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1. 发明申请

WO2006013160A3 RESISTIVE MEMORY 审中-公开
标题翻译：电阻式工作记忆
公开(公告)号：WO2006013160A3
公开(公告)日：2006-10-05
申请号：PCT/EP2005053546
申请日：2005-07-21
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , WALTER ANDREAS , SEZI RECAI , ENGL REIMUND , MALTENBERGER ANNA , SCHUMANN JOERG , WEITZ THOMAS
发明人： WALTER ANDREAS , SEZI RECAI , ENGL REIMUND , MALTENBERGER ANNA , SCHUMANN JOERG , WEITZ THOMAS
IPC分类号： H01L51/30 , H01L27/28
CPC分类号： H01L51/0052 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , H01B1/121 , H01L27/11502 , H01L27/285 , H01L51/0036 , H01L51/0051
摘要： The invention relates to novel memory cells, comprising two electrodes and a layer arranged between the same, made from an active material, comprising (a) a compound of the structure given in general formula (I), where R 1 to R 2 independently = -H, -(CH 2 ) m CH 3 , -phenyl, -O-(CH 2 ) m CH 3 , -O-phenyl, -S(CH 2 ) m CH 3 , -S-aryl, -NR 3 R 4 , -SR or a halide, where R 1 and R 2 can together form a ring and where R 3 and R 4 independently = -H, preferably 1-10 C alkyl, -aryl, -heteroaryl, m = 0 or a whole number from 1-10 and n = a whole number from 2 to 1000 and (b) a compound of general formula (II): where R 5 to R 12 independently = -H, -(CH 2 ) m CH 3 , -phenyl, -0-(CH 2 ) m CH 3 , -O-phenyl, -CO(CH 2 ) m CH 3 , -halogen, -CN and/or -NO 2 , where R 5 and R 6 , or R 6 and R 7 , R 7 and R 8 , R 9 and R 10 , R 10 and R 11 and/or R 11 and R 12 can together form a ring, m having the meaning already given. The invention further relates to a method for production of said cells and the novel application of a composition which may be used as active material for the memory cells.
摘要翻译：有提供具有两个电极新存储单元和活性物质的包含（a）通式（I）的化合物所示结构的插层：（I）其中R _{1 至R _{2 彼此独立地可以具有下列含义：-H， - （CH _{2 ）_{米 CH _{3 ， - 苯基，-O-（CH _{2 ）_{米 CH _{3 ，-O-苯基，-S（CH _{2 ）_{米 CH _{3 ，-S-芳基，-NR _{3 - [R _{4 ，-SR或卤素原子，其中R _{1 和R _{2 可一起形成环，和其中R _{3 和R _{4 独立地 -H，烷基，优选表示具有1-10个碳原子，芳基，杂芳基，m为0或在1-10范围内的整数，n = a是整数2至1000 ; 和（b）通式（II）化合物：其中R _{5 至R _{12 彼此独立地可以具有下列含义：-H， - （CH _{2 ）_{米 CH _{3 ，苯基，-O-（CH _{2 ）_{米 CH < SUB> 3 ，-O-苯基， - CO（CH _{2 ）_{米 CH _{3 ， - 卤素，-CN，和 /或-NO _{2 其中R _{5 和R _{6 或R _{6 和R _{7 < / SUB>，R _{7 和R _{8 ，R _{9 和R _{10 ，R _{10 < / SUB>和R _{11 和/或R _{11 和R _{12 可以一起形成一个环，其中m具有上面给出的含义，其包括，此外，提供了用于制备本发明的细胞的方法和新的使用，其可被用作用于存储单元中的活性物质的组合物。}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}

