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1. 发明申请

WO1998028781A2 LAYER WITH A POROUS LAYER AREA, AN INTERFERENCE FILTER CONTAINING SUCH A LAYER AND A METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF 审中-公开
标题翻译：层多孔层区域，例如层中包含干涉滤光片及其制造方法
公开(公告)号：WO1998028781A2
公开(公告)日：1998-07-02
申请号：PCT/DE1997003006
申请日：1997-12-20
申请人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH , BERGER, Michael , KRÜGER, Michael , THÖNISSEN, Markus , ARENS-FISCHER, Rüdiger , LÜTH, Hans , LANG, Walter , THEISS, Wolfgang , HILBRICH, Stefan
发明人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH
IPC分类号： H01L00/00
CPC分类号： H01L21/30604 , C25F3/12 , G02B5/285
摘要： The invention relates to a layer with an area made of a porous material extending from the surface of the layer to the inside of the latter, wherein the dimension of the porous layer area in the direction perpendicular to the surface of the layer exhibits different values. The invention also relates to a method for producing a layer with a porous area or a layer system, wherein said porous layer area is formed by etching and means are used to choose a physical dimension in correlation with the etching speed of the etching process in order to form at least one etching gradient.
摘要翻译：本发明涉及一种多孔材料与从在该层内部的层的表面延伸的区域中形成的层，并且其中，在垂直于层表面的方向具有在所述方向上的不同值的多孔层区域的尺寸。此外，本发明涉及一种用于制造具有多孔层区域或层系统的层的方法，所述多孔层区域通过蚀刻形成，并且装置被使用，这会导致与蚀刻物理量的蚀刻速率相关以形成至少一个Ätzgradienten被选择，

2. 发明申请

WO1997014647A1 PROCESS FOR OBTAINING HYDROCHLORIC ACID FROM FLUE GASES 审中-公开
标题翻译：一种获得ACID从烟道气
公开(公告)号：WO1997014647A1
公开(公告)日：1997-04-24
申请号：PCT/CH1996000343
申请日：1996-10-02
申请人： CT UMWELTTECHNIK AG , SOWIEJA, Dietmar , LANG, Walter , SCHAUB, Martin
发明人： CT UMWELTTECHNIK AG
IPC分类号： C01B07/07
CPC分类号： C01F7/50 , B01D53/68 , C01B7/0706 , C01B7/0712 , C01F7/54
摘要： The process is used to obtain hydrochloric acid from flue gases. Hydrogen chloride HC1, hydrogen fluoride HF and other substances soluble in an aqueous washing solution are removed thereby. The dissolved fluoride ions are converted with added aluminium and sodium ions into cryolite Na3A1F6 and aluminium fluoride A1F3. A fraction of larger crystals (52) is removed from the washing solution taken to a circuit (12, P1, 32, P3, 5) and a fraction of finer crystals left in the washing solution. HC1 is expelled from the washing solution. A vapour (34) containing the expelled HC1 is taken to further processing stages (8) for producing highly concentrated hydrochloric acid (88).
摘要翻译：该方法使用盐酸的从烟道气中回收。从氯化氢HCl，氟化氢HF，以及其它可溶性物质的烟道气的洗涤水溶液在洗涤溶液中被去除。溶解的氟离子与所提供的铝和钠离子一起反应以冰晶石和氟化铝Na3A1F6 AlF 3。更大的晶体（52）的一小部分被从在电路（12，P1，32，P3，5）被引导的洗涤溶液和残留在洗涤溶液中更精细的晶体（51）的一小部分除去。它是从洗涤液HC1开除。将含有排出HC1蒸汽（34）被供给到进一步的处理步骤（8），用于高度浓缩的盐酸（88）的制备。

3. 发明申请

WO2008092648A1 WELLEN-NABENVERBINDUNG MIT VERZAHNUNG 审中-公开
标题翻译：用牙WAVE HUB连接
公开(公告)号：WO2008092648A1
公开(公告)日：2008-08-07
申请号：PCT/EP2008/000699
申请日：2008-01-30
申请人： WITTENSTEIN AG , LANG, Walter , MELBER, Karl-Georg , OLD, Christof
发明人： LANG, Walter , MELBER, Karl-Georg , OLD, Christof
IPC分类号： F16D1/06 , F16D1/072 , B23P11/00
CPC分类号： B23P11/00 , F16D1/06 , F16D1/072 , F16H57/0025 , Y10T29/49945 , Y10T29/49963 , Y10T29/49995 , Y10T403/10 , Y10T403/68
摘要： Bei einem Verfahren zur Herstellung einer Wellen-Nabenverbindung, insbesondere zwischen einem schrägverzahnten Ritzel (2) und einer Nabe (6),wird ein Teilabschnitt (3) der schrägverzahnten Laufverzahnung (4) des Ritzels beim Verbinden mit der Nabe als eine Art spanendes Schneidwerkzeug eingesetzt, indem sich der Teilabschnitt axial fluchtend mit den Profilen seiner Zähne in die Nabe einschneidet. Ferner ist für dieses Verfahren eine geeignete Ritzel-Nabenverbindung (1) aufgezeigt sowie jeweils eine besondere Verwendung.
摘要翻译：在用于螺旋小齿轮（2）和轮毂（6），一个部分（3）生产芯片的切割工具（4）连接到所述轮毂上时，小齿轮的作为一种螺旋运行机构的使用之间制造轴毂连接，尤其是方法通过部分剖面切割轴向对准的齿的轮廓到轮毂。此外，合适的小齿轮 - 轮毂连接（1）和在各种情况下显示该过程中的特定用途。

