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1. 发明申请

WO2011086490A1 ÜBERWACHUNGSVORRICHTUNG UND VERFAHREN FÜR EIN IN-SITU MESSEN VON WAFERDICKEN ZUM ÜBERWACHEN EINES DÜNNENS VON HALBLEITERWAFERN SOWIE DÜNNUNGSVORRICHTUNG MIT EINER NASSÄTZEINRICHTUNG UND EINER ÜBERWACHUNGSVORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：监测设备和方法用于原位测量硅片厚度用于监测变薄半导体晶片和DÜNNUNGSVORRICHTUNGWITH ANASSÄTZEINRICHTUNG和监控设备
公开(公告)号：WO2011086490A1
公开(公告)日：2011-07-21
申请号：PCT/IB2011/050091
申请日：2011-01-10
申请人： PRECITEC OPTRONIK GMBH , DUSEMUND PTE. LTD. , DUSEMUND, Claus , SCHÖNLEBER, Martin , MICHELT, Berthold , DIETZ, Christoph
发明人： DUSEMUND, Claus , SCHÖNLEBER, Martin , MICHELT, Berthold , DIETZ, Christoph
IPC分类号： G01B11/06 , H01L21/00
CPC分类号： H01L21/6708 , G01N21/55 , G01N21/9501 , H01L21/67023
摘要： Erfindungsgemäß wird eine Überwachungsvorrichtung (12) zum Überwachen eines Dünnens mindestens eines Halbleiterwafers(4) in einer Nassätzeinrichtung (5) geschaffen, wobei die Überwachungs Vorrichtung (12) eine Lichtquelle (14), ausgebildet zum Emittieren kohärenten Lichts eines Lichtwellenbandes, für das der Halbleiterwafer (4) optisch transparent ist, aufweist. Weiterhin weist die Überwachungsvorrichtung (12) einen kontaktfrei zu einer zu ätzenden Oberfläche des Halbleiterwafers (4) angeordneten Messkopf (13) auf, wobei der Messkopf (13) zum Bestrahlen des Halbleiterwafers (4) mit dem kohärenten Licht des Lichtwellenbandes und zum Empfangen einer von dem Halbleiterwafer (4) reflektierten Strahlung (16) ausgebildet ist. Darüber hinaus weist die Überwachungsvorrichtung (12) ein Spektrometer (17) und einen Strahlteiler, über den das kohärente Licht des Lichtwellenbandes auf den Messkopf (13) und die reflektierte Strahlung auf das Spektrometer (17) gelenkt wird, auf. Des weiteren weist die Überwachungsvorrichtung (12) eine Auswerteeinheit (18) auf, wobei die Auswerteeinheit (18) zum Ermitteln einer Dicke d(t) des Halbleiterwafers (4) aus der von dem Halbleiterwafer (4) re¬ flektierten Strahlung (16) während des Dünnens des Halbleiterwafers (4) mittels eines Verfahrens, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus einem lD-se FDOCT- Verfahren, einem lD-te FDOCT- Verfahren und einem lD-se TDOCT-Verfahren, ausgebildet ist.
摘要翻译：根据本发明，用于监测变薄的监视装置（12）设置至少一个半导体晶片（4）在一个Nassätzeinrichtung（5），其中所述监测装置（12）的光源（14），适合于发射光波段的相干光的量，半导体晶片（4）是光学透明的，具有。此外，监控装置（12）包括在一个表面的非接触式的待蚀刻的半导体晶片（4）布置在所述测量头（13），其特征在于，所述测量头（13），用于与所述光波段的相干光照射半导体晶片（4）和用于接收的一个将半导体晶片（4）反射的辐射（16）形成。此外，监控装置（12），光谱仪（17）和一个分束器，通过该光波段测量头（13）和反射的辐射的光谱（17）的相干光被引导到。此外，用于从半导体晶片的确定所述半导体晶片（4）的厚度d（t）的监控设备（12），评估单元（18），其中所述评估单元（18）（4）re¬期间屈折辐射（16）是半导体晶片（4）的由选自LD本身FDOCT-法，LD个FDOCT-方法和LD本身TDOCT方法的组中选择的方法来在减薄形成。

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