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1. 发明申请

WO2012014688A1 ＺｎＯ－ＭｇＯ系スパッタリングターゲット用焼結体审中-公开
标题翻译：基于ZNO-MGO的溅射靶材的烧结材料
公开(公告)号：WO2012014688A1
公开(公告)日：2012-02-02
申请号：PCT/JP2011/066039
申请日：2011-07-14
申请人： JX日鉱日石金属株式会社 , 高見英生 , 坂本勝 , 山本浩由 , 田村友哉
发明人：高見　英生 , 坂本　勝 , 山本　浩由 , 田村　友哉
IPC分类号： C04B35/453 , C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/453 , C04B35/62615 , C04B35/62695 , C04B2235/3206 , C04B2235/3284 , C04B2235/785
摘要：【課題】ＺｎＯとＭｇＯを含有するＺｎＯ－ＭｇＯ系スパッタリングターゲット用焼結体であって、ＭｇがＭｇＯ換算で３～５０ｍｏｌ％含有し、ＭｇＯ相（ＭｇＯリッチ固溶相を含む）の最大結晶粒径が１０μｍ以下で、均一に分散した組織を有することを特徴とするＺｎＯ－ＭｇＯ系スパッタリングターゲット用焼結体。本発明は、長時間スパッタしてもノジュールやパーティクルの発生がほとんどなく、さらに、膜組成の面内均一性に優れた膜を製造することができるＺｎＯ－ＭｇＯ系スパッタリングターゲット用焼結体を提供することを課題とする。
摘要翻译： [问题] ZnO-MgO系溅射靶的烧结体，其包含ZnO和MgO，其特征在于，Mg以MgO换算为3-50摩尔％，MgO相（含有富含MgO的固溶体相）具有最大的结晶粒径为10μm以下，烧结体具有均匀分散的结构。本发明的目的是提供一种用于ZnO-MgO系溅射靶的烧结材料，即使在长时间进行溅射的情况下，也很少发生结核或微粒的形成，能够制造膜组合物具有优异的面内均匀性的膜。

2. 发明申请

WO2011013471A1 Cu-Ga焼結体スパッタリングターゲット及び同ターゲットの製造方法审中-公开
标题翻译：烧结CU-GA喷射目标和生产目标的方法
公开(公告)号：WO2011013471A1
公开(公告)日：2011-02-03
申请号：PCT/JP2010/061049
申请日：2010-06-29
申请人： JX日鉱日石金属株式会社 , 生澤正克 , 高見英生 , 田村友哉
发明人：生澤　正克 , 高見　英生 , 田村　友哉
IPC分类号： C23C14/34 , B22F1/00 , B22F3/14 , B22F9/04 , B22F9/08 , C22C1/04 , C22C9/00 , C22C28/00
CPC分类号： C22C9/00 , B22F3/14 , B22F2998/00 , C22C1/0425 , C22C28/00 , C22C30/02 , C23C14/3414 , B22F9/08
摘要： Ga濃度が20～60at%、残部がCu及び不可避的不純物であるCu-Ga合金粉末の焼結体からなり、該焼結体の相対密度が97％以上、平均結晶粒径が5～30μmであり、さらに抗折力が150Mpa以上であることを特徴とするCu-Ga合金焼結体スパッタリングターゲット。組成偏析がなく、脆性が少ないGa濃度が25～45at%の高Ga濃度のCu-Gaターゲット及びその製造方法を提供することができ、ターゲット製造及びCIGS系太陽電池製造の歩留まりが向上し、製造コストが低減できるので、セレン化法によるCIGS系太陽電池の製造用材料として有用である。
摘要翻译：公开了一种烧结的Cu-Ga合金溅射靶，其特征在于由Cu-Ga合金粉末的烧结体组成，Ga的烧结体的Ga浓度为20-60原子％，余量由Cu和不可避免的杂质构成。烧结的Cu-Ga合金溅射靶的特征还在于，烧结体的相对密度不小于97％，平均晶粒尺寸为5-30μm，弯曲强度不低于150MPa。 Cu-Ga靶没有组成偏析，并且具有低脆性和25-45at％的高Ga浓度。还公开了制备Cu-Ga靶的方法。由于烧结的Cu-Ga合金溅射靶提高目标产量和CIGS太阳能电池的产量，因此可以降低CIGS太阳能电池的生产成本，烧结的Cu-Ga合金溅射靶可用作CIGS太阳能电池的材料通过硒化法生产。