2. 发明申请

WO2004031247A1 PENTAARYLCYCLOPENTADIENYLEINHEITEN ALS AKTIVE EINHEITEN IN RESISTIVEN SPEICHERELEMENTEN 审中-公开
标题翻译： PENTAARYLCYCLOPENTADIENYLEINHEITEN为活动单位的电阻式存储器元件
公开(公告)号：WO2004031247A1
公开(公告)日：2004-04-15
申请号：PCT/DE2003/002994
申请日：2003-09-09
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , SCHMID, Günter , KLAUK, Hagen , HALIK, Marcus , ENGL, Reimund , WALTER, Andreas
发明人： SCHMID, Günter , KLAUK, Hagen , HALIK, Marcus , ENGL, Reimund , WALTER, Andreas
IPC分类号： C08F8/02
CPC分类号： C08F8/02 , H01L27/28 , H01L51/004
摘要： Die Erfindung betrifft Polymere, welche einen resistiven Hystereseeffekt zeigen. Die Polymere umfassen ein Polymerrückgrat, an welches seitenständig Pentaarylcyclopentadienylreste gebunden sind. Mit Hilfe des Polymers lässt sich ein resistives Speicherelement herstellen, welches als Speichermedium das Polymer enthält. Durch Anlegen einer Spannung lässt sich das Speicherelement zwischen einem nicht leitendem und einem leitendem Zustand schalten.
摘要翻译：本发明涉及一种显示出磁滞电阻的聚合物。的聚合物包括其上连接有侧基pentaarylcyclopentadienyl自由基的聚合物主链。与聚合物的帮助下，一个电阻式存储器元件可以被制造，其包含作为存储介质的聚合物。通过将电压施加到非导通和导通状态之间的存储器元件可以被切换。

3. 发明申请

WO2005053027A1 HALBLEITERANORDNUNG MIT NICHTFLÜCHTIGEN SPEICHERN 审中-公开
标题翻译：具有非易失性存储器半导体器件
公开(公告)号：WO2005053027A1
公开(公告)日：2005-06-09
申请号：PCT/DE2004/002601
申请日：2004-11-24
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , SEZI, Recai , WALTER, Andreas , ENGL, Reimund , MALTENBERGER, Anna , DEHM, Christine , SITARAM, Arkalgud , KASKO, Ihar , NÜTZEL, Joachim , KRIZ, Jakob , MIKOLAJICK, Thomas , PINNOW, Cay-Uwe
发明人： SEZI, Recai , WALTER, Andreas , ENGL, Reimund , MALTENBERGER, Anna , DEHM, Christine , SITARAM, Arkalgud , KASKO, Ihar , NÜTZEL, Joachim , KRIZ, Jakob , MIKOLAJICK, Thomas , PINNOW, Cay-Uwe
IPC分类号： H01L27/00
CPC分类号： H01L51/0036 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , H01L27/28 , H01L51/0051 , H01L51/0062 , H01L51/0595
摘要： Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung mit mindestens einer nichtflüchtigen Speicherzelle, die eine erste Elektrode, die mindestens aus zwei Lagen besteht aufweist; und mit einem organischen Material, wobei das organische Material mit der im unmittelbaren Kontakt stehenden Lage der ersten Elektrode eine Verbindung bildet. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zur Herstellung der nichtflüchtigen Speicherzelle, eine Halbleiteranordnung mit einer Mehrzahl von erfindungsgemäßen Speicherzellen und ein Verfahren zur deren Herstellung.
摘要翻译：本发明涉及一种具有至少一个非易失性存储单元的半导体器件，其包括第一电极，其由至少两个层; 并且其中，所述有机材料形成与有机材料，在第一电极的直接接触层属性具有连接。本发明还涉及一种用于制造非易失性存储器单元，根据本发明的和用于制备它们的方法具有多个存储器单元的半导体器件。