4. 发明申请

WO1998015799A1 ROTATION RATE SENSOR WITH UNCOUPLED MUTUALLY PERPENDICULAR PRIMARY AND SECONDARY OSCILLATIONS 审中-公开
标题翻译：采用正交解耦主要和次要VIBRATIONS旋转速率传感器
公开(公告)号：WO1998015799A1
公开(公告)日：1998-04-16
申请号：PCT/EP1997005445
申请日：1997-10-02
申请人： INSTITUT FÜR MIKRO- UND INFORMATIONSTECHNIK HAHN-SCHICKARD-GESELLSCHAFT , FOLKMER, Bernd , GEIGER, Wolfram , LANG, Walter , SOBE, Udo
发明人： INSTITUT FÜR MIKRO- UND INFORMATIONSTECHNIK HAHN-SCHICKARD-GESELLSCHAFT
IPC分类号： G01C19/56
CPC分类号： G01C19/5712
摘要： A rotation rate sensor (100) detecting rotation of the same, comprising a base body (102), a primary oscillator (106) which is maintained in a movable position by a primary suspension device (104) in relation to the base body (102), and a secondary oscillator (114) which is maintained in a movable position in relation to the primary oscillator (106) by means of a secondary suspension device (112) which is separated from the primary suspension device (104). The secondary suspension device (112) is so designed that a movement which can be exerted upon the primary oscillator (106) can be transmitted to the secondary oscillator (11) while no substantial movement of the secondary oscillator (114) caused by the coriolis force can be transmitted back to the primary oscillator (106). Furthermore, the main surfaces of the primary oscillator (106) and the secondary oscillator (114) extend substantially on the same plane whereby the movement of the primary oscillator (106) and/or the secondary oscillator also occurs on this plane.
摘要翻译：的旋转速率陀螺仪（100），其用于检测旋转包括基体（102），耦合到其主振荡器悬浮液（104）的主振荡器（106），通过一个装置被可移动地支撑在基体（102）相对，以及辅助振荡器（114）从主振荡器悬浮液（104）分离的辅助振荡器的悬浮液（112）被保持在主振荡器（106）相对移动。辅助振荡器悬浮液（112）被形成为使得一个到主振荡器（106）可以被放置成抵靠移动到辅助振荡器（114）可被发送，而由科里奥利力引起的辅助振荡器（114）的运动基本上不（到主振荡器 106）被发送回。此外，主面延伸的主振荡器（106）和在基本相同的平面上的辅助振荡器（114），并且在该平面内还主振荡器（106）和/或辅助振荡器（114）的移动的位置。

5. 发明申请

WO9828781A3 LAYER WITH A POROUS LAYER AREA, AN INTERFERENCE FILTER CONTAINING SUCH A LAYER AND A METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF 审中-公开
标题翻译：具有多层的层，包含这种层的干涉滤波器及其生产方法
公开(公告)号：WO9828781A3
公开(公告)日：1999-02-25
申请号：PCT/DE9703006
申请日：1997-12-20
申请人： FORSCHUNGSZENTRUM JUELICH GMBH , BERGER MICHAEL , KRUEGER MICHAEL , THOENISSEN MARKUS , ARENS FISCHER RUEDIGER , LUETH HANS , LANG WALTER , THEISS WOLFGANG , HILBRICH STEFAN
发明人： BERGER MICHAEL , KRUEGER MICHAEL , THOENISSEN MARKUS , ARENS-FISCHER RUEDIGER , LUETH HANS , LANG WALTER , THEISS WOLFGANG , HILBRICH STEFAN
IPC分类号： C25F3/12 , G02B5/20 , G02B5/28 , H01L21/306 , H01L
CPC分类号： H01L21/30604 , C25F3/12 , G02B5/285
摘要： The invention relates to a layer with an area made of a porous material extending from the surface of the layer to the inside of the latter, wherein the dimension of the porous layer area in the direction perpendicular to the surface of the layer exhibits different values. The invention also relates to a method for producing a layer with a porous area or a layer system, wherein said porous layer area is formed by etching and means are used to choose a physical dimension in correlation with the etching speed of the etching process in order to form at least one etching gradient.

6. 发明申请

WO1994019832A1 PLASMA GENERATING PROCESS AND ARRANGEMENT 审中-公开
标题翻译：方法和系统用于产生等离子体
公开(公告)号：WO1994019832A1
公开(公告)日：1994-09-01
申请号：PCT/EP1994000400
申请日：1994-02-11
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , LANG, Walter , KOZLOWSKI, Frank , RICHTER, Axel , SAUTER, Martin , STEINER, Peter
发明人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/346 , H01L2924/0002 , H05H1/00 , H01L2924/00
摘要： A plasma is generated by applying a voltage on mutually spaced apart spots of a microporous body. This may be done for example by applying a 50 to 100 V voltage through a microporous layer of a silicium wafer.

7. 发明申请

WO1993004503A1 PROCESS FOR THE PRODUCTION OF ELECTROLUMINESCENT SILICON FEATURES 审中-公开
标题翻译：电致发光硅特征的生产工艺
公开(公告)号：WO1993004503A1
公开(公告)日：1993-03-04
申请号：PCT/DE1992000598
申请日：1992-07-20
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ... , RICHTER, Axel , STEINER, Peter , LANG, Walter
发明人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ...
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/42 , H01L21/306 , H01L33/0054 , H01L33/346 , H01L2924/0002 , Y10S438/96 , H01L2924/00
摘要： Described is a process for the production of electroluminescent silicon features, the process comprising the following steps: a silicon wafer is placed in an acid bath; the wafer is anodized in the bath; the anode side of the wafer is illuminated during at least part of the time it is being placed in the bath and is being anodized, thus causing at least some areas of the mono-crystalline silicon in the wafer to be converted into a microporous silicon layer; two contacts (13, 14) are formed by means of which a voltage can be applied to the microporous silicon layer (10).

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