3. 发明申请

WO2013031381A1 Ｃｕ－Ｇａ合金スパッタリングターゲット及びその製造方法审中-公开
标题翻译： Cu-Ga合金溅射靶及其制造方法
公开(公告)号：WO2013031381A1
公开(公告)日：2013-03-07
申请号：PCT/JP2012/067280
申请日：2012-07-06
申请人： JX日鉱日石金属株式会社 , 田村友哉 , 坂本勝
发明人：田村　友哉 , 坂本　勝
IPC分类号： C23C14/34 , B22D11/00 , B22D11/04 , C22C9/00 , C22F1/08 , C22F1/00
CPC分类号： C23C14/3414 , B22D11/004 , C22C9/00 , C22F1/00 , C22F1/08
摘要：目的　Ｇａ組成が２９ａｔ％以上Ｃｕ－Ｇａ合金からなるスパッタリングターゲットを提供すること。　課題　Ｃｕ－Ｇａ合金はＧａ組成が２９ａｔ％以上になると脆性のあるγ相単相組織となるため、圧延、鍛造等の工程を行う事ができない。したがって、鋳造組織のまま用いることができるよう、鋳造組織の結晶粒径が小さく均一でなければならない。　解決手段　一定の冷却速度以上の凝固条件で連続的に固化させることにより、Ｇａが２９～４２．６ａｔ％、残部がＣｕ及び不可避的不純物からなる溶解・鋳造したＣｕ－Ｇａ合金スパッタリングターゲットであって、スパッタ表面の平均結晶粒径が３ｍｍ以下であり、ターゲットの断面組織がスパッタ表面からスパッタ面に平行な中心面の方向に成長した柱状組織を有することを特徴とするＣｕ－Ｇａ合金スパッタリングターゲットを製造することができる。
摘要翻译： [目的]提供由Ga含量为29原子％以上的Cu-Ga合金形成的溅射靶。 [问题] Cu-Ga合金是当Ga含量达到29at％以上时脆性的β相单相结构，因此不能被轧制，锻造等。因此，铸造组合物的晶粒尺寸必须小且均匀，从而可以直接使用铸造组合物。 [解决方案]通过在至少一定的固化条件下进行连续固化，熔融并浇铸含有29〜42.6at％Ga的组成，余量为Cu和不可避免的杂质的Cu-Ga合金溅射靶冷却速度。可以制造的Cu-Ga合金溅射靶的特征在于溅射顶表面的平均晶粒尺寸为3mm以下，目标截面结构为从溅射顶面到平行于溅射表面的中心平面。

4. 发明申请

WO2012098722A1 Cu-Gaターゲット及びその製造方法並びにCu-Ga系合金膜からなる光吸収層及び同光吸収層を用いたCIGS系太陽電池审中-公开
标题翻译： CU-GA目标和制造方法，以及由CU-GA合金薄膜形成的吸光层，以及使用吸光层的CIGS太阳能电池
公开(公告)号：WO2012098722A1
公开(公告)日：2012-07-26
申请号：PCT/JP2011/068235
申请日：2011-08-10
申请人： JX日鉱日石金属株式会社 , 田村友哉 , 山本浩由 , 坂本勝
发明人：田村　友哉 , 山本　浩由 , 坂本　勝
IPC分类号： C23C14/34 , B22F3/14 , C22C9/00 , C22C28/00 , H01L31/04
CPC分类号： H01L31/0272 , B22F3/14 , B22F9/04 , B22F2998/10 , C22C1/0425 , C22C9/00 , C22C28/00 , C23C14/3414 , H01L31/0322 , H01L31/18 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要：【課題】Ga濃度が40～50at%であり、残部がCuであるCu-Ga合金焼結体スパッタリングターゲットであって、相対密度が80％以上であり、Ga濃度の組成ずれが、狙いの組成に対して、±0.5at%以内であることを特徴とするCu-Ga合金焼結体スパッタリングターゲット。Ga濃度が40～50at%であり、残部がCuであるCu-Ga合金焼結体スパッタリングターゲットの製造方法であって、Cu及びGa原料を、溶解及び冷却・粉砕してCu-Ga合金原料粉を製造し、さらにこの原料粉を、ホットプレスの保持温度を混合原料粉の融点と該融点より15℃低い温度との間の温度とし、焼結混合原料粉への加圧圧力を400kgf/cm 2 以上として、ホットプレスすることを特徴とするCu-Ga系合金スパッタリングターゲットの製造方法。組成ずれが極めて少なく、かつ高密度のスパッタリングターゲット及びその製造方法並びにCu-Ga系合金膜からなる光吸収層及び同光吸収層を用いたCIGS系太陽電池を提供する。
摘要翻译： Cu-Ga合金烧结致密溅射靶的Ga相对密度为80％以上，Cu浓度为40〜50原子％，Cu为平衡的Cu-Ga系烧结致密溅射靶，，Ga浓度的组成偏差在所需组成的±0.5at％以内。一种Cu-Ga合金烧结致密溅射靶的制造方法，其特征在于，Cu-Ga合金烧结致密溅射靶的制造方法的Ga浓度为40〜50原子％，Cu为平衡，其特征在于Cu 熔融并冷却/粉碎Ga起始材料，制造Cu-Ga合金原料粉末，将热压机的保持温度设定在混合原料的熔点之间的温度下，将原料粉末热压粉末，比熔点低15℃的温度，施加在烧结混合原料粉末上的压力设定为400kgf / cm 2以上。提供具有非常低的组成偏差和高密度的溅射靶及其制造方法，以及由Cu-Ga合金膜形成的光吸收层和使用光吸收层的CIGS太阳能电池。

