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1. 发明申请

WO2012096133A1 保護膜形成用薬液审中-公开
标题翻译：形成保护膜的化学溶液
公开(公告)号：WO2012096133A1
公开(公告)日：2012-07-19
申请号：PCT/JP2011/080382
申请日：2011-12-28
申请人：セントラル硝子株式会社 , 齋尾崇 , 公文創一 , 斎藤真規 , 荒田忍 , 七井秀寿 , 赤松佳則
发明人：齋尾　崇 , 公文　創一 , 斎藤　真規 , 荒田　忍 , 七井　秀寿 , 赤松　佳則
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02068 , C11D11/0047
摘要：【課題】表面に凹凸パターンを形成され該凹凸パターンの凹部（４）表面に、チタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、タンタル、及び、ルテニウムのうち少なくとも１種の元素を有するウェハ（金属系ウェハ）のパターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善するための、撥水性保護膜（１０）を形成する保護膜形成用薬液を提供すること。【解決手段】前記金属系ウェハの洗浄工程の後、乾燥工程の前において、少なくとも凹部（４）表面に撥水性保護膜（１０）を形成するための撥水性保護膜形成剤と溶媒を含む薬液であり、該撥水性保護膜形成剤が一般式［１］で示される化合物であることを特徴とする、撥水性保護膜形成用薬液。（Ｒ 1 は一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１～１８の１価の炭化水素基、Ｒ 2 はそれぞれ互いに独立して一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１～１８の炭化水素基を含む１価の有機基、ａは０～２の整数である。）
摘要翻译：提供一种形成保护膜的化学溶液，其形成防水保护膜（10），以改善在具有凹凸图案的晶片（金属基晶片）中容易引起图案塌陷的洗涤过程在其表面上形成并且在凹凸图案的凹部（4）表面上具有钛，钨，铝，铜，锡，钽和钌中的至少一种元素。 [解决方案]用于形成保护膜的这种化学溶液是在干燥过程之后至少在凹部（4）表面上形成用于形成防水保护膜（10）的防水保护膜形成剂的化学溶液，用于金属基晶片的洗涤方法和溶剂，并且化学溶液的特征在于防水保护膜形成剂是通式[1]所示的化合物。（R1是C1-18单价烃，其中元素氟可以被部分或全部元素氢代替; R2表示相互独立的含C1-18烃的单价有机基团，其中元素氟可以被部分或全部代替元素氢; a为0-2的整数）

2. 发明申请

WO2012090779A1 ウェハの洗浄方法审中-公开
标题翻译： WAFER洗衣方法
公开(公告)号：WO2012090779A1
公开(公告)日：2012-07-05
申请号：PCT/JP2011/079458
申请日：2011-12-20
申请人：セントラル硝子株式会社 , 公文創一 , 齋尾崇 , 荒田忍 , 斎藤真規 , 七井秀寿 , 赤松佳則
发明人：公文　創一 , 齋尾　崇 , 荒田　忍 , 斎藤　真規 , 七井　秀寿 , 赤松　佳則
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/02057 , C11D3/162 , C11D11/0047
摘要：【課題】表面に凹凸パターンを有するウェハの製造方法において、パターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善するための洗浄方法を提供する。【解決手段】表面に凹凸パターンを有するウェハの洗浄方法であって、少なくとも、前記ウェハ（１）を洗浄液（８）で洗浄する工程、洗浄後にウェハ（１）の凹部（４）に保持された洗浄液（８）を撥水性薬液（９）で置換する工程、ウェハ（１）を乾燥する工程を有し、前記洗浄液（８）が、沸点が５５～２００℃である溶媒を８０質量％以上含むものであり、前記置換する工程において供される撥水性薬液（９）の温度を、４０℃以上、該撥水性薬液（９）の沸点未満とすることにより、少なくとも前記凹部表面を撥水化させること。
摘要翻译：提供一种洗涤方法，用于改善在其表面具有凹凸图案的晶片的制造方法中易于引起图案破坏的洗涤方法。 [解决方案]对于具有表面凹凸图案的晶片的这种洗涤方法至少具有用洗涤液（8）清洗晶片（1）的步骤，更换保持在洗涤液（8）中的洗涤液（8）的步骤用防水化学溶液（9）清洗后的晶片（1）的凹部（4）和干燥晶片（1）的步骤。洗涤液（8）含有80质量％以上的沸点为55〜200℃的溶剂。通过将在更换步骤中供给的防水化学溶液（9）的温度设定为40℃以上且小于防水化学溶液（9）的沸点，至少在凹面部件是防水的。

