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1. 发明申请

WO2013080624A1 多結晶シリコンインゴット、その製造装置、その製造方法およびその用途审中-公开
标题翻译：多晶硅，其制造方法及其制造方法及其用途
公开(公告)号：WO2013080624A1
公开(公告)日：2013-06-06
申请号：PCT/JP2012/072931
申请日：2012-09-07
申请人：シャープ株式会社 , 大石隆一 , 梶本公彦 , 上野和也
发明人：大石　隆一 , 梶本　公彦 , 上野　和也
IPC分类号： C01B33/02 , H01L31/04
CPC分类号： C01B33/021 , C01B33/037 , C30B11/007 , C30B29/06 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02P70/521
摘要：ＳｉＣ異物が少なく、高品質かつ大きなサイズの多結晶シリコンインゴットを製造することができる、多結晶シリコンインゴット製造装置を提供すること。上方開口部を有する坩堝と、前記坩堝の外周に設けられて坩堝内に収容されたシリコン原料を加熱し溶融する加熱部と、前記坩堝と前記加熱部とを相対的に上下方向に移動させる移動機構と、不活性ガス導入孔を有すると共に前記坩堝の上方開口部を開閉可能に覆うカバーと、前記不活性ガス導入孔へ不活性ガスを導入する不活性ガス導入管とを備えた、多結晶シリコンインゴット製造装置。
摘要翻译：为了提供能够制造具有少量SiC污染物的大尺寸，高质量的多晶硅锭的多晶硅锭制造装置，该多晶硅锭制造装置具有：具有上部开口的坩埚; 加热单元，其设置在所述坩埚的外周上并加热并熔化存储在所述坩埚内的原料硅; 使坩埚和加热单元相对于上下方向移动的移动机构; 盖子，其具有惰性气体导入孔，以能够打开和关闭的方式覆盖坩埚的上部开口部; 以及用于将惰性气体引入惰性气体导入孔的惰性气体导入管。

2. 发明申请

WO2010001961A1 クーラント再生方法およびスラリー再生方法审中-公开
标题翻译：再生冷却剂的方法和再生浆料的方法
公开(公告)号：WO2010001961A1
公开(公告)日：2010-01-07
申请号：PCT/JP2009/062126
申请日：2009-07-02
申请人：シャープ株式会社 , 三洋化成工業株式会社 , 梶本公彦 , 北條義之 , 奥野哲啓 , 山田康博 , 勝川吉隆
发明人：梶本　公彦 , 北條　義之 , 奥野　哲啓 , 山田　康博 , 勝川　吉隆
IPC分类号： B24B57/02 , B28D5/00 , B28D7/02 , H01L21/304
CPC分类号： B28D5/007 , B24B57/02 , B28D7/02 , Y02P70/179
摘要：　再生スラリーの粘度増加を抑制できるクーラント再生方法を提供することを課題とする。　砥粒と水溶性クーラントを含むスラリーを用いたシリコンインゴットの切断の際に排出される使用済みスラリーを少なくとも蒸留工程に付し、得られた蒸留クーラントから再生クーラントを得るクーラント再生方法であって、前記蒸留クーラントが５重量％以上の水と８０重量％以上のプロピレングリコールを含有するクーラント再生方法により、上記の課題を解決する。
摘要翻译：提供再生冷却剂的方法，可以抑制再生浆料具有增加的粘度。冷却剂再生的方法包括将含有磨料颗粒和水溶性冷却剂的浆料在硅锭切割后排出的废料至少进行蒸馏步骤，以获得蒸馏的冷却剂并从其获得再生的冷却剂，其中，蒸馏的冷却剂包含至少5重量％的水和至少80重量％的丙二醇。

