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    • 2. 发明申请
    • 멀티비트 플래시 메모리 소자 및 플래시 메모리, 그리고 플래시 메모리 소자의 구동 장치 및 방법
    • 多位闪存存储器件和闪速存储器,以及用于驱动闪速存储器件的装置和方法
    • WO2010128698A1
    • 2010-11-11
    • PCT/KR2009/002397
    • 2009-05-07
    • 한양대학교 산학협력단김태환오세웅박상수이대욱
    • 김태환오세웅박상수이대욱
    • H01L27/115G11C16/04
    • G11C16/0408G11C11/56G11C11/5671G11C16/0475G11C16/10H01L27/11568H01L29/66833H01L29/792
    • 멀티비트 플래시 메모리 소자 및 플래시 메모리, 그리고 플래시 메모리 소자의 구동 장치 및 방법이 개시된다. 멀티비트 플래시 메모리 소자는 실리콘 기판, 핀 채널, 제1절연층, 순차적으로 적층된 터널링 절연층, 전하트랩층 및 블로킹 절연층을 포함하는 복수의 유전층, 복수의 제2절연층 및 복수의 게이트를 포함하고, 플래시 메모리는 복수의 플래시 메모리 소자가 N×M의 매트릭스 형태로 배열되어 이루어지며 각각의 메모리 소자는 인접한 메모리 소자와 상기 핀 채널 및 상기 게이트를 공유하여 어레이를 이룬다. 플래시 메모리 소자의 구동 장치는 복수의 게이트 중 제1게이트에 읽기전압을 인가하고 제2게이트에 패스전압을 인가하는 전압 인가부, 읽기전압의 인가에 의해 핀 채널에 흐르는 드레인 전류의 유무를 기초로 플래시 메모리 소자의 상태를 결정하는 상태 판별부 및 플래시 메모리 소자의 상태를 기초로 읽기전압의 크기를 결정하는 제어부를 구비한다. 본 발명에 따르면, 소자의 크기 감소에 따른 단채널 효과를 억제하고, 소자의 집적화 및 저전압, 저파워, 고속 동작을 가능하게 하며, 메모리 소자가 동일한 소자의 면적을 유지하면서 멀티비트로 동작하게 되어 대용량 플래시 메모리 소자의 구현이 가능하다.
    • 公开了一种多位闪存设备和闪存,以及用于驱动闪存设备的设备和方法。 该多位闪存器件包括:硅衬底; 一个引脚通道; 第一绝缘层; 依次累积隧道绝缘层; 多个电介质层包括电荷陷阱层和阻挡绝缘层; 复数第二绝缘层; 和多个门。 以这样的方式形成闪速存储器,使得多个闪存器件以N×M矩阵排列,其中每个存储器件通过与相邻存储器件共享引脚通道和栅极而形成阵列。 用于驱动闪存装置的装置包括:电压施加单元,其分别对多个门中的第一栅极和第二栅极施加读取电压和通过电压; 状态判断单元,其根据通过施加所述读取电压而流入所述引脚通道的漏极电流的存在来确定所述闪存器件的状态; 以及控制器,其根据闪存器件的状态确定读取电压的强度。 根据本发明,实现存储器件可以抑制由于器件尺寸的减小而导致的短沟道效应,并且能够实现器件的集成,低电压,低功率和高速度。 本发明能够通过使存储器件能够在保持相同的器件尺寸的同时多位操作来实现高容量存储器件。