3. 发明申请

WO2012002346A1 ウェハパターンの保護膜形成用薬液、薬液の調製方法およびウェハ処理方法审中-公开
标题翻译：用于形成用于波形图案的保护膜的化学液体，用于制备化学液体的方法和用于处理水的方法
公开(公告)号：WO2012002346A1
公开(公告)日：2012-01-05
申请号：PCT/JP2011/064725
申请日：2011-06-28
申请人：セントラル硝子株式会社 , 大日本スクリーン製造株式会社 , 公文創一 , 齋尾崇 , 斎藤真規 , 荒田忍 , 杉本憲司 , 中村一樹
发明人：公文　創一 , 齋尾　崇 , 斎藤　真規 , 荒田　忍 , 杉本　憲司 , 中村　一樹
IPC分类号： H01L21/304 , G03F7/32
CPC分类号： H01L21/306 , H01L21/02057
摘要：【課題】凹凸パターンが形成されたウェハ表面の洗浄に関し、ウェハを水に浸漬後にウェハを水から引き上げて、ウェハを蒸気化された「撥水性保護膜を形成するための薬液」を含んだガス雰囲気にさらす方法に適用できる薬液を提供する。【解決手段】表面に微細な凹凸パターンを有するシリコンウェハの洗浄時に、該凹凸パターン表面に撥水性保護膜を形成するための薬液であり、前記薬液は凹凸パターン表面にＯＨ基が導入された後に、蒸気として凹凸パターン表面に供給されるものであり、　ハイドロフルオロカーボン、ハイドロフルオロエーテル、パーフルオロカーボン、ハイドロクロロフルオロカーボンからなる群より選ばれた少なくとも１種以上の含フッ素溶剤を９３．５～９７．４９９質量％；　エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートからなる群より選ばれた少なくとも１種以上のグリコールエーテルアセテートを２～５質量％；　ヘキサメチルジシラザン、テトラメチルジシラザンからなる群より選ばれた少なくとも１種以上のシラザン化合物を０．５～５質量％；　トリフルオロ酢酸、無水トリフルオロ酢酸、トリメチルシリルトリフルオロアセテート、ジメチルシリルトリフルオロアセテートからなる群より選ばれた少なくとも１種以上の酸を０．００１～０．２５質量％含むものとすること。
摘要翻译：本发明涉及一种与在其上形成有不规则图案的晶片的表面的洗涤相关的化学液体，其适用于将晶片浸入水中之后将晶片从水中拉出并暴露于含有蒸发的“用于形成防水保护膜的化学液体”。当在其表面上洗涤具有细微不规则图案的硅晶片时，使用化学液体，以在具有不规则图案的表面上形成防水保护膜，并且将化学液体供应到具有不规则图案的表面在具有不规则图案的表面中引入OH基之后的蒸气形式，含有93.5〜97.499质量％的选自氢氟烃，氢氟醚，全氟化碳和氢氯氟烃中的至少一种含氟溶剂; 2至5质量％的至少一种选自乙二醇单甲醚乙酸酯和丙二醇单甲醚乙酸酯的二醇醚乙酸酯; 0.5〜5质量％的选自六甲基二硅氮烷和四甲基二硅氮烷的至少一种硅氮烷化合物; 和0.001〜0.25质量％的选自三氟乙酸，三氟乙酸酐，三甲基甲硅烷基三氟乙酸盐和二甲基甲硅烷基三氟乙酸盐的至少一种酸。

4. 发明申请

WO2010084826A1 シリコンウェハ用洗浄剤审中-公开
标题翻译：硅胶清洗剂
公开(公告)号：WO2010084826A1
公开(公告)日：2010-07-29
申请号：PCT/JP2010/050390
申请日：2010-01-15
申请人：セントラル硝子株式会社 , 公文創一 , 斎藤真規 , 齋尾崇 , 七井秀寿 , 赤松佳則
发明人：公文　創一 , 斎藤　真規 , 齋尾　崇 , 七井　秀寿 , 赤松　佳則
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/308
CPC分类号： H01L21/02057 , C11D11/0047
摘要：シリコンウェハ用洗浄剤は少なくとも水系洗浄液と、洗浄過程中に凹凸パターンの少なくとも凹部を撥水化するための撥水性洗浄液とを含む。該撥水性洗浄液は、シリコンウェハのＳｉと化学的に結合可能な反応性部位と疎水性基を含む撥水性化合物からなるもの、又は、該撥水性洗浄液の総量１００質量％に対して０．１質量％以上の該撥水性化合物と、有機溶媒とが混合されて含まれるものとする。この洗浄剤によって、パターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善できる。
摘要翻译：本发明提供一种至少包含水基清洗液的硅晶片清洗剂和至少在清洗工序中至少具有凹凸图案的凹部的防水清洗液。防水性清洗液是由防水化合物构成的液体，该防水化合物含有与硅晶片中的Si化学结合的反应性部分和疏水性基团，或者为0.1质量％以上的液体，斥水性化合物与防水性清洗液和有机溶剂的总量为100质量％混合并包含在其中。可以使用清洁剂改善容易诱发图案塌陷的清洁步骤。