3. 发明申请

WO2005122225A1 シリコンウエハの製造方法审中-公开
标题翻译：硅胶制造方法
公开(公告)号：WO2005122225A1
公开(公告)日：2005-12-22
申请号：PCT/JP2005/009887
申请日：2005-05-30
申请人：シャープ株式会社 , 梶本公彦 , 涌田順三
发明人：梶本公彦 , 涌田順三
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02008 , B24B37/04
摘要：　シリコンウエハの割れ率をさらに低下させることができるシリコンウエハの製造方法を提供すること。　シリコンウエハ製造用のシリコンブロックまたはシリコンスタックの側面に存在する微少な凹凸を研磨により平坦化し、得られたシリコンブロックまたはシリコンスタックをそれぞれスライスまたは分離してシリコンウエハにすることからなり、前記平坦化は、平坦化する側面についての平坦化する前の側面の表面粗さＲｙがＸμｍのとき、研磨により除去された厚さがＸμｍ×５倍以上になるように行われるシリコンウエハの製造方法。
摘要翻译：提供硅晶片制造方法，用于进一步降低硅晶片的裂纹率。在硅晶片制造方法中，通过研磨使在硅块或硅叠层的侧面上存在的微细凹凸被平坦化，并且将得到的硅块或硅叠层切片或分离以提供硅晶圆。当平坦化的平面的平面的表面粗糙度（Ry）为Xmum时，通过研磨将被去除的侧面的厚度设为Xmum×5以上。

4. 发明申请

WO2013088778A1 多結晶シリコンウエハの検査方法および製造方法ならびにその用途审中-公开
标题翻译：生产方法及检测多晶硅膜的方法及其应用
公开(公告)号：WO2013088778A1
公开(公告)日：2013-06-20
申请号：PCT/JP2012/070000
申请日：2012-08-06
申请人：シャープ株式会社 , 大石隆一 , 上野和也 , 梶本公彦
发明人：大石　隆一 , 上野　和也 , 梶本　公彦
IPC分类号： H01L21/66 , G01N21/956 , H01L31/04
CPC分类号： G01N21/9505 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　多結晶シリコンウエハの不良品または良品を選別するための基準物性値に基づいて、多結晶シリコンブロックをスライス加工して得られた一連の多結晶シリコンウエハ群の中から不良品または良品を選別する検査方法であり、１枚の多結晶シリコンウエハが有する前記基準物性値に対応する物性値と、その多結晶シリコンウエハがスライス加工時に隣接していた多結晶シリコンウエハが有する前記基準物性値に対応する物性値とを相対比較し、前記一連の多結晶シリコンウエハ群の各多結晶シリコンウエハが有する各物性値の傾向に基づいて、多結晶シリコンウエハの不良品または良品を選別する多結晶シリコンウエハの検査方法。
摘要翻译：这种用于通过将多晶硅块切片获得的一系列多晶硅晶片组中的有缺陷的商品/无缺陷商品的鉴别方法基于用于区分有缺陷的商品/非缺陷商品的基准物理属性值多晶硅片。用于检查多晶硅晶片的方法相对于与一个多晶硅晶片具有的基准物理特性值相对应的物理特性值与对应于在多晶硅晶片切片期间相邻的多晶硅晶片的基准物理性质值的物理性质值具有并根据多晶硅晶圆片系列中的各多晶硅晶片的各物性值的趋势，判定多晶硅晶片中的有缺陷的商品/无缺陷品。

5. 发明申请

WO2013153688A1 太陽電池用シリコン、多結晶シリコン材料、多結晶シリコン太陽電池および太陽電池用シリコンの製造方法审中-公开
标题翻译：用于太阳能电池的硅，多晶硅材料，多晶硅太阳能电池及其制造用于太阳能电池的硅的方法
公开(公告)号：WO2013153688A1
公开(公告)日：2013-10-17
申请号：PCT/JP2012/072702
申请日：2012-09-06
申请人：シャープ株式会社 , 大石隆一 , 上野和也 , 梶本公彦
发明人：大石　隆一 , 上野　和也 , 梶本　公彦
IPC分类号： C01B33/02 , C01B33/037 , H01L31/04
CPC分类号： C01B33/037 , Y02E10/546
摘要：　ボロン濃度が０．０４ｐｐｍｗ以上０．３２ｐｐｍｗ以下であり、リン濃度が０．０６ｐｐｍｗ以上０．４ｐｐｍｗ以下であって、アルミニウム濃度が１．２ｐｐｍｗ以上４．５ｐｐｍｗ以下である太陽電池用シリコン、ならびにそれを用いて製造された多結晶シリコン材料、多結晶シリコン太陽電池および太陽電池用シリコンの製造方法である。
摘要翻译：提供如下：用于太阳能电池的硅，其硼浓度为0.04ppmw至0.32ppmw，其中磷浓度为0.06ppmw至0.4ppmw，铝浓度为1.2ppmw至4.5ppmw，包括的; 使用硅制造的多晶硅材料; 多晶硅太阳能电池; 以及太阳能电池用硅的制造方法。