5. 发明申请

WO2012042959A1 Ｃｕ－Ｉｎ－Ｇａ－Ｓｅ四元系合金スパッタリングターゲット审中-公开
标题翻译： CU-IN-GA-SE第四季度合金喷射目标
公开(公告)号：WO2012042959A1
公开(公告)日：2012-04-05
申请号：PCT/JP2011/060347
申请日：2011-04-28
申请人： JX日鉱日石金属株式会社 , 田村友哉 , 高見英生 , 坂本勝
发明人：田村　友哉 , 高見　英生 , 坂本　勝
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/14 , C23C14/0623 , C23C14/3414 , H01J37/3426
摘要：銅（Ｃｕ）、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及びセレン（Ｓｅ）からなる四元系合金スパッタリングターゲットであって、各元素の構成比は、式ＣｕｘＩｎ１－ｙＧａｙＳｅａ（式中、０．８４≦ｘ≦０．９８、０＜ｙ≦０．５、ａ＝（１／２）ｘ＋３／２）であり、ＥＰＭAにより観察した組織において、Ｃｕ２Ｓｅ又はＣｕ（Ｉｎ、Ｇａ）３Ｓｅ５の異相のない、Ｃｕ（Ｉｎ、Ｇａ）Ｓｅ２相のみからなることを特徴とするＣｕ－Ｉｎ－Ｇａ－Ｓｅからなる四元系合金スパッタリングターゲット。長時間スパッタリングしても異常放電が殆どなく、スパッタ成膜後の膜の変換効率低下の要因となるＣｕ２Ｓｅ又はＣｕ（Ｉｎ、Ｇａ）３Ｓｅ５の異相が存在せず、面内均一性に優れた膜の製造が可能であるＣＩＧＳ四元系合金スパッタリングターゲット、さらに、所定のバルク抵抗を備え、かつ高密度のＣＩＧＳ四元系合金スパッタリングターゲットを提供する。
摘要翻译：在本发明中，四元合金溅射靶包括铜（Cu），铟（In），镓（Ga）和硒（Se），溅射靶的特征在于元件的组成比由式CuxIn1- yGaySea（式中0.84 = x = 0.98，02相，不含Cu2Se或Cu（In，Ga）3Se5异质相，提供即使长期溅射也几乎不发生异常放电的CIGS四元合金溅射靶，不含Cu2Se或Cu（In，Ga）3Se5非均相，这是溅射膜沉积后薄膜转换效率降低的原因，并且可以制造具有优异的面内均匀性的膜，以及具有规定的CIGS四元合金溅射靶体积电阻和高密度。

6. 发明申请

WO2011083647A1 Ｃｕ-Ｇａ系スパッタリングターゲット、同ターゲットの製造方法、光吸収層及び該光吸収層を用いた太陽電池审中-公开
标题翻译： Cu-Ga溅射靶，使用光吸收层制造目标，光吸收层和太阳能电池的方法
公开(公告)号：WO2011083647A1
公开(公告)日：2011-07-14
申请号：PCT/JP2010/071661
申请日：2010-12-03
申请人： JX日鉱日石金属株式会社 , 生澤正克 , 高見英生 , 田村友哉
发明人：生澤　正克 , 高見　英生 , 田村　友哉
IPC分类号： C23C14/34 , H01L31/04
CPC分类号： C23C14/14 , C22C1/02 , C22C9/00 , C23C14/3414 , H01L31/0322 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要：　ガリウム（Ｇａ）原子数の、ガリウム（Ｇａ）及び銅（Ｃｕ）の原子数の合計に対する比率（Ｇａ／（Ｇａ＋Ｃｕ））が０．２～０．６であり、かつアルカリ金属を含有することを特徴とするＣｕ-Ｇａ系スパッタリングターゲット。ＣＩＧＳ系太陽電池を作製する際に、Ｎａ含有層や基板からのＮａ拡散遮断層を別途作製する必要がなく、ＣＩＧＳ層中のアルカリ金属濃度を比較的均一にできるＣｕ－Ｇａ系ターゲット、同ターゲットの製造方法、同ターゲットから作製された光吸収層、及び同光吸収層を用いたＣＩＧＳ系太陽電池を提供することを目的とする。
摘要翻译：公开了一种Cu-Ga溅射靶，其中镓（Ga）的原子数与镓（Ga）和铜（Cu）的原子总数的比例，即（Ga /（Ga + Cu ））为0.2〜0.6，含有碱金属。使用Cu-Ga靶，在制造CIGS太阳能电池时不需要额外制造阻挡Na从含Na层和含Na衬底的扩散的层，并且碱金属的浓度可以使CIGS层相对均匀。还提供了制造靶材的方法，使用该靶材制造的光吸收层和使用该光吸收层的CIGS太阳能电池。

