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1. 发明申请

WO2010113616A1 エッチング液审中-公开
标题翻译：蚀刻液
公开(公告)号：WO2010113616A1
公开(公告)日：2010-10-07
申请号：PCT/JP2010/054139
申请日：2010-03-11
申请人：ダイキン工業株式会社 , 板野充司 , 中村新吾 , 毛塚健彦 , 江藤友亮
发明人：板野　充司 , 中村　新吾 , 毛塚　健彦 , 江藤　友亮
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/308
CPC分类号： H01L21/31111 , C09K13/08
摘要：　フッ化水素酸（Ａ）、フッ化アンモニウム（Ｂ）、フッ化水素酸（ｐＫａ＝３．１７）より大きいｐＫａを有する酸（Ｃ１）とアンモニア（ｐＫａ＝９．２４）より大きいｐＫａを有する塩基（Ｃ２）とからなる塩（Ｃ）、及び水（Ｄ）を含むことで、薬液の蒸発等に伴う組成変化が少なく、薬液の交換頻度が少なくてすみ、かつ、経時的にも均一にシリコン酸化膜をエッチング可能なエッチング液を提供する。
摘要翻译：提供含有氢氟酸（A）的蚀刻液; 氟化铵（B）; 包含比氢氟酸（pKa为3.17）高的pKa的酸（C1）和pKa比铵高（pKa为9.24）的碱（C2）的盐（C）; 和水（D）。结果，液体化学品在蒸发等上的组成不变化不大，交换频率低，并且可以随时间均匀地蚀刻二氧化硅膜。

2. 发明申请

WO2006030714A1 銅酸化物を含む銅変質層の除去液及び除去方法审中-公开
标题翻译：用于去除含铜氧化物的腐蚀层的液体和方法
公开(公告)号：WO2006030714A1
公开(公告)日：2006-03-23
申请号：PCT/JP2005/016652
申请日：2005-09-09
申请人：ダイキン工業株式会社 , 中村新吾 , 上谷文宏 , 毛塚健彦 , 金村崇 , 板野充司
发明人：中村新吾 , 上谷文宏 , 毛塚健彦 , 金村崇 , 板野充司
IPC分类号： H01L21/308
CPC分类号： H01L21/32136 , H01L21/02063 , H01L21/02071
摘要：　本発明は、モノカルボン酸と水からなるドライエッチング及び／又はアッシングによる損傷を受けた、銅酸化物を含む銅変質層の残渣除去液に関する。
摘要翻译：公开了一种由一元羧酸和水组成的液体，其用于除去由干法蚀刻和/或灰化损坏并包括氧化铜的劣化铜层的残留物。

3. 发明申请

WO2004112115A1 シリコンを含有する反射防止膜および埋め込み材の除去液と除去方法审中-公开
标题翻译：去除液体和去除反应薄膜和含硅材料的去除方法
公开(公告)号：WO2004112115A1
公开(公告)日：2004-12-23
申请号：PCT/JP2004/008411
申请日：2004-06-09
申请人：ダイキン工業株式会社 , 中村新吾 , 毛塚健彦 , 上谷文宏 , 金村崇 , 板野充司
发明人：中村新吾 , 毛塚健彦 , 上谷文宏 , 金村崇 , 板野充司
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： G03F7/423 , C11D7/08 , C11D7/265 , C11D7/5022 , H01L21/31111 , H01L21/32134
摘要：有機酸及び有機溶媒からなる群から選ばれる少なくとも１種、並びにフッ化水素（ＨＦ）を含む、シリコンを含む反射防止膜および埋め込み材を取り除く除去液；並びにこれらを用いた反射防止膜および/又は埋め込み材の除去方法。
摘要翻译：公开了一种用于去除防反射膜的去除剂液体和含有硅的掩埋材料，其含有选自有机酸和有机溶剂中的至少一种材料和氟化氢（HF）。还公开了一种使用这种去除剂液体去除防反射膜和/或含硅的掩埋材料的方法。