6. 发明申请

WO2013035498A1 多結晶シリコンインゴットの製造方法审中-公开
标题翻译：制备多晶硅硅胶的方法
公开(公告)号：WO2013035498A1
公开(公告)日：2013-03-14
申请号：PCT/JP2012/070605
申请日：2012-08-13
申请人：シャープ株式会社 , 塩塚直行 , 大石隆一 , 上野和也 , 梶本公彦
发明人：塩塚　直行 , 大石　隆一 , 上野　和也 , 梶本　公彦
IPC分类号： C01B33/02
CPC分类号： C30B11/003 , C30B11/007 , C30B29/06
摘要：　多結晶シリコンインゴットの製造方法は、坩堝(２０)の周囲に配置された３ｎ個(ｎは自然数)の抵抗加熱ヒータに３相交流を供給し、３相交流によって生じる回転磁場を作用させつつ、坩堝(２０)内の溶融シリコンを加熱する加熱工程と、上記回転磁場を作用させつつ、坩堝(２０)の底部から上部に向けて冷却してシリコンを凝固させる冷却工程と備える。
摘要翻译：该多晶硅锭的制造方法具备：将设置在坩埚（20）的圆周上的3n个电阻加热器（n为自然数）供给三相交流电的加热工序，在坩埚（20）的内部被加热，同时具有旋转磁场，所述旋转磁场由于三相交流而产生; 以及冷却步骤，其中通过从坩埚（20）的底部朝向上部冷却硅而使硅固化，同时使旋转磁场工作。

7. 发明申请

WO2009081725A1 シリコン再生方法审中-公开
标题翻译：硅回收方法
公开(公告)号：WO2009081725A1
公开(公告)日：2009-07-02
申请号：PCT/JP2008/072329
申请日：2008-12-09
申请人：シャープ株式会社 , 藤田健治 , 梶本公彦 , 北條義之
发明人：藤田健治 , 梶本公彦 , 北條義之
IPC分类号： C01B33/02 , C01B33/037
CPC分类号： C01B33/02 , C01B33/037
摘要：　本発明のシリコン再生方法は、砥粒とクーラントを含むスラリーを用いたシリコン塊又はシリコンウェハの切断又は研磨によって前記スラリーにシリコン屑が混入された廃スラリー又はその濃縮分を固液分離してシリコン屑を含有するシリコン回収用固形分を取得し、前記シリコン回収用固形分を酸溶液からなる洗浄液で洗浄し、前記洗浄後に２００°C以上１０００°C以下の温度で前記シリコン回収用固形分を焼成する工程を備えることを特徴とする。
摘要翻译：硅回收方法包括将废浆或其浓度分离成固体和液体的步骤，并且获得含硅颗粒的固体材料以回收硅。在废料浆料中，通过使用含有磨料颗粒和冷却剂的浆料来切割或抛光硅锭或硅晶片时，将硅颗粒与浆料混合。该方法还包括一个步骤，其中固体材料用由酸溶液组成的清洁溶液清洗，并且在清洁后在200℃或更高但不高于1000℃的温度下烘烤固体材料。

8. 发明申请

WO2007119308A1 シリコン含有材料の回収方法审中-公开
标题翻译：回收含硅材料的方法
公开(公告)号：WO2007119308A1
公开(公告)日：2007-10-25
申请号：PCT/JP2007/054198
申请日：2007-03-05
申请人：シャープ株式会社 , 石川島汎用機サービス株式会社 , 梶本公彦 , 北條義之 , 田中雅也 , 高橋勝己
发明人：梶本公彦 , 北條義之 , 田中雅也 , 高橋勝己
IPC分类号： C01B33/02 , C02F11/00 , C02F11/12
CPC分类号： C01B33/02 , Y02W10/37
摘要：　クーラントが除去されたシリコン含有材料を回収する方法を提供する。　本発明のシリコン含有材料の回収方法は，水溶性クーラント，砥粒及びシリコン粒を少なくとも含有する，シリコンウエハの製造プロセスでの使用済みスラリーから水溶性クーラントを予め除去することによって固形分を得て，その固形分から，水溶性クーラントに対し相溶性を有しかつ水溶性クーラントよりも沸点が低い低沸点有機溶媒を用いて前記固形分中に残留する水溶性クーラントを抽出し，抽出に用いた低沸点有機溶媒を濾過によって除去し，濾過により得られる固形分を回収する工程を備えることを特徴とする。
摘要翻译：回收了从其中除去冷却剂的含硅材料的方法。回收含硅材料的方法的特征在于包括以下步骤：从由硅晶片生产过程产生的废浆中预先除去水溶性冷却剂，所述硅晶片生产方法包括水溶性冷却剂，磨料颗粒和硅颗粒，从而获得固体物质; 使用与水溶性冷却剂相溶性且沸点低于水溶性冷却剂的低沸点有机溶剂从固体物质中提取残留在固体物质中的水溶性冷却剂; 通过过滤除去萃取中使用的低沸点有机溶剂; 并回收通过过滤获得的固体物质。