7. 发明申请

WO2011083646A1 スパッタリングターゲット、化合物半導体薄膜、化合物半導体薄膜を有する太陽電池及び化合物半導体薄膜の製造方法审中-公开
标题翻译：溅射靶，化合物半导体薄膜，具有化合物半导体薄膜的太阳能电池，以及制造化合物半导体薄膜的方法
公开(公告)号：WO2011083646A1
公开(公告)日：2011-07-14
申请号：PCT/JP2010/071660
申请日：2010-12-03
申请人： JX日鉱日石金属株式会社 , 生澤正克 , 高見英生 , 田村友哉
发明人：生澤　正克 , 高見　英生 , 田村　友哉
IPC分类号： C23C14/34 , H01L31/04
CPC分类号： C23C14/0623 , C23C14/0629 , C23C14/3414 , H01L31/0322 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要：　本発明は、アルカリ金属を含有し、Ｉｂ族元素とIIIｂ族元素とＶＩｂ族元素からなり、カルコパイライト型結晶構造を有することを特徴とするスパッタリングターゲット。一回のスパッタリングで、Ｉｂ－IIIｂ－ＶＩｂ族元素からなるカルコパイライト型結晶構造の光吸収層を作製するのに適したＩｂ－IIIｂ－ＶＩｂ族元素からなるカルコパイライト型結晶構造を有するスパッタリングターゲットを提供するものである。
摘要翻译：公开了含有碱金属的溅射靶，其由Ib元素，IIIb元素和VIb元素构成，并具有黄铜矿晶体结构。溅射靶具有由Ib-IIIb-VIb元素构成的黄铜矿晶体结构，所述结构适用于通过溅射一次具有由Ib-IIIb-VIb元素构成的黄铜矿结构的光吸收层。

8. 发明申请

WO2011058828A1 Ｃｕ－Ｉｎ－Ｇａ－Ｓｅ四元系合金スパッタリングターゲット审中-公开
标题翻译： CU-IN-GA-SE第四季度合金喷射目标
公开(公告)号：WO2011058828A1
公开(公告)日：2011-05-19
申请号：PCT/JP2010/066820
申请日：2010-09-28
申请人： JX日鉱日石金属株式会社 , 田村友哉 , 高見英生 , 生澤正克 , 坂本勝 , 鈴木了
发明人：田村　友哉 , 高見　英生 , 生澤　正克 , 坂本　勝 , 鈴木　了
IPC分类号： C23C14/34 , H01L31/04
CPC分类号： H01L31/0322 , C23C14/0623 , C23C14/3414 , Y02E10/541
摘要：本発明は、銅（Ｃｕ）、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及びセレン（Ｓｅ）からなる四元系合金スパッタリングターゲットにおいて、その組成がＣｕＩｎ１－ｘＧａｘＳｅ２－ｙ（但し、ｘ、ｙはそれぞれ原子比率を表す）なる組成式で表され、その組成範囲が０＜ｘ≦０．５、０≦y≦０．０４であるとともに、相対密度が９０％以上であることを特徴とするＣｕ－Ｉｎ－Ｇａ－Ｓｅスパッタリングターゲットに関するものである。本発明は、高密度かつ低酸素濃度のＣＩＧＳ四元系合金スパッタリングターゲット、さらに、所望のバルク抵抗を備えたＣＩＧＳ四元系合金スパッタリングターゲットを提供することを課題としてなされたものである。
摘要翻译：提供了包含铜，铟，镓和硒的四元合金溅射靶。所述四元合金溅射靶的特征在于组成式CuIn1-x Ga x Se2 -y（x和y表示原子比），0 x = 0.5和0 = y = 0.04的组成范围，相对密度至少为90％。提供的CIGS四元合金溅射靶具有高密度，低氧浓度和所需体积电阻。