4. 发明申请

WO2004097918A1 エッチング液、剥離液およびエッチング方法审中-公开
标题翻译：蚀刻液，去除液体和蚀刻方法
公开(公告)号：WO2004097918A1
公开(公告)日：2004-11-11
申请号：PCT/JP2004/006286
申请日：2004-04-30
申请人：ダイキン工業株式会社 , 上谷文宏 , 毛塚健彦 , 中村新吾 , 金村崇 , 板野充司
发明人：上谷文宏 , 毛塚健彦 , 中村新吾 , 金村崇 , 板野充司
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/31133 , C11D7/265 , C11D11/0047 , G03F7/426 , H01L21/02063
摘要：本発明は、少なくとも１種の有機酸を含む、レジストと有機系反射防止膜、および／または有機系埋め込み材を除去するためのエッチング液および剥離液に関する。
摘要翻译：公开了一种用于除去抗蚀剂和有机抗反射膜和/或埋藏有机材料的蚀刻液和去除剂液体，其含有至少一种有机酸。

5. 发明申请

WO2008129944A1 エッチング液审中-公开
标题翻译：蚀刻解决方案
公开(公告)号：WO2008129944A1
公开(公告)日：2008-10-30
申请号：PCT/JP2008/056958
申请日：2008-04-08
申请人：ダイキン工業株式会社 , 板野充司 , 中村新吾 , 毛塚健彦 , 渡邊大祐
发明人：板野充司 , 中村新吾 , 毛塚健彦 , 渡邊大祐
IPC分类号： H01L21/308
CPC分类号： C09K13/08 , C09K13/00 , C09K13/06 , C09K15/00 , H01L21/02052 , H01L21/02063 , H01L21/30604 , H01L21/31053 , H01L21/31105 , H01L21/31111 , H01L21/31133 , H01L21/32134 , H01L21/76814
摘要：　本発明は、薬液の蒸発等に伴う組成変化が少なく、薬液の交換頻度が少なくてすみ、かつ、経時的にもエッチングレートの変化が少なく均一にシリコン酸化膜をエッチング可能なエッチング液を提供する。具体的には、フッ化水素酸(a)、フッ化アンモニウム(b)、及びフッ化水素とアンモニアより沸点の高い塩基との塩(c)を含むエッチング液であって、フッ化アンモニウム(b)の濃度が8.2mol/kg以下であり、フッ化アンモニウム(b)とフッ化水素とアンモニアより沸点の高い塩基との塩(c)との合計が9.5mol/kg以上であるエッチング液、その製造方法、並びに該エッチング液を用いたエッチング方法に関する。
摘要翻译：由于化学液体的蒸发等导致的组成变化较小的蚀刻溶液，使化学液体的更换频率最小化，并且随着时间的推移蚀刻速率的变化越少，实现氧化硅膜的均匀蚀刻。特别地，蚀刻溶液是由氟化氢和沸点高于氨的碱的氢氟酸（a），氟化铵（b）和盐（c）构成的溶液，其中氟化铵（b ）为8.2mol / kg以下，其中氟化氢和沸点高于氨的碱的氟化铵（b）和盐（c）之和为9.5mol / kg以上。此外，公开了一种用于制造蚀刻溶液的方法和使用蚀刻溶液进行蚀刻的方法。

