEPSA, Mihail, Ion , STOCK, Jürgen
发明人： FÖRSTER, Arnold , LEPSA, Mihail, Ion , STOCK, Jürgen
IPC分类号： H01L47/02
CPC分类号： H01L47/026
摘要： Die Erfindung betrifft eine Schichtenfolge für eine Gunn-Diode. Die Schichtenfolge umfasst eine Abfolge aufeinander angeordneter Schichten mit einer ersten hochdotierten n d -GaAs-Schicht (3), einer auf der ersten hochdotierten Schicht (3) angeordneten gegradeten Schicht aus AlGaAs (5), wobei die Aluminium-Konzentration dieser Schicht von der Grenzfläche zur ersten n d -GaAs-Schicht (3) ausgehend in Richtung der gegenüberliegenden Grenzfläche der AlGaAs-Schicht (5) abnimmt, und einer zweiten hochdotierten n + -Schicht (7). An mindestens einer Grenzfläche der AlGaAs-Schicht (5) zu einer der hochdotierten Schichten (3, 7) ist eine undotierte Zwischenschicht (4, 6) als Diffusions- bzw. Segregationsstopschicht angeordnet, die eine ungewollte Dotierung der gegradeten Schicht unterbindet.
摘要翻译：本发明涉及用于耿氏二极管的层序列。层序列依次包括具有第一高度掺杂的n <子> d GaAs层（3），设置在第一重掺杂层上的一个（3）的AlGaAs的gegradeten层（5），其中，所述铝布置在层的顺序该层的浓度从界面到第一nDasGaAs层（3）朝着AlGaAs层（5）的相对边界表面减小，并且第二重掺杂的 n ^{+ 图层（7）。 AlGaAs层（5）的高掺杂层中的至少一个边界BEAR表面（3,7）是一个未掺杂的中间层（4,6）布置成其防止gegradeten层的无意掺杂<扩散或偏析阻挡层。 / p>}

2. 发明申请

WO2006029607A1 GUNN-DIODE 审中-公开
标题翻译：耿氏二极管
公开(公告)号：WO2006029607A1
公开(公告)日：2006-03-23
申请号：PCT/DE2005/001612
申请日：2005-09-14
申请人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH , FÖRSTER, Arno , MONTANARI, Simone , LÜTH, Hans , LEPSA, Mihail, Ion
发明人： FÖRSTER, Arno , MONTANARI, Simone , LÜTH, Hans , LEPSA, Mihail, Ion
IPC分类号： H01L47/02
CPC分类号： H01L47/026
摘要： Die Erfindung betrifft eine Gunn-Diode, umfassend einen, einen Gunn-Effekt ausübenden aktiven Bereich (2) und einen Injektor (4, 5, 6), dadurch gekennzeichnet, dass der Injektor einen Energiebandpassfilter für die in den aktiven Bereich injizierten Elektronen umfasst. Der Energiebandpassfilter ist viertagsweise als Resonanztunneldiode bestehend aus Barriereschichten (5a, 5c) und einer Zwischenschicht (5b) ausgelegt.
摘要翻译：本发明涉及一种耿氏二极管，其包括，一个耿氏效果的发挥活性区域（2）和喷射器（4，5，6），其特征在于，所述喷射器包括用于注入到有源区中的电子电流的能量带通滤波器。的能量带通滤波器被设计为4个标签由作为阻挡层（图5a，图5c）的谐振隧穿二极管和中间层（5B）。

3. 发明申请

WO2004061990A3 LAYERED CONSTRUCTION 审中-公开
标题翻译：层序列
公开(公告)号：WO2004061990A3
公开(公告)日：2004-10-14
申请号：PCT/DE0303867
申请日：2003-11-21
申请人： FORSCHUNGSZENTRUM JUELICH GMBH , FOERSTER ARNOLD , LEPSA MIHAIL ION , STOCK JUERGEN
发明人： FOERSTER ARNOLD , LEPSA MIHAIL ION , STOCK JUERGEN
IPC分类号： H01L47/02
CPC分类号： H01L47/026
摘要： The invention relates to a layered construction for a Gunn diode. The layered construction comprises a series of stacked layers consisting of a first highly doped nd GaAs layer (3), a graded AlGaAs layer (5), which is placed upon the first highly doped layer (3), whereby the aluminum concentration of this layer, starting from the boundary surface to the first nd GaAs layer (3), decreases toward the opposite boundary surface of the AlGaAs layer (5), and of a second highly doped n layer (7). An undoped intermediate layer (4, 6) serving as a diffusion or segregation stop layer is placed on at least one boundary surface of the AlGaAs layer (5) to one of the highly doped layers (3, 7) and prevents an unwanted doping of the graded layer.
摘要翻译：本发明涉及一种用于耿氏二极管的层序列。层序列依次包括具有第一高度掺杂N D GaAs层（3），布置在层的顺序，设置一个第一重掺杂层（3）的AlGaAs的gegradeten层（5）上，其中，从所述边界表面到该层的铝浓度 ND第一GaAs层（3）降低程序在AlGaAs层的相对边界表面的方向（5），和一个第二高度掺杂的n <+> - 层（7）。 AlGaAs层（5）的高掺杂层中的至少一个边界表面（3,7）是一个未掺杂的中间层（4,6）布置成其防止gegradeten层的无意掺杂的扩散或偏析阻挡层。

4. 发明申请

WO1991015361A1 METHOD FOR OBTAINING GaAs FLAT SURFACES 审中-公开
标题翻译：获得GaAs平坦表面的方法
公开(公告)号：WO1991015361A1
公开(公告)日：1991-10-17
申请号：PCT/RO1991000001
申请日：1991-03-29
申请人： INSTITUTUL DE FIZICA ATOMICA , PETRESCU-PRAHOVA, Iulian, Basarab , LEPSA, Mihail, Ion
发明人： INSTITUTUL DE FIZICA ATOMICA
IPC分类号： B30B29/42
CPC分类号： C30B19/04 , C30B29/42 , H01L21/02395 , H01L21/02546 , H01L21/02625 , H01L21/02628
摘要： The present invention refers to a method for obtaining GaAs atomic flat surfaces, by microlithography and chemical etching on GaAs substrates of mesas of predetermined dimensions and orientation, followed by the growth on these mesas of epitaxial layers made from arsenic saturated gallium solution in usual liquid phase epitaxy equipments.
摘要翻译：本发明涉及通过在预定尺寸和取向的台面的GaAs衬底上的微光刻和化学蚀刻获得GaAs原子平面的方法，随后在通常的液相中由砷饱和镓溶液制成的外延层的这些台面上生长外延设备。

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