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1. 发明申请

WO2010089175A1 PLASMABESCHICHTUNGSANLAGE UND VERFAHREN ZUM BESCHICHTEN ODER BEHANDELN DER OBERFLÄCHE EINES SUBSTRATS 审中-公开
标题翻译：等离子体涂布系统和方法涂覆或处理基材表面
公开(公告)号：WO2010089175A1
公开(公告)日：2010-08-12
申请号：PCT/EP2010/050459
申请日：2010-01-15
申请人： SULZER METCO AG , GINDRAT, Malko , GUITTIENNE, Philippe , HOLLENSTEIN, Christoph
发明人： GINDRAT, Malko , GUITTIENNE, Philippe , HOLLENSTEIN, Christoph
IPC分类号： H05H1/34 , H01J37/32
CPC分类号： H05H1/3405
摘要： Es wird ein Plasmabeschichtungsanlage zum Beschichten oder Behandeln der Oberfläche eines Substrats (3) vorgeschlagen, mit einer Arbeitskammer (2), die evakuierbar ist und in welcher das Substrat (3) platzierbar ist, und mit einem Plasmabrenner (4) zur Erzeugung eines Plasmastrahls (5) durch Erhitzung eines Prozessgases, wobei der Plasmabrenner (4) eine Düse (41) aufweist, durch welche der Plasmastrahl (5) aus dem Plasmabrenner (4) austreten und sich entlang einer Längsachse (A) in der Arbeitskammer (2) erstrecken kann, wobei stromabwärts der Düse (41) in der Arbeitskammer (2) eine mechanische Beschränkungsvorrichtung (12) vorgesehen ist, welche sich entlang der Längsachse (A) erstreckt und den Plasmastrahl (5) gegen ein seitliches, unerwünschtes Eindringen von Partikeln schützt. Ferner wird ein entsprechendes Verfahren vorgeschlagen.
摘要翻译：本发明公开了一种用于涂敷的等离子体涂布系统或处理衬底（3）的表面上，具有一个工作腔室（2），其可被抽真空，并且其中可以放置在衬底（3），并与等离子炬（4）（用于产生等离子体束 5）可以通过加热处理气体，延长其特征在于，所述等离子炬（4）具有从所述等离子体焰炬（4）的喷嘴（41），通过该逸出等离子体射流（5）和沿纵向轴线（A）在工作腔室（2）延伸其中，在所述工作腔（2）的机械限制装置（12）设置，其沿着纵向轴线（A）延伸并保护等离子体射流（5）相对于颗粒的横向，不希望的渗透的喷嘴（41）的下游。提出了一种相应的方法。

2. 发明申请

WO2004038774A2 METHOD FOR PRODUCING SEMI-CONDUCTING DEVICES AND DEVICES OBTAINED WITH THIS METHOD 审中-公开
标题翻译：用于生产半导体器件的方法和用该方法获得的器件
公开(公告)号：WO2004038774A2
公开(公告)日：2004-05-06
申请号：PCT/CH0300685
申请日：2003-10-22
申请人： UNAXIS BALZERS LTD , KROLL ULRICH , BUCHER CEDRIC , SCHMITT JACQUES , POPPELLER MARKUS , HOLLENSTEIN CHRISTOPH , BALLUTAUD JULIETTE , HOWLING ALAN
发明人： KROLL ULRICH , BUCHER CEDRIC , SCHMITT JACQUES , POPPELLER MARKUS , HOLLENSTEIN CHRISTOPH , BALLUTAUD JULIETTE , HOWLING ALAN
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455 , H01L21/205 , H01L21/22 , H01L31/0288 , H01L31/075 , H01L31/18 , H01L31/20 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/0242 , H01L21/02491 , H01L21/02529 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02664 , H01L21/2205 , H01L31/0288 , H01L31/075 , H01L31/1804 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： The invention concerns a method for producing a semi-conducting device comprising at least a layer doped with a doping agent and a layer of another type deposited on said doped layer in a single reaction chamber. The deposition steps of these layers are separated by an operation for avoiding the contamination by the doping agent of said another layer. Advantageously, said operation comprises a dosing of the reaction chamber with a compound able to react with the doping agent.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造半导体器件的方法，该半导体器件至少包括掺杂有掺杂剂的层和在单个反应室中沉积在所述掺杂层上的另一种类型的层。通过用于避免所述另一层的掺杂剂污染的操作来分离这些层的沉积步骤。有利地，所述操作包括用能够与掺杂剂反应的化合物对反应室进行计量。

