专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2010051982A1 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR PLASMABEHANDLUNG EINES FLACHEN SUBSTRATS 审中-公开
标题翻译：方法和装置等离子处理的平面基底
公开(公告)号：WO2010051982A1
公开(公告)日：2010-05-14
申请号：PCT/EP2009/007905
申请日：2009-11-04
申请人： FRAUNHOFER GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , LEYBOLD OPTICS GMBH , RUHR-UNIVERSITÄT MBH , BECKMAN, Rudolf , GEISLER, Michael , ZEUNER, Arndt , FIEDLER, Marks
发明人： BECKMAN, Rudolf , GEISLER, Michael , ZEUNER, Arndt , FIEDLER, Marks
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32165 , H01J37/32091
摘要： Verfahren und Vorrichtung zur Plasmabehandlung eines Substrats in einer Plasmavorrichtung, wobei - das Substrat (110) zwischen einer Elektrode (112) und einer Gegenelektrode (108) mit einem Abstand d zwischen einem zu behandelnden Oberflächenbereich des Substrats und der Elektrode angeordnet wird, - zwischen der Elektrode (112) und der Gegenelektrode (108) eine kapazitiv gekoppelte Plasmaentladung mit Bildung eines DC- SeIf - Bias angeregt wird, - in einem Bereich der Plasmaentladung zwischen dem zu behandelnden Oberflächenbereich und der Elektrode mit einem quasineutralen Plasmabulk (114) eine Menge zumindest einer aktivierbaren Gasspezie vorliegt, mit welcher ein zu behandelnder Oberflächenbereich des Substrats beaufschlagt wird, - ist vorgesehen, dass eine Plasmaentladung angeregt wird, - bei der der Abstand d einen Wert aufweist, der vergleichbar ist mit s = se+sg, wobei se eine Dicke einer Plasmarandschicht (119) vor der Elektrode und sg eine Dicke einer Plasmarandschicht (118) vor der zu behandelnden Substratoberfläche bezeichnet oder - bei der der quasineutrale Plasmabulk(114) zwischen dem zu behandelndem Oberflächenbereich und der Elektrode eine lineare Ausdehnung dp mit dp
摘要翻译：一种用于在等离子体装置的基板的等离子体处理方法和装置，其特征在于， - 一个电极（112）和带之间的距离为d的对置电极（108）之间的所述衬底（110）被放置在基板和电极表面区域被处理， - 所述间电极（112）和对置电极（108）与德克·塞夫的形成的电容耦合等离子体放电 - 偏压被激励时， - 在所述表面之间的等离子体放电的区域来进行处理区域和所述电极与准中性等离子体散装（114）的至少一个的量活化Gasspezie存在时，与其中待处理表面被施加在衬底的区域中， - 它提供了一个等离子体放电被激发， - 其中，所述距离D具有一个值，该值相当于S = S + SG，其中知的厚度的在电极的正面等离子体边界层（119）和SG的厚度的等离子体鞘的（118）称为或之前的经处理的基材表面 - 在其中间的准中性等离子体散装（114）要被处理的表面区域和所述电极具有线性膨胀DP DP <1 / 3D，DP

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式