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1. 发明申请

WO2009071596A1 TESTEN VON MECHANISCH-ELEKTRISCHEN EIGENSCHAFTEN MIKROELEKTRO-MECHANISCHER SENSOREN (MEMS) 审中-公开
标题翻译：力学性能ELECTRIC MICRO机电传感器测试（MEMS）
公开(公告)号：WO2009071596A1
公开(公告)日：2009-06-11
申请号：PCT/EP2008/066734
申请日：2008-12-03
申请人： X-FAB Semiconductor Foundries AG , HERING, Siegfried , DOEHNEL, Jochen
发明人： HERING, Siegfried , DOEHNEL, Jochen
IPC分类号： B81C5/00
CPC分类号： B81C99/005 , B81B2201/0257
摘要： Die Erfindung soll ein Testen akustischer mikroelektromechanischer Sensoren ermöglichen. Vorgeschlagen wird dazu eine Testvorrichtung für die mechanisch-elektrischen Eigenschaften von mikroelektro-mechanischen Sensoren (MEMS), die mechanisch schwingfähige Teile enthalten und sich in einer Vielzahl auf einem Trägersubstrat (1) befinden. Die Testvorrichtung (4) hat eine Prüfkarte und es sind über elektrische Verbindungen mit der Prüfkarte verbundene Kontaktnadeln (5) zum Aufsetzen auf Kontaktinseln der mikroelektro-mechanischen Sensoren vorgesehen. Eine in einem vordefinierten Abstand zum Trägersubstrat (1) positionierbare Schallquelle (6) ist zugegen. Ein Referenzsensor (7) befindet sich in einem bestimmten Abstand von der Schallquelle (6). Vorgesehen sind Schallführungskanäle, ausgebildet für eine Schallübertragungs-Verbindung zwischen der Schallquelle (6), einem der mikroelektro-mechanischen Sensoren auf dem Trägersubstrat (1) und dem Referenzsensor (7). Dieser Aufbau ist mechanisch robust und damit stör-unanfällig. Ein schwingungsgedämpftes Verhalten der Schallquelle in Bezug auf von außerhalb einwirkende Schwingungen ist möglich. Dadurch werden entsprechende Störungen durch mechanische Schwingungen der Umgebung der Schallquelle verringert.
摘要翻译：本发明的目的是使声音微机电传感器的测试。含有机械地振动的部件和支撑衬底上的多个延伸的微机电传感器（MEMS）的机械和电气性能的测试设备（1）向其中提出。测试装置（4）具有一探针卡并用与连接到接触销（5）将被放置在微机电传感器的接触垫的探针卡的电连接被提供。一个在所述载体基片的预定距离（1）定位的声音源（6）的存在。参考传感器（7）位于距所述声源（6）的一定距离。提供的是声音引导信道的声源之间的声学传输连接（6）形成，所述载体基板（1）和参考传感器上的微机电传感器中的一个（7）。这种结构是机械上坚固的和鲟鱼不敏感。在从外部作用的振动而言声源的振动阻尼特性是可能的。其特征在于这样的中断是由围绕所述声源的机械振动减小。

2. 发明申请

WO2006108827A3 PRODUCTION OF VDMOS-TRANSISTORS HAVING OPTIMISED GATE CONTACT 审中-公开
标题翻译：具有改进的GATEKONTAKTIERUNG制造VDMOS晶体管
公开(公告)号：WO2006108827A3
公开(公告)日：2007-02-01
申请号：PCT/EP2006061497
申请日：2006-04-10
申请人： X FAB SEMICONDUCTOR FOUNDRIES , DOEHNEL JOCHEN , HERING SIEGFRIED
发明人： DOEHNEL JOCHEN , HERING SIEGFRIED
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66727 , H01L29/7811
摘要： The invention relates to a method for producing VDMOS-Transistors in which a layer arrangement and the method sequence make it possible to set up an improved gate contact simultaneously with the production of source and gate contacts by means of a single punctured mask (photo mask).
摘要翻译：本发明涉及一种用于制备VDMOS晶体管，在由一个特定的层排列和处理序列提供了，以确保只有改进的接触孔掩模（光掩模）Gatekontaktierung在同时生产的使用源极和栅极触点来实现的。

3. 发明申请

WO2006108827A2 HERSTELLUNG VON VDMOS-TRANSISTOREN MIT OPTIMIERTER GATEKONTAKTIERUNG 审中-公开
标题翻译：具有改进的GATEKONTAKTIERUNG制造VDMOS晶体管
公开(公告)号：WO2006108827A2
公开(公告)日：2006-10-19
申请号：PCT/EP2006/061497
申请日：2006-04-10
申请人： X-FAB SEMICONDUCTOR FOUNDRIES AG , DOEHNEL, Jochen , HERING, Siegfried
发明人： DOEHNEL, Jochen , HERING, Siegfried
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66727 , H01L29/7811
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von VDMOS-Transistoren, bei dem durch eine bestimmte Schichtenanordnung und Verfahrensabfolge dafür gesorgt wird, dass bei der gleichzeitigen Herstellung von Source- und Gatekontakten unter Verwendung nur einer Kontaktlochmaske (Fotomaske) eine verbesserte Gatekontaktierung erzielt wird.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制备VDMOS晶体管，在由一个特定的层排列和处理序列提供了，以确保只有改进的接触孔掩模（光掩模）Gatekontaktierung在同时生产的使用源极和栅极触点来实现的。

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