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    • 9. 发明申请
    • ORGANISCHER TRANSISTOR MIT SELBSTJUSTIERENDER GATE-ELEKTRODE UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
    • 带门的自我铅和方法有机晶体管ITS
    • WO2005069399A1
    • 2005-07-28
    • PCT/DE2005/000039
    • 2005-01-13
    • POLYLC GMBH & CO. KGFIX, WalterFICKER, Jürgen
    • FIX, WalterFICKER, Jürgen
    • H01L51/20
    • H01L51/0541H01L21/31116H01L21/32136H01L51/002H01L51/0021
    • Die vorliegende Erfindung betrifft einen organischen Transistor und ein Verfahren zum Herstellen des organischen Transistors. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung einen organischen Transistor mit selbstjustierender Gate-Elektrode bzw. ein Verfahren zur Herstellung dieses organischen Transistors. Für die Herstellung des erfindungsgemässen organischen Transistors wird ein Substrat bereitgestellt, auf dem eine unstrukturierte Halbleiterschicht aufgebracht ist, auf der wiederum eine Isolatorschicht angeordnet ist. Zumindest die Isolatorschicht wird strukturiert, so dass anschliessend zumindest Source- und Drain-Elektroden-Schichten gebildet werden können. Die Bildung der Source- und Drain-Elektroden-Schichten nach der Strukturierung von zumindest der Isolatorschicht gewährleistet, dass eine Überlappung von sowohl einer Gate-Elektroden-Schicht als auch der Source- und Drain-Elektroden-Schichten im Wesentlichen vermieden wird.
    • 本发明涉及一种有机晶体管以及制造该有机晶体管的方法。 特别地,本发明涉及具有自对准栅极电极上的有机晶体管及其制造该有机晶体管的方法。 对于本发明的有机晶体管的制备中,将基板设置在其上覆盖的半导体层被施加,反过来,绝缘体层设置在所述。 至少所述绝缘层被图案化,使得随后,可以形成至少源和漏电极层。 源的图案化之后形成和漏电极层的至少所述绝缘体层确保两者的栅电极层与源和漏电极层的重叠基本上避免。