6. 发明申请

WO2006126583A1 BPSG膜とSOD膜を含む基板のエッチング液审中-公开
标题翻译：用于具有BPSG和SOD层的基板的捕获
公开(公告)号：WO2006126583A1
公开(公告)日：2006-11-30
申请号：PCT/JP2006/310343
申请日：2006-05-24
申请人：ダイキン工業株式会社 , 板野充司 , 渡邊大祐
发明人：板野充司 , 渡邊大祐
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/31111
摘要：　本発明は、低温化プロセスにより製造される超微細デバイスのノンアニールのBPSG膜と熱酸化膜、並びに、ノンアニールのSOD膜と熱酸化膜をいずれも等速度或いはそれに近い速度でエッチングするためのエッチング液、エッチング方法並びにエッチング処理物を提供する。具体的には、フッ化物塩及び重フッ化物塩からなる群から選ばれる少なくとも１種の塩と、ヘテロ原子を有する有機溶媒とを含み、熱酸化膜（THOX）、ノンアニールのBPSG（ボロンリンガラス）膜、ノンアニールのSOD（Spin on Dielectric）膜のエッチングレートがいずれも23°Cで100Å/分以下で、かつ、ノンアニールのBPSG膜／熱酸化膜とのエッチングレート比、及び、ノンアニールのSOD膜／熱酸化膜とのエッチングレート比がともに３以下であるエッチング液を提供する。
摘要翻译：蚀刻用于蚀刻通过低温工艺或非退火的SOD（电介质）上的非退火的BPSG（硼磷硅酸盐玻璃）层和THOX（热氧化物）层，其等效速率或几乎相当的税率; 蚀刻工艺; 和蚀刻产品。具体地说，含有至少一种选自氟化物盐和二氢
化甘油醚的盐的蚀刻剂和具有杂原子的有机溶剂，并且在23℃下相对于THOX层，未退火的BPSG层表现出100 / min或更低的腐蚀速率，和未退火的SOD层和未退火的BPSG层和未退火的SOD层与THOX层的蚀刻速率比为3或更低。

7. 发明申请

WO2004084288A1 エッチング用又は洗浄用の溶液の製造法审中-公开
标题翻译：蚀刻或清洁流体的生产工艺
公开(公告)号：WO2004084288A1
公开(公告)日：2004-09-30
申请号：PCT/JP2004/003060
申请日：2004-03-10
申请人：ダイキン工業株式会社 , 陶山誠 , 毛塚健彦 , 板野充司
发明人：陶山誠 , 毛塚健彦 , 板野充司
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： C11D7/10 , C11D7/06 , C11D7/08 , C11D7/3209 , C11D11/0047 , H01L21/02052
摘要： (1)アンモニア、ヒドロキシルアミン類、脂肪族アミン類、芳香族アミン類、脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウム塩からなる群から選ばれる少なくとも１種とフッ化水素酸から形成されたフッ化物塩及び重フッ化物塩の少なくとも１種；(2)ヘテロ原子を有する有機溶媒の少なくとも１種；及び(3)水を含むことを特徴とするエッチング用又は洗浄用の溶液の製造方法であって、工程Ｉ：フッ化水素酸水溶液とヘテロ原子を有する有機溶媒の少なくとも１種とを混合すること、及び工程２：工程１で得られた混合物とアンモニア、ヒドロキシルアミン類、脂肪族アミン類、芳香族アミン類、脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウム塩からなる群から選ばれる少なくとも１種又はそのフッ化物塩を混合することを包含する方法。
摘要翻译：一种用于生产蚀刻或清洗流体的方法，其特征在于包括（1）至少一种氟化物盐或二氟化氢盐，其由选自氨，羟胺，脂族胺，芳族胺和脂族的至少一种成分和芳族季铵盐和氢氟酸，（2）至少一种具有杂原子的有机溶剂和（3）水，其包括将氢氟酸水溶液与至少一种有机溶剂混合的步骤（1）杂原子和将步骤（1）中获得的混合物与选自氨，羟胺，脂族胺，芳族胺和脂族和芳族季铵盐中的至少一种混合的步骤（2）或其氟化物盐。