3. 发明申请

WO2009098662A1 LONG LIFETIME SYSTEM FOR THE GENERATION OF SURFACE PLASMAS 审中-公开
标题翻译：用于表面等离子体生成的长寿命系统
公开(公告)号：WO2009098662A1
公开(公告)日：2009-08-13
申请号：PCT/IB2009/050489
申请日：2009-02-06
申请人： ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE (EPFL) , PAVON, Samantha , DORIER, Jean-Luc , HOLLENSTEIN, Christoph , LEYLAND, Penelope , OTT, Peter , SUBLET, Alban
发明人： PAVON, Samantha , DORIER, Jean-Luc , HOLLENSTEIN, Christoph , LEYLAND, Penelope , OTT, Peter , SUBLET, Alban
IPC分类号： H05H1/24
CPC分类号： H05H1/2406
摘要： The invention concerns a system of electrodes for generating a surface dielectric barrier discharge totally encapsulated in a ceramic dielectric, using co-fireable ceramic technology (ceramic tapes, LTCC, HTCC, green tapes). The plasma generation device can be built not only flat but also curved, for integration on flat or curved surfaces of any material, even metallic. The system can sustain voltages of the order of 1OkV or higher, and can be run continuously for very long times thanks to its high thermal and chemical resistance (typically several tens of hours). More specifically, the system can generate plasmas in gases, including air, at atmospheric pressures down to pressures of about 0.1 bars. The plasma can also be sustained in high speed gas flows, up to Mach 1.2. This aspect allows the system to be used for airflow control or plasma-aided combustion in addition to the surface or gas treatment applications.
摘要翻译：本发明涉及一种电极系统，用于使用可共烧陶瓷技术（陶瓷带，LTCC，HTCC，绿带）产生完全封装在陶瓷电介质中的表面电介质势垒放电。等离子体产生装置不仅可以平坦地构建，而且可以弯曲，以便整合到任何材料的平坦或弯曲表面上，甚至是金属的。该系统可以维持10kV以上的电压，并且由于其高耐热和耐化学性（通常几十小时），可以连续运行很长时间。更具体地说，该系统可以在大气压力至约0.1巴的压力下产生包括空气在内的气体等离子体。等离子体也可以持续高速气流，达到马赫1.2。除了表面或气体处理应用之外，这一方面允许该系统用于气流控制或等离子体辅助燃烧。

4. 发明申请

WO2004038774A3 METHOD FOR PRODUCING SEMI-CONDUCTING DEVICES AND DEVICES OBTAINED WITH THIS METHOD 审中-公开
公开(公告)号：WO2004038774A3
公开(公告)日：2004-05-06
申请号：PCT/CH2003/000685
申请日：2003-10-22
申请人： UNAXIS BALZERS LTD. , KROLL, Ulrich , BUCHER, Cédric , SCHMITT, Jacques , POPPELLER, Markus , HOLLENSTEIN, Christoph , BALLUTAUD, Juliette , HOWLING, Alan
发明人： KROLL, Ulrich , BUCHER, Cédric , SCHMITT, Jacques , POPPELLER, Markus , HOLLENSTEIN, Christoph , BALLUTAUD, Juliette , HOWLING, Alan
IPC分类号： C23C16/44
摘要： The invention concerns a method for producing a semi-conducting device comprising at least a layer doped with a doping agent and a layer of another type deposited on said doped layer in a single reaction chamber. The deposition steps of these layers are separated by an operation for avoiding the contamination by the doping agent of said another layer. Advantageously, said operation comprises a dosing of the reaction chamber with a compound able to react with the doping agent.

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