5. 发明申请

WO2006022118A1 滑水性被膜を得るための処理剤及び滑水性被膜の作製法审中-公开
标题翻译：用于形成水滑动膜的处理和形成水滑动膜的方法
公开(公告)号：WO2006022118A1
公开(公告)日：2006-03-02
申请号：PCT/JP2005/014033
申请日：2005-08-01
申请人：セントラル硝子株式会社 , 濱口滋生 , 公文創一 , 赤松佳則 , 斎藤真規
发明人：濱口滋生 , 公文創一 , 赤松佳則 , 斎藤真規
IPC分类号： C09K3/18 , C09D183/04 , C09D5/00 , B05D5/00 , B05D7/24 , C08L83/04 , C08K5/5419 , C03C17/30 , C03C23/00
CPC分类号： C03C17/3405 , C03C17/30 , C03C2217/76 , C03C2218/32 , C03C2218/33 , C08G77/24 , C08K5/5406 , C09D5/00 , C09D183/04 , C09D183/08 , C09D183/14 , C09K3/18
摘要：　本発明は少なくとも一つの末端に加水分解可能な官能基を２個又は３個有し、且つジメチルシロキサンユニット（Ｓｉ（ＣＨ 3 ） 2 Ｏ）の数が３０～４００である直鎖状ポリジメチルシロキサン、及び加水分解可能な官能基を有し、且つフルオロカーボンユニット（ＣＦ 2 又はＣＦ 3 ）の数が６～１２であるフルオロアルキルシラン、そして、有機溶媒、酸、及び水を有する溶液を混合してなる滑水性被膜を得るための処理剤に関する。この処理剤は、処理剤の総量に対し、重量濃度で前記直鎖状ポリジメチルシロキサンが０．２～３．０重量％、前記フルオロアルキルシランが０．２～２．０重量％、そして、前記直鎖状ポリジメチルシロキサンと前記フルオロアルキルシランとの総量が０．５～３．５重量％混入されたことを特徴とする。
摘要翻译：通过将至少一端具有两个或三个可水解官能团的直链聚二甲基硅氧烷混合在一起并含有30-400个二甲基硅氧烷（Si（CH 3）2）2而获得的水滴滑动膜的形成处理 O）单元，具有可水解官能团并含有6至12个碳氟化合物（CF 2 N 2或CF 3 N 3）单元的氟代烷基硅烷，以及包含有机溶剂，酸和水。该处理的特征在于，聚二甲基硅氧烷和氟代烷基硅烷的含量分别为0.2〜3.0重量％和0.2〜2.0重量％，两者的总含量为0.5〜3.5重量％，各自以总量为基准计，治疗量。

6. 发明申请

WO2012002243A1 撥水性保護膜形成剤、撥水性保護膜形成用薬液と該薬液を用いたウェハの洗浄方法审中-公开
标题翻译：水保护膜成型剂，形成水保护膜的化学溶液和使用化学溶液的水溶液清洗方法
公开(公告)号：WO2012002243A1
公开(公告)日：2012-01-05
申请号：PCT/JP2011/064370
申请日：2011-06-23
申请人：セントラル硝子株式会社 , 斎藤真規 , 齋尾崇 , 荒田忍 , 公文創一 , 七井秀寿
发明人：斎藤　真規 , 齋尾　崇 , 荒田　忍 , 公文　創一 , 七井　秀寿
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02057 , H01L21/0206 , H01L21/02068 , H01L21/306 , H01L21/3105 , H01L21/321
摘要：【課題】半導体デバイス製造において、凹凸パターン（２）の少なくとも凹部表面にケイ素元素を含む物質を含むウェハ（１）、又は、該凹凸パターン（２）の少なくとも凹部表面の一部がチタン、窒化チタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、窒化タンタル、及びルテニウムからなる群から選ばれる少なくとも１種の物質を含むウェハ（１）のパターンの倒れを防止しながらウェハを洗浄する方法に関し、効率的に洗浄することが可能な撥水性保護膜形成剤、及び、該剤を含む撥水性保護膜形成用薬液、及び、該薬液を用いたウェハの洗浄方法を提供する。【解決手段】上記ウェハの洗浄において、前記ウェハの少なくとも凹部表面に撥水性保護膜を形成するための撥水性保護膜形成剤であり、前記剤が下記一般式［１］で表されるケイ素化合物である。Ｒ 1 a ＳｉＸ 4-a ［１］
摘要翻译： [问题]提供一种防水保护膜形成剂，含有该试剂并用于形成防水保护膜的化学溶液以及使用该化学溶液的晶片的清洁方法，其中可能半导体器件的制造，以有效地清洁晶片同时防止图案崩溃：其中含有硅原子的物质的晶片（1）至少包含在不均匀图案化的（2）晶片表面中的凹部的表面上; 或其中至少一种选自钛，氮化钛，钨，铝，铜，锡，氮化钽和钌的物质中的至少一种物质包括在凹部的至少表面的一部分上的晶片（1）在不均匀图案化的（2）晶片表面。 [解决方案]一种防水保护膜形成剂，其用于晶片清洗中，用于在晶片的凹部的至少表面上形成防水保护膜，该试剂是由式[1]表示的硅化合物。 [1] R1 aSiX4-a