9. 发明申请

WO2005110918A1 ハロシランの製造方法、固形分の精製方法审中-公开
标题翻译：用于生产卤化铝的方法和纯化固体组分的方法
公开(公告)号：WO2005110918A1
公开(公告)日：2005-11-24
申请号：PCT/JP2005/008719
申请日：2005-05-12
申请人：シャープ株式会社 , 梶本公彦 , 大場智之 , 平川博之
发明人：梶本公彦 , 大場智之 , 平川博之
IPC分类号： C01B33/107
CPC分类号： C01B33/107
摘要：　（１）砥粒とそれを分散する水溶性の分散媒とからなるスラリーにシリコン粒が混入した使用済みスラリー１を、１次遠心分離することにより、砥粒が主成分の固形分３ｂを回収し、（２）１次遠心分離により得られた液分３ａを２次遠心分離することにより、分散媒が主成分の液分５ａと、その残りのスラッジ５ｂとに分離し、（３）２次遠心分離により得られた液分５ａを蒸留することにより得られる固形分７ｂについて粉砕及び有機物残渣の除去を行い、（４）得られた固形分にハロゲン化剤を反応させて得られる生成物を精留する工程を備えるハロシランの製造方法。
摘要翻译：一种制备卤代硅烷的方法，包括以下步骤：[1]将由包含水分散剂和分散在其中的磨料颗粒的浆料构成的废浆料（1）和包含在其中的硅颗粒进行一次离心分离，从而回收固体组分（3b）包含磨粒作为主要成分，[2]使来自第一离心分离操作的所得流体组分（3a）进行第二离心分离，从而将流体组分分离成含有作为主要成分的分散剂和残留污泥（5b），[3]使来自第二离心分离操作的所得流体组分（5a）的蒸馏得到的固体成分（7b）粉碎并除去有机物残余物，然后将所得固体组分与卤化剂反应[4]，然后纯化所得反应产物。

10. 发明申请

WO2013094245A1 多結晶シリコンインゴットとその製造方法およびその用途审中-公开
标题翻译：聚硅氧烷，其生产方法及其用途
公开(公告)号：WO2013094245A1
公开(公告)日：2013-06-27
申请号：PCT/JP2012/070001
申请日：2012-08-06
申请人：シャープ株式会社 , 大石隆一 , 上野和也 , 梶本公彦
发明人：大石　隆一 , 上野　和也 , 梶本　公彦
IPC分类号： C01B33/02 , C30B29/06 , H01L31/04
CPC分类号： C30B11/00 , C30B11/006 , C30B11/02 , C30B29/06 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02P70/521
摘要：　坩堝中の溶融シリコンを前記坩堝の底部から上方に一方向凝固させて多結晶シリコンインゴットを製造する方法であり、シリコン温度がシリコンの融点となる時の坩堝下面中央近傍の検知温度をＴｍとして前記検知温度が（Ｔｍ－２０）℃から（Ｔｍ－６０）℃まで低下する間に、１～１０℃／時間の温度変化率で温度低下する時間が存在する条件下で、前記溶融シリコンを一方向凝固させて多結晶シリコンインゴットを得る多結晶シリコンインゴット製造方法。
摘要翻译：一种通过从坩埚底部向上固化坩埚中的熔融硅的方法来制造多晶硅锭的方法，其中熔融硅在这样一种条件下单向凝固，当在坩埚的下表面从（Tm-20）℃降低到（Tm-60）℃，其中Tm是在硅温度是硅的熔点的位置处测量的温度，那么在这段时间内该温度以1-10℃/小时的速度下降，从而获得多晶硅锭。

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