基本信息:
- 专利标题： VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR PLASMABEHANDLUNG EINES FLACHEN SUBSTRATS
- 专利标题（英）：Method and device for plasma treatment of a flat substrate
- 专利标题（中）：方法和装置等离子处理的平面基底
- 申请号：PCT/EP2009/007905 申请日：2009-11-04
- 公开(公告)号：WO2010051982A1 公开(公告)日：2010-05-14
- 发明人： BECKMAN, Rudolf , GEISLER, Michael , ZEUNER, Arndt , FIEDLER, Marks
- 申请人： FRAUNHOFER GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , LEYBOLD OPTICS GMBH , RUHR-UNIVERSITÄT MBH , BECKMAN, Rudolf , GEISLER, Michael , ZEUNER, Arndt , FIEDLER, Marks
- 申请人地址： 80636 München DE
- 专利权人： FRAUNHOFER GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.,LEYBOLD OPTICS GMBH,RUHR-UNIVERSITÄT MBH,BECKMAN, Rudolf,GEISLER, Michael,ZEUNER, Arndt,FIEDLER, Marks
- 当前专利权人： FRAUNHOFER GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.,LEYBOLD OPTICS GMBH,RUHR-UNIVERSITÄT MBH,BECKMAN, Rudolf,GEISLER, Michael,ZEUNER, Arndt,FIEDLER, Marks
- 当前专利权人地址： 80636 München DE
- 代理机构： POHLMANN, Bernd Michael
- 优先权： DE10 20081104; DE10 20090508
- 主分类号： H01J37/32
- IPC分类号： H01J37/32
摘要：
Verfahren und Vorrichtung zur Plasmabehandlung eines Substrats in einer Plasmavorrichtung, wobei - das Substrat (110) zwischen einer Elektrode (112) und einer Gegenelektrode (108) mit einem Abstand d zwischen einem zu behandelnden Oberflächenbereich des Substrats und der Elektrode angeordnet wird, - zwischen der Elektrode (112) und der Gegenelektrode (108) eine kapazitiv gekoppelte Plasmaentladung mit Bildung eines DC- SeIf - Bias angeregt wird, - in einem Bereich der Plasmaentladung zwischen dem zu behandelnden Oberflächenbereich und der Elektrode mit einem quasineutralen Plasmabulk (114) eine Menge zumindest einer aktivierbaren Gasspezie vorliegt, mit welcher ein zu behandelnder Oberflächenbereich des Substrats beaufschlagt wird, - ist vorgesehen, dass eine Plasmaentladung angeregt wird, - bei der der Abstand d einen Wert aufweist, der vergleichbar ist mit s = se+sg, wobei se eine Dicke einer Plasmarandschicht (119) vor der Elektrode und sg eine Dicke einer Plasmarandschicht (118) vor der zu behandelnden Substratoberfläche bezeichnet oder - bei der der quasineutrale Plasmabulk(114) zwischen dem zu behandelndem Oberflächenbereich und der Elektrode eine lineare Ausdehnung dp mit dp
摘要（中）：
一种用于在等离子体装置的基板的等离子体处理方法和装置，其特征在于， - 一个电极（112）和带之间的距离为d的对置电极（108）之间的所述衬底（110）被放置在基板和电极表面区域被处理， - 所述间 电极（112）和对置电极（108）与德克·塞夫的形成的电容耦合等离子体放电 - 偏压被激励时， - 在所述表面之间的等离子体放电的区域来进行处理区域和所述电极与准中性等离子体散装（114）的至少一个的量 活化Gasspezie存在时，与其中待处理表面被施加在衬底的区域中， - 它提供了一个等离子体放电被激发， - 其中，所述距离D具有一个值，该值相当于S = S + SG，其中知的厚度的 在电极的正面等离子体边界层（119）和SG的厚度的等离子体鞘的（118） 称为或之前的经处理的基材表面 - 在其中间的准中性等离子体散装（114）要被处理的表面区域和所述电极具有线性膨胀DP DP <1 / 3D，DP