9. 发明申请

WO2011010529A1 Cu-Ga合金焼結体スパッタリングターゲット、同ターゲットの製造方法、Cu-Ga合金焼結体ターゲットから作製された光吸収層及び同光吸収層を用いたCIGS系太陽電池审中-公开
标题翻译：烧结的CU-GA合金喷射目标，用于生产目标的方法，从烧结的CU-GA合金喷射目标形成的光吸收层和使用光吸收层的CIGS太阳能电池
公开(公告)号：WO2011010529A1
公开(公告)日：2011-01-27
申请号：PCT/JP2010/061048
申请日：2010-06-29
申请人： JX日鉱日石金属株式会社 , 生澤正克 , 高見英生 , 田村友哉
发明人：生澤　正克 , 高見　英生 , 田村　友哉
IPC分类号： C23C14/34 , B22F1/00 , B22F3/14 , C22C9/00 , C22C28/00
CPC分类号： C23C14/0623 , B22F3/14 , C22C1/0425 , C22C9/00 , C22C28/00 , C22C30/02 , C23C14/3414 , H01L31/0322 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要： Ga濃度が20～60at%、残部がCu及び不可避的不純物であるCu-Ga合金粉末の焼結体からなり、該焼結体の相対密度が97％以上、平均結晶粒径が5～30μm、酸素含有量が400ppm以下であることを特徴とするCu-Ga合金焼結体スパッタリングターゲット。また、酸素濃度が400ppm以下であり、組成を均一とすることも有効であり、該ターゲットは原料粉の粉末製造法とホットプレス法によって製造することができる。Cu-Gaターゲットにおいて、組成偏析がなく、長時間のスパッタ後もスパッタして得られる膜にパーティクルが付着しないCu-Gaターゲット及びその製造方法を提供する。
摘要翻译：公开了一种烧结的Cu-Ga合金溅射靶，其特征在于由Cu-Ga合金粉末的烧结体组成，Ga的烧结体的Ga浓度为20-60原子％，余量由Cu和不可避免的杂质构成。烧结的Cu-Ga合金溅射靶的特征还在于，烧结体的相对密度不小于97％，平均晶粒尺寸为5-30μm，氧含量不大于400ppm。烧结的Cu-Ga合金溅射靶的氧浓度不大于400ppm，组成均匀也是有效的。靶材可以通过原料粉末的粉末制造方法和热压法来制造。 Cu-Ga靶没有组分偏析，并且没有颗粒粘附到长时间溅射后通过溅射获得的膜。还公开了一种用于制造烧结的Cu-Ga合金溅射靶的方法。

10. 发明申请

WO2011001974A1 Cu-Gaターゲット及びその製造方法审中-公开
标题翻译： CU-GA目标及其生产方法
公开(公告)号：WO2011001974A1
公开(公告)日：2011-01-06
申请号：PCT/JP2010/061050
申请日：2010-06-29
申请人： JX日鉱日石金属株式会社 , 生澤正克 , 高見英生 , 田村友哉
发明人：生澤　正克 , 高見　英生 , 田村　友哉
IPC分类号： C23C14/34 , B22F1/00 , B22F3/14 , C22C1/04 , C22C9/00 , C22C28/00
CPC分类号： C22C9/00 , B22F2998/10 , C22C1/0425 , C22C1/0483 , C22C28/00 , C23C14/3414 , B22F2009/0828 , B22F3/14
摘要：【課題】Ga濃度が20～60at%であるCu-Ga合金焼結体であって、相対密度が97％以上、平均粒径が5～30μm、金属不純物の含有量が10ppm未満であること特徴とするCu-Ga合金焼結体スパッタリングターゲット。原料中の金属不純物濃度を少なくすると共に、粉末法での製造プロセス中の金属不純物構成材からの混入を防止する。高密度であって、金属不純物濃度が低いCu-Gaターゲット及びその低コスト製造方法を提供する。
摘要翻译：公开了一种烧结Cu-Ga合金溅射靶，其特征在于由Ga浓度为20-60原子％，相对密度不小于97％，平均粒径为 5-30μm，金属杂质含量小于10ppm。为了获得烧结的Cu-Ga合金溅射靶，原料中的金属杂质浓度降低，并且通过粉末法在制造过程中防止了来自金属杂质生成材料的金属杂质的入口。因此，Cu-Ga靶具有高密度和低金属杂质浓度。还公开了用于制备Cu-Ga靶的低成本方法。

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