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1. 发明申请

WO2009138138A2 METHOD FOR PRODUCING CHIPS 审中-公开
标题翻译：用于生产CHIPS
公开(公告)号：WO2009138138A2
公开(公告)日：2009-11-19
申请号：PCT/EP2008066593
申请日：2008-12-02
申请人： BOSCH GMBH ROBERT , KRAMER TORSTEN , BOEHRINGER MATTHIAS , PINTER STEFAN , BENZEL HUBERT , ILLING MATTHIAS , HAAG FRIEDER , ARMBRUSTER SIMON
发明人： KRAMER TORSTEN , BOEHRINGER MATTHIAS , PINTER STEFAN , BENZEL HUBERT , ILLING MATTHIAS , HAAG FRIEDER , ARMBRUSTER SIMON
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： H01L25/50 , B81C1/0038 , B81C2201/0191 , H01L21/02002 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L2224/05599 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/0105 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941
摘要： The invention relates to a method for producing chips (1, 2), whereby at least one membrane (11, 12) is produced in the surface layer of a semiconductor substrate (10), said membrane spanning a cavity (13). The functionality of the chip (1, 2) is then integrated into the membrane (11, 12). In order to subdivide the chip (1, 2), the membrane (11, 12) is detached from the substrate composite. The method according to the invention is characterized by metalizing the back of the chip in an electroplating process before the chip (1, 2) is detached.
摘要翻译：提供了一种用于生产的芯片（1,2）已经提出，其中最初在一个半导体衬底（10）的至少一个膜（11，12）的表面层中产生跨越的空腔（13）。接着，将芯片的功能（1，2）在所述膜（11，12）被集成。以单个模具（1，2），所述隔膜（11，12）从所述复合衬底释放。根据本发明，该芯片回之前剥离用芯片（1，2）被金属化在电镀工艺中的复合衬底上。

2. 发明申请

WO2009138138A3 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON CHIPS 审中-公开
公开(公告)号：WO2009138138A3
公开(公告)日：2009-11-19
申请号：PCT/EP2008/066593
申请日：2008-12-02
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , KRAMER, Torsten , BOEHRINGER, Matthias , PINTER, Stefan , BENZEL, Hubert , ILLING, Matthias , HAAG, Frieder , ARMBRUSTER, Simon
发明人： KRAMER, Torsten , BOEHRINGER, Matthias , PINTER, Stefan , BENZEL, Hubert , ILLING, Matthias , HAAG, Frieder , ARMBRUSTER, Simon
IPC分类号： B81C1/00
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung von Chips (1, 2) vorgeschlagen, bei dem zunächst in der Oberflächenschicht eines Halbleitersubstrats (10) mindestens eine Membran (11, 12) erzeugt wird, die eine Kaverne (13) überspannt. Anschließend wird die Funktionalität des Chips (1, 2) in die Membran (11, 12) integriert. Um den Chip (1, 2) zu vereinzeln, wird die Membran (11, 12) aus dem Substratverbund gelöst. Erfindungsgemäß soll die Chiprückseite vor dem Herauslösen des Chips (1, 2) aus dem Substratverbund in einem Galvanikprozess metallisiert werden.

3. 发明申请

WO2009033871A1 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER VIELZAHL VON CHIPS UND ENTSPRECHEND HERGESTELLTER CHIP 审中-公开
标题翻译：用于生产芯片中的品种，相应地做出CHIP
公开(公告)号：WO2009033871A1
公开(公告)日：2009-03-19
申请号：PCT/EP2008/059688
申请日：2008-07-24
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , KRAMER, Torsten , BOEHRINGER, Matthias , PINTER, Stefan , BENZEL, Hubert , ILLING, Matthias , HAAG, Frieder , ARMBRUSTER, Simon
发明人： KRAMER, Torsten , BOEHRINGER, Matthias , PINTER, Stefan , BENZEL, Hubert , ILLING, Matthias , HAAG, Frieder , ARMBRUSTER, Simon
IPC分类号： H01L21/78 , B81C1/00
CPC分类号： H01L21/78 , B81C1/00896 , B81C2201/053
摘要： Mit der vorliegenden Erfindung wird ein Herstellungsverfahren für Chips vorgeschlagen, bei dem möglichst viele Verfahrensschritte im Waferverbund, also parallel für eine Vielzahl von auf einem Wafer angeordneten Chips, durchgeführt werden. Es handelt sich dabei um ein Verfahren zum Herstellen einer Vielzahl von Chips, deren Funktionalität ausgehend von der Oberflächenschicht (2) eines Substrats (1) realisiert wird. Bei diesem Verfahren wird die Oberflächenschicht (2) strukturiert und mindestens ein Hohlraum (3) unter der Oberflächenschicht (2) erzeugt, so dass die einzelnen Chipbereiche (5) lediglich über Aufhängestege untereinander und/oder mit dem übrigen Substrat (1) verbunden sind, und/oder so dass die einzelnen Chipbereiche (5) über Stützelemente (7) im Bereich des Hohlraums (3) mit der Substratschicht (4) unterhalb des Hohlraums (3) verbunden sind. Beim Vereinzeln der Chips werden die Aufhängestege und/oder Stützelemente (7) aufgetrennt. Erfindungsgemäß wird die strukturierte und unterhöhlte Oberflächenschicht (2) des Substrats (1) vor dem Vereinzeln der Chips in eine Kunststoffmasse (10) eingebettet.
摘要翻译：与本发明的芯片的制造方法，提出了其中在晶片装配尽可能多的工艺步骤，所以并行设置，用于在晶片上的多个芯片中执行。这是一种用于制造多个芯片，其功能，从（1）实现的衬底的表面层（2）开始的方法。在该方法中，产生在表面层（2）的结构和至少一个腔（3）的表面层下面（2）中，以使得单独的芯片区域（5）仅经由悬架腹板之间彼此和/或与基板（1）的其余部分相连接，和/或使得各个芯片区域（5）的支承元件（7）在空腔（3）与腔下方的基板层（4）的区域（3）。在芯片的分离，悬浮液纤维网和/或支撑元件（7）是分离的。根据本发明，该芯片在一个塑料的质量（10）在分离前的基板（1）的图案化和底切表面层（2）被嵌入。

4. 发明申请

WO2008110401A1 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM ERZEUGEN EINER PORÖSEN SCHICHT AUF EINEM HALBLEITERTRÄGER 审中-公开
标题翻译：方法和设备，用于生成多孔层上具有半导体载体
公开(公告)号：WO2008110401A1
公开(公告)日：2008-09-18
申请号：PCT/EP2008/050940
申请日：2008-01-28
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , KRAMER, Torsten , BOEHRINGER, Matthias , ARTMANN, Hans , ARMBRUSTER, Simon , FEYH, Ando
发明人： KRAMER, Torsten , BOEHRINGER, Matthias , ARTMANN, Hans , ARMBRUSTER, Simon , FEYH, Ando
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/0203
摘要： Mit der vorliegenden Erfindung werden ein Verfahren und eine Vorrichtung (10) vorgeschlagen, womit die Oberfläche eines schwach p-dotierten Halbleiterträgers (20) unter der Randbedingung eines beidseitigen elektrolytischen Kontakts porös geätzt werden kann, ohne dass die Rückseite dieses Halbleiterträgers (20) mit einem ohmschen Kontakt versehen werden muss.
摘要翻译：本发明提出一种方法和一种装置（10），由此，弱p型掺杂的半导体衬底（20）的表面可以被蚀刻双面电解接触的边界条件下多孔，如果没有这种半导体衬底（20）的相反侧具有必须提供欧姆接触。

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