7. 发明申请

WO2011052443A1 保護膜形成用薬液审中-公开
标题翻译：形成保护膜的化学溶液
公开(公告)号：WO2011052443A1
公开(公告)日：2011-05-05
申请号：PCT/JP2010/068439
申请日：2010-10-20
申请人：セントラル硝子株式会社 , 斎藤真規 , 荒田忍 , 齋尾崇 , 公文創一 , 七井秀寿 , 赤松佳則
发明人：斎藤　真規 , 荒田　忍 , 齋尾　崇 , 公文　創一 , 七井　秀寿 , 赤松　佳則
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02068 , C11D1/002 , C11D1/004 , C11D1/04 , C11D1/40 , C11D11/0047 , H01L21/02057 , H01L21/0212 , H01L21/027 , H01L21/306 , H01L21/31127
摘要：開示されているのは、表面に微細な凹凸パターンを形成されたウェハにおいて該凹凸パターンの少なくとも凹部表面の一部がチタン、窒化チタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、窒化タンタル、ルテニウム、及びシリコンからなる群から選ばれる少なくとも１種の物質を含むウェハの洗浄時に、少なくとも前記凹部表面に撥水性保護膜を形成するための撥水性保護膜形成剤を含む薬液であり、該撥水性保護膜形成剤が非水溶性の界面活性剤であることを特徴とするウェハの撥水性保護膜形成用薬液である。この薬液によって形成される撥水性保護膜は洗浄工程におけるウェハのパターン倒れを防止できる。
摘要翻译：公开了含有形成防水保护膜的试剂的化学溶液，其用于至少在具有细小凹凸投影图案的晶片的凹陷表面上形成防水保护膜，当晶片被清洁时，所述晶片在至少一部分凹陷表面中含有选自钛，氮化钛，钨，铝，铜，锡，氮化钽，钌和硅中的至少一种物质的凹凸投影图案。用于形成晶片的防水保护膜的化学溶液的特征在于，用于形成防水保护膜的试剂是水不溶性表面活性剂。使用该化学溶液形成的防水保护膜能够在清洗步骤期间防止晶片中的图案塌陷。

8. 发明申请

WO2012002200A1 ウェハの洗浄方法审中-公开
标题翻译： WAFER CLEANING方法
公开(公告)号：WO2012002200A1
公开(公告)日：2012-01-05
申请号：PCT/JP2011/064201
申请日：2011-06-22
申请人：セントラル硝子株式会社 , 斎藤真規 , 荒田忍 , 齋尾崇 , 公文創一
发明人：斎藤　真規 , 荒田　忍 , 齋尾　崇 , 公文　創一
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02041
摘要：開示されているのは、金属系ウェハ又はシリコンウェハ（１）の洗浄方法であって、ウェハ表面を改質する前処理工程と、改質された前記ウェハ表面に撥水性保護膜（１０）を形成するための撥水性保護膜形成剤を含有する撥水性保護膜形成用薬液を、前記ウェハ（１）の少なくとも凹部（４）に保持し、該凹部表面に撥水性保護膜（１０）を形成する、撥水性保護膜形成工程を含み、前記撥水性保護膜形成剤が、Ｒ 1 a ＳｉＸ 4-a で表されるケイ素化合物であることを特徴とする、ウェハの洗浄方法である。この方法によって、パターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善できる。
摘要翻译：公开了一种用于金属或硅晶片（1）的清洁方法，其特征在于：包含用于改善晶片表面的预处理步骤; 含有防水保护膜形成步骤，其中保留了用于形成防水保护膜的化学溶液，所述防水保护膜含有用于在改进的晶片表面上形成防水保护膜（10）的防水保护膜形成剂至少在所述晶片的所述凹部（4）中，所述防水保护膜（10）形成在所述凹部表面上; 并且由作为由R1aSiX4-a表示的硅化合物的防水保护膜形成剂。该方法改善了容易引起图案崩溃的清洁步骤。

