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    • 4. 发明申请
    • 有機トランジスタ及びその製造方法
    • 有机晶体管及其制造方法
    • WO2010010791A1
    • 2010-01-28
    • PCT/JP2009/061837
    • 2009-06-29
    • DIC株式会社高武 正義笠井 正紀米原 祥友高野 聖史
    • 高武 正義笠井 正紀米原 祥友高野 聖史
    • H01L29/786H01L21/336H01L51/05H01L51/30H01L51/40
    • H01L51/0558H01L51/0003H01L51/0007H01L51/0545H01L51/0566
    •  有機半導体を用いる有機トランジスタにおいて、そのトランジスタ特性をより向上させた有機トランジスタ及びその製造方法を提供する。第一に、(a)基板上に、(b)ゲート電極、(c)絶縁層、(d)該絶縁層に接する有機半導体層に形成されたチャネル形成領域及び(e)ソース/ドレイン電極を有する有機トランジスタであって、該有機半導体層にフッ素系化合物(界面活性剤)を含有することを特徴とする有機トランジスタを提供するものである。第二に、有機トランジスタの製造方法であって、絶縁層上に、フッ素系界面活性剤を含有する有機半導体溶液の印刷又は塗布により(d)有機半導体層を形成する工程、又は、(d)フッ素系界面活性剤を含有する有機半導体層上に、印刷又は塗布により絶縁層を形成する工程を有することを特徴とする有機トランジスタの製造方法を提供する。
    • 公开了使用有机半导体并具有改善的晶体管特性的有机晶体管。 还公开了一种用于制造有机晶体管的方法。 有机晶体管包括在(a)衬底上,(b)栅电极,(c)绝缘层,(d)形成在与绝缘层接触的有机半导体层中的沟道形成区和( e)源/漏电极,其特征在于有机半导体层含有含氟化合物(表面活性剂)。 制造有机晶体管的方法的特征在于包括通过印刷或涂布含有含氟表面活性剂的有机半导体溶液在绝缘层上形成有机半导体层(d)的步骤,或者形成绝缘层 通过印刷或涂布在含有氟表面活性剂的有机半导体层(d)上。