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1. 发明申请

WO2006121152A1 ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法、ＩＩＩ族窒化物結晶の製造装置及びＩＩＩ族窒化物結晶审中-公开
标题翻译：生产第三类元素氮化物晶体的方法，用于生产第三类元素氮化物晶体和第三类元素氮化物晶体的方法
公开(公告)号：WO2006121152A1
公开(公告)日：2006-11-16
申请号：PCT/JP2006/309552
申请日：2006-05-12
申请人：株式会社リコー , 皿山正二 , 岩田浩和 , 布施晃広
发明人：皿山正二 , 岩田浩和 , 布施晃広
IPC分类号： C30B29/38 , C30B9/10
CPC分类号： C30B9/12 , C30B29/403 , C30B35/00 , Y10T117/1024
摘要：　ＩＩＩ族金属とフラックスとを含む融液が保持された融液保持容器を反応容器内に収容し、外部から配管を介して前記反応容器内に窒素を含む物質を供給しつつＩＩＩ族窒化物結晶を製造する方法において、前記融液保持容器内でＩＩＩ族窒化物の結晶を成長させるのに先立って、前記配管内に液体の滞留部を形成し、該滞留部によって前記配管を一時的に閉塞する工程を設ける。
摘要翻译：一种用于生产III族元素氮化物晶体的方法，包括：在反应容器中容纳熔融容器，其中包含含有III族金属和助熔剂的熔体; 并且通过管道将含有氮的物质外部供给到反应容器中，其中在熔融容器中生长III族元素氮化物的晶体之前，进行在管道中形成液体停留部分以暂时关闭管道与居住部分。

2. 发明申请

WO2017026196A1 １３族窒化物単結晶の製造方法、および１３族窒化物単結晶の製造装置审中-公开
标题翻译：第13组氮化物单晶的生产方法和13号氮化物单晶的生产装置
公开(公告)号：WO2017026196A1
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：PCT/JP2016/069560
申请日：2016-06-30
申请人：株式会社リコー , 林昌弘 , 皿山正二 , 佐藤隆 , 和田純一 , 三好直哉 , 碓井彰 , 錦織豊
发明人：林　昌弘 , 皿山　正二 , 佐藤　隆 , 和田　純一 , 三好　直哉 , 碓井　彰 , 錦織　豊
IPC分类号： C30B29/38 , C30B19/12 , H01L21/208
CPC分类号： C30B19/12 , C30B29/38 , H01L21/208
摘要：１３族窒化物単結晶（４０）の製造方法は、配置工程と、結晶成長工程と、温度調整工程と、を含む。配置工程は、１３族窒化物結晶からなり結晶成長面の表面粗さＲａが０．１μｍ以上５μｍ以下の種結晶（３０）と、原料と、を、反応容器（５２）内に配置する工程である。結晶成長工程は、原料が溶融して混合融液（２４）となった状態で、混合融液（２４）に窒素を溶解させ結晶成長温度の混合融液（２４）中に配置された種結晶（３０）に１３族窒化物結晶（３２）を成長させる工程である。温度調整工程は、昇温工程および降温工程の少なくとも一方を含む。昇温工程は、配置工程と結晶成長工程との工程間に１５０℃／時間以下の昇温速度で原料を結晶成長温度に昇温する工程である。降温工程は、結晶成長工程の後に１５０℃／時間以下の降温速度で混合融液（２４）を降温する工程である。
摘要翻译： 13族氮化物单晶（40）的制造方法包括配置工序，晶体生长工序和温度调整工序。放置步骤是将反应容器（52）放置在由氮化镓族组合构成的晶体生长面的表面粗糙度Ra为0.1-5μm的晶种（30）的工序，。晶体生长步骤是在将原料熔融而生成混合物熔体（24）的状态下将氮溶解在混合物熔液（24）中的氮化物晶体（32）为13的氮化物晶体使其在放置在处于晶体生长温度的混合物熔体（24）中的晶种（30）上生长。温度调节步骤包括升温步骤和降温步骤中的至少一个。升温步骤是在放置步骤和晶体生长步骤之间以高达150℃/ h的升温速度将原料的温度升高到晶体生长温度的步骤。降温步骤是在晶体生长步骤之后以高达150℃/ h的降温速度降低混合物熔体（24）的温度的步骤。