4. 发明申请

WO2006013160A2 RESISTIV ARBEITENDER SPEICHER 审中-公开
标题翻译：电阻式工作记忆
公开(公告)号：WO2006013160A2
公开(公告)日：2006-02-09
申请号：PCT/EP2005/053546
申请日：2005-07-21
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , WALTER, Andreas , SEZI, Recai , ENGL, Reimund , MALTENBERGER, Anna , SCHUMANN, Jörg , WEITZ, Thomas
发明人： WALTER, Andreas , SEZI, Recai , ENGL, Reimund , MALTENBERGER, Anna , SCHUMANN, Jörg , WEITZ, Thomas
IPC分类号： H01L51/30
CPC分类号： H01L51/0052 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , H01B1/121 , H01L27/11502 , H01L27/285 , H01L51/0036 , H01L51/0051
摘要： Es werden neue Speicherzellen bereitgestellt, die zwei Elektroden aufweisen und eine dazwischen angeordnete Schicht aus einem aktiven Material, das (a) eine Verbindung der in der allgemeinen Formel (I) bezeichneten Struktur: (allgemeine Formel I) wobei R 1 bis R 2 unabhängig voneinander folgende Bedeutung haben können: -H, -(CH 2 ) m CH 3 , -Phenyl , -O-(CH 2 ) m CH 3 , -O-Phenyl, -S(CH 2 ) m CH 3 , -S-Aryl, -NR 3 R 4 , -SR oder ein Halogenatom, wobei R 1 und R 2 zusammen ein Ring bilden können, und wobei R 3 und R 4 unabhängig voneinander -H, Alkyl, vorzugsweise mit 1-10 C- Atomen, -Aryl, -Heteroaryl bedeuten, m 0 oder eine ganze Zahl im Bereich von 1-10 ist und n eine ganze Zahl im Bereich von 2 bis 1000 ist; und (b) eine Verbindung der allgemeinen Formel II: (allgemeine Formel II) wobei R 5 bis R 12 unabhängig voneinander folgende Bedeutung haben können: -H, -(CH 2 ) m CH 3 , -Phenyl, -0-(CH 2 ) m CH 3 , -O-Phenyl, -CO(CH 2 ) m CH 3 , -Halogen, -CN und/oder -NO 2 wobei R 5 und R 6 bzw. R 6 und R 7 , R 7 und R 8 , R 9 und R 10 , R 10 und R 11 und/oder R 11 und R 12 zusammen ein Ring bilden können, wobei m die vorstehend genannte Bedeutung hat, aufweist. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung der erfindungsgemäßen Zellen bereitgestellt sowie die neue Verwendung einer Zusammensetzung, die als aktives Material für die Speicherzellen verwendet werden kann.
摘要翻译：有提供具有两个电极新存储单元和活性物质，其包含插入的层（a）通式（I）指定结构（通式I），其中R _{1 至R _{2 可以具有以下含义彼此独立地：H， - （CH _{2 ）_{米 CH _{3 ，苯基，-O-（CH _{2 ）_{米 CH _{3 ，-O-苯基，-S（CH _{2 ）_{米 CH _{3 ，-S-芳基，-NR _{3 - [R _{4 ，-SR 或卤素原子，其中R _{1 和R _{2 可一起形成环，和其中R _{3 和R _{4 独立地是H，烷基，优选具有1-10个C原子的芳基，杂芳基，m为0或在1-10范围内的整数，和n是整数2至1000; 和（b）的化合物通式II：（通式II）其中R _{5 至R _{12 彼此独立地可以具有下列含义：-H， - （CH < SUB> 2 ）_{米 CH _{3 ，苯基，-O-（CH _{2 ）_{米 CH _{3 ，-O-苯基， - CO（CH _{2 ）_{米 CH _{3 ， - 卤素， -CN和/或-NO _{2 其中R _{5 和R _{6 或R _{6 和R _{7 ，R _{7 和R _{8 ，R _{9 和R _{10 ，R _{10 和R _{11 和/或R _{11 和R _{12 可以一起形成环，其中如上所定义米有，有。此外，提供了用于制备本发明的细胞的方法和新的使用，其可被用作用于存储单元中的活性物质的组合物。}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}