8. 发明申请

WO2005019499A1 金属変質層の除去液及び金属変質層の除去方法审中-公开
标题翻译：去除变质金属层的液体和去除变质金属层的方法
公开(公告)号：WO2005019499A1
公开(公告)日：2005-03-03
申请号：PCT/JP2004/012144
申请日：2004-08-18
申请人：ダイキン工業株式会社 , 中村新吾 , 南晋一 , 金村崇 , 板野充司 , 毛塚健彦 , 上谷文宏
发明人：中村新吾 , 南晋一 , 金村崇 , 板野充司 , 毛塚健彦 , 上谷文宏
IPC分类号： C23F1/30
CPC分类号： C09K13/08 , C23F1/44
摘要：フッ化水素、有機溶媒及び水を含み、フッ化水素：有機溶媒：水の重量比が0.001～10重量%：70～99.998重量%：0.001～20重量%である、導電性金属上に形成された金属変質層を除去するための除去液。
摘要翻译：公开了一种用于除去形成在导电金属上的退化金属层的液体，其含有氟化氢，有机溶剂和水，使得氟化氢：有机溶剂：水的重量比为0.001-10重量％：70-99.998重量％％：0.001-20重量％。

9. 发明申请

WO2004025718A1 エッチング液及びエッチング方法审中-公开
标题翻译：蚀刻和蚀刻方法
公开(公告)号：WO2004025718A1
公开(公告)日：2004-03-25
申请号：PCT/JP2003/009848
申请日：2003-08-04
申请人：ダイキン工業株式会社 , 板野充司 , 金村崇 , 百田博史 , 渡邊大祐
发明人：板野充司 , 金村崇 , 百田博史 , 渡邊大祐
IPC分类号： H01L21/308
CPC分类号： H01L21/31111
摘要： An etchant preferable to etch an object on which a film (a high-k film) having a relative dielectric constant of not less than 8 and a silicon oxide film are formed, wherein the etching rate of the high-k film is not less than 2 Å/min., and the ratio of the etching rate of a thermal oxide film (THOX) to that of the high-k film is not more than 50. A mixture of a hydrogen fluoride (HF) and various ether organic solvents is preferably used as the etchant.
摘要翻译：优选蚀刻具有相对介电常数不小于8的膜（高k膜）和氧化硅膜的物体的蚀刻剂，其中高k膜的蚀刻速率不小于 2 / min，热氧化膜（THOX）的蚀刻速率与高k膜的蚀刻速率之比不大于50.氟化氢（HF）与各种醚类有机溶剂的混合物为优选用作蚀刻剂。

10. 发明申请

WO2004019134A1 剥離液审中-公开
标题翻译：拆卸解决方案
公开(公告)号：WO2004019134A1
公开(公告)日：2004-03-04
申请号：PCT/JP2003/010547
申请日：2003-08-21
申请人：ダイキン工業株式会社 , 板野充司 , 金村崇 , 中村新吾 , 上谷文宏 , 毛塚健彦
发明人：板野充司 , 金村崇 , 中村新吾 , 上谷文宏 , 毛塚健彦
IPC分类号： G03F7/42
CPC分类号： H01L21/02063 , C11D7/08 , C11D7/24 , C11D7/263 , C11D7/264 , C11D7/265 , C11D7/28 , C11D7/32 , C11D7/3263 , C11D7/34 , C11D11/0047 , G03F7/42 , G03F7/422 , G03F7/423 , G03F7/425 , G03F7/426 , G03F7/428 , H01L21/02071 , H01L21/31133 , H01L21/31138 , H01L21/76802 , H01L21/76838 , H05K3/26
摘要：本発明は、有機酸及び有機溶媒からなる群から選ばれる少なくとも１種、並びにフッ化水素（ＨＦ）を含む、ｌｏｗ−ｋ膜用のレジスト剥離液及びビアホール又はキャパシタ洗浄液；並びにこれらを用いたレジスト剥離方法及びビアホール又はキャパシタの洗浄方法を提供する。
摘要翻译：一种用于低k膜和通孔或电容器清洁溶液的抗蚀剂去除溶液，每个包含选自有机酸和有机溶剂与氟化氢（HF）的组中的至少一种; 以及去除抗蚀剂的方法和包括其应用的通孔或电容器的清洁方法。

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