9. 发明申请

WO2007058016A1 熱線遮蔽膜形成基材の製法审中-公开
标题翻译：生产用于形成热屏蔽薄膜的基材的方法
公开(公告)号：WO2007058016A1
公开(公告)日：2007-05-24
申请号：PCT/JP2006/318740
申请日：2006-09-21
申请人：セントラル硝子株式会社 , 斎藤真規 , 濱口滋生 , 赤松佳則 , 公文創一
发明人：斎藤真規 , 濱口滋生 , 赤松佳則 , 公文創一
IPC分类号： B05D1/36 , C09D5/33 , C09D7/12 , C09D183/04
CPC分类号： C09D5/32 , C03C17/008 , C03C17/009 , C03C17/30 , C03C2217/445 , C03C2217/452 , C03C2217/475 , C03C2217/476 , C03C2217/485 , C03C2218/113 , C08K3/22 , C09D1/00 , C09D7/20 , C09D7/47 , C09D7/61 , C09D183/04
摘要：　トリアルコキシシラン又はトリアルコキシシランとテトラアルコキシシランとを出発原料として形成されたゾル溶液、及び錫ドープ酸化インジウム超微粒子が分散された溶液とを混合して処理剤とする工程、及び処理剤を基材に塗布する塗布工程を有する熱線遮蔽膜形成基材の製法が提供される。この製法において、前記処理剤は、沸点が１００乃至２００°Cの有機溶媒を分散媒として有する処理剤とし、前記塗布工程での塗布を、処理剤を保持した部材を基材に接触させる手段とすること、又は処理剤の噴霧による手段とすることで、形成される膜のヘーズ値を０．５％以下とする。
摘要翻译：一种用于形成隔热膜的基材的方法，包括将由三烷氧基硅烷或三烷氧基硅烷和四烷氧基硅烷形成的溶胶溶液作为起始原料与掺杂有锡的氧化铟超细颗粒的溶液混合的步骤从而制备处理剂和用处理剂涂覆基材的涂布步骤。在该方法中，处理剂包含作为分散介质的沸点为100〜200℃的有机溶剂。通过使保持处理剂的部件与基材接触或将处理剂喷射到基材上，由此使成膜的雾度值为0.5％以下，进行涂布工序中的涂层。

10. 发明申请

WO2012002146A1 保護膜形成用薬液及びウェハ表面の洗浄方法审中-公开
标题翻译：用于形成保护膜的化学溶液和用于表面的洗涤方法
公开(公告)号：WO2012002146A1
公开(公告)日：2012-01-05
申请号：PCT/JP2011/063635
申请日：2011-06-15
申请人：セントラル硝子株式会社 , 荒田忍 , 斎藤真規 , 齋尾崇 , 公文創一 , 七井秀寿
发明人：荒田　忍 , 斎藤　真規 , 齋尾　崇 , 公文　創一 , 七井　秀寿
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： C09D5/38 , H01L21/02068 , H01L21/321
摘要：開示されているのは、金属系ウェハの少なくとも凹部表面に撥水性保護膜を形成するための薬液であり、Ｇｒｉｆｆｉｎ法によるＨＬＢ値が０．００１～１０であり炭素数が６～１８の炭化水素基を含む疎水部を有する界面活性剤と、水を含み、薬液中の前記界面活性剤の濃度が、該薬液の総量１００質量％に対して０．００００１質量％以上、飽和濃度以下であることを特徴とする、撥水性保護膜形成用薬液である。この薬液は金属系ウェハのパターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善できる。
摘要翻译：公开了一种用于在至少金属晶片上的凹部表面上形成防水保护膜的化学溶液，所述化学溶液含有水和HLB值为0.001-10的表面活性剂，根据格里芬方法，其包含包含6-18个碳数烃基的疏水部分。所述化学溶液中的表面活性剂相对于化学溶液总体积的100质量％的浓度为至少0.00001质量％但不大于饱和浓度。所公开的化学溶液是对金属晶片中倾向于引起图案塌陷的洗涤过程的改进。

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