5. 发明申请

WO2006013138A1 VERFAHREN ZUR BILDUNG VON SPEICHERSCHICHTEN 审中-公开
标题翻译：方法的形成存储层
公开(公告)号：WO2006013138A1
公开(公告)日：2006-02-09
申请号：PCT/EP2005/053144
申请日：2005-07-01
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , ENGL, Reimund , SCHUMANN, Jörg , WALTER, Andreas , SEZI, Recai , MALTENBERGER, Anna
发明人： ENGL, Reimund , SCHUMANN, Jörg , WALTER, Andreas , SEZI, Recai , MALTENBERGER, Anna
IPC分类号： H01L51/40
CPC分类号： G11C13/0014 , B82Y10/00 , G11C2213/11 , H01L51/0003 , H01L51/0036 , H01L51/0051 , H01L51/0062
摘要： Der Gegenstand der vorliegenden Anmeldung ist ein Verfahren zur Herstellung von Schichten bestehend aus einer ersten Schicht aus einem Metall und einer zweiten Schicht einer organischen Verbindung, wobei das Metall und die organische Verbindung eine Wechselwirkung eingehen, so dass die Schicht als elektroaktive Schicht für nichtflüchtige Speicher dient, wobei die Metallschicht auf ein Substrat abgeschieden und gegebenenfalls strukturiert wird, anschließend mit einer organischen Verbindung beschichtet wird und mit einer zweiten organischen Verbindung behandelt wird.
摘要翻译：本申请的主题是一种用于生产由金属构成的第一层和有机化合物的第二层，其中所述金属和有机化合物进行相互作用的层的方法，从而使该层作为非易失性存储器的电活性层中使用其中，所述金属层沉积在基板上，并且任选地结构化的，然后涂有有机化合物和与第二有机化合物处理。

6. 发明申请

WO2005034172A3 MATERIAL AND CELL STRUCTURE FOR MEMORY APPLICATIONS 审中-公开
标题翻译：材料和细胞结构用于存储器应用
公开(公告)号：WO2005034172A3
公开(公告)日：2005-08-18
申请号：PCT/EP2004010924
申请日：2004-09-30
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , SEZI RECAI , WALTER ANDREAS , ENGL REIMUND , MALTENBERGER ANNA , SCHUMANN JOERG
发明人： SEZI RECAI , WALTER ANDREAS , ENGL REIMUND , MALTENBERGER ANNA , SCHUMANN JOERG
IPC分类号： C07C50/04 , C07C50/12 , C07C255/56 , C07D409/04 , C09D5/25 , H01L27/28 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/20
CPC分类号： H01L51/0595 , B82Y10/00 , H01L51/0051
摘要： The invention relates to compositions for memory applications, a memory cell comprising said composition along with two electrodes, a method for producing microelectronic components, and the use of the inventive composition during the production of said microelectronic components.
摘要翻译：本发明涉及用于存储应用的组合物，涉及包含上述组合物和两个电极的存储单元，并且还涉及一种用于制造微电子元件以及根据本发明在微电子元件的制造中使用所述组合物。

7. 发明申请

WO2005034172A2 MATERIAL UND ZELLENAUFBAU FÜR SPEICHERANWENDUNGEN 审中-公开
标题翻译：存储应用的材料和细胞设置
公开(公告)号：WO2005034172A2
公开(公告)日：2005-04-14
申请号：PCT/EP2004/010924
申请日：2004-09-30
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , SEZI, Recai , WALTER, Andreas , ENGL, Reimund , MALTENBERGER, Anna , SCHUMANN, Jörg
发明人： SEZI, Recai , WALTER, Andreas , ENGL, Reimund , MALTENBERGER, Anna , SCHUMANN, Jörg
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L51/0595 , B82Y10/00 , H01L51/0051
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft Zusammensetzungen für Speicheranwendungen, betrifft eine Speicherzelle, die die vorgenannte Zusammensetzung und zwei Elektroden umfasst und betrifft weiterhin ein Verfahren zur Herstellung von mikroelektronischen Bauteilen sowie die Verwendung der erfindungsgemäßen Zusammensetzung bei der Herstellung dieser mikroelektrischen Bauteile.
摘要翻译：
本发明涉及一种用于导航用途ř存储应用的组合物，涉及包含上述组合物和两个电极的存储单元，并且还涉及用于制备微电子元件的，以及使用本发明＆AUML的过程;道路烯组合物在制造这些微电子组件。

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