3. 发明申请

WO2015141064A1 窒化ガリウム結晶の製造方法审中-公开
标题翻译：生产氮化钠晶体的方法
公开(公告)号：WO2015141064A1
公开(公告)日：2015-09-24
申请号：PCT/JP2014/081363
申请日：2014-11-27
申请人：株式会社リコー , 佐藤隆 , 皿山正二 , 林昌弘 , 三好直哉 , 木村千春 , 和田純一
发明人：佐藤　隆 , 皿山　正二 , 林　昌弘 , 三好　直哉 , 木村　千春 , 和田　純一
IPC分类号： C30B29/38 , C30B19/04 , C30B19/06
CPC分类号： C30B9/10 , C30B9/12 , C30B29/406 , C30B35/007
摘要：　窒化ガリウム結晶の製造方法は、ガリウムとナトリウムを含む混合融液に窒素を溶解させて窒化ガリウム結晶５を成長させる成長工程と、ガリウムとナトリウムからなる合金５１と、ナトリウムをイオン化させる液体５２とを反応させることにより、合金５１からナトリウムイオンとガリウム５５を分離し、分離されたガリウム５５を回収する回収工程とを含む。
摘要翻译：一种制造氮化镓晶体的方法，其包括生长步骤，其中将氮溶解在包含镓和钠的混合熔体中以生长氮化镓晶体（5）和回收步骤，其中包含镓和钠的合金（51）与离子化钠的液体（52）反应，从而从合金（51）中分离出钠离子和镓（55），回收分离的镓（55）。

4. 发明申请

WO2017026183A1 １３族窒化物単結晶の製造方法、および１３族窒化物単結晶の製造装置审中-公开
标题翻译：第13组氮化物单晶的生产方法和13号氮化物单晶的生产装置
公开(公告)号：WO2017026183A1
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：PCT/JP2016/069138
申请日：2016-06-28
申请人：株式会社リコー , 佐藤隆 , 三好直哉 , 和田純一 , 林昌弘 , 皿山正二 , 砂川晴夫 , 石原裕次郎 , 碓井彰
发明人：佐藤　隆 , 三好　直哉 , 和田　純一 , 林　昌弘 , 皿山　正二 , 砂川　晴夫 , 石原　裕次郎 , 碓井　彰
IPC分类号： C30B29/38
CPC分类号： C30B29/403 , C30B9/10 , C30B9/12 , C30B17/00 , C30B19/02 , C30B19/04 , C30B19/06 , C30B19/106 , C30B29/406 , C30B35/007
摘要：１３族窒化物単結晶（４０）の製造方法は、溶解工程と、結晶成長工程と、を含む。溶解工程は、混合融液（２４）と、種結晶（３０）と、囲み部材（９０）と、を内側に保持した反応容器（５２）における混合融液（２４）中に、窒素を溶解させる工程である。混合融液（２４）は、アルカリ金属と１３族金属を含む。種結晶（３０）は、混合融液（２４）中に設置され１３族窒化物結晶からなり主面をｃ面とする種結晶である。囲み部材（９０）は、種結晶（３０）における側面の全領域を囲むように配置されている。結晶成長工程は、種結晶（３０）に１３族窒化物結晶（３２）を結晶成長させる。
摘要翻译： 13族氮化物单晶（40）的制造方法包括溶解工序和晶体生长工序。溶解步骤是将氮气混合在反应容器（52）中的混合物（24）中的步骤，反应容器（52）将混合物熔体（24），晶种（30）和周围构件（90）保持在内部它们。混合物熔体（24）含有碱金属和13族金属。种子晶体（30）是放置在熔融物（24）中的晶种，由氮化镓晶体构成，具有c面作为主面。围绕构件（90）布置成围绕晶种（30）的侧表面的整个区域。晶体生长步骤允许晶种（30）上的第13族氮化物晶体（32）的晶体生长。

5. 发明申请

WO2006098288A1 ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法及び製造装置审中-公开
标题翻译：生产第三类氮化物晶体的方法和装置
公开(公告)号：WO2006098288A1
公开(公告)日：2006-09-21
申请号：PCT/JP2006/304934
申请日：2006-03-13
申请人：株式会社リコー , 岩田浩和 , 皿山正二 , 福田実 , 高橋哲也 , 高橋彰
发明人：岩田浩和 , 皿山正二 , 福田実 , 高橋哲也 , 高橋彰
IPC分类号： C30B29/38 , C30B9/06
CPC分类号： C30B19/02 , C30B9/00 , C30B15/00 , C30B15/32 , C30B17/00 , C30B19/06 , C30B29/403 , C30B29/406 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032
摘要：　ＩＩＩ属金属とアルカリ金属と窒素とを含む融液が保持された保持容器内で種結晶上に結晶成長をさせるＩＩＩ属窒化物結晶の製造方法は、前記種結晶を前記融液に接触させる工程と、前記融液に接触した状態で前記種結晶の環境を結晶成長の条件から外れた第１の状態に設定する工程と、前記融液中の窒素濃度を増加させる工程と、前記融液の窒素濃度が、前記種結晶を結晶成長させるのに適した濃度に達すると、前記種結晶の環境を結晶成長の条件に適した第２の状態に設定する工程と、を含む。
摘要翻译：公开了一种制造III族氮化物晶体的方法，其中在容纳含有III族金属，碱金属和氮的熔体的容器中的晶种上生长晶体。该方法包括使晶种与熔体接触的步骤; 将晶种的环境设定为在保持晶种与熔融物接触的状态下不满足晶体生长条件的第一状态的步骤; 提高熔体中氮浓度的步骤; 以及一旦将熔体中的氮浓度达到适合种植晶种的值，将晶种的环境设定为满足晶体生长条件的第二状态的步骤。

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