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1. 发明申请

WO2012144239A1 コネクタ审中-公开
标题翻译：连接器
公开(公告)号：WO2012144239A1
公开(公告)日：2012-10-26
申请号：PCT/JP2012/050149
申请日：2012-01-06
申请人：日本航空電子工業株式会社 , 白鳥雅之 , 戸田健太郎
发明人：白鳥　雅之 , 戸田　健太郎
IPC分类号： H01R13/6461 , H01R12/71
CPC分类号： H01R13/6471 , H01R12/724
摘要：　差動信号を扱うコネクタの２本の信号ピンＳと隣接する１本または２本のグランドピンＧとの組合せにより１レーンを形成するものとする。差動信号を２列千鳥配置のピンに割当てるに際し、基板半田付側のピン割当てとして、１列目の左端に(ＳＧＳ)を割当てて１番目のレーンを形成し、奇数番目のレーンには(ＳＧＳ)、偶数番目のレーンには(ＧＳＳＧ)を割当ててゆき、２列目の左端には(ＧＳＳＧ)を割当てて１番目のレーンを形成し、奇数番目のレーンには(ＧＳＳＧ)、偶数番目のレーンには(ＳＧＳ)を割当ててゆく。
摘要翻译：在本发明中，通过组合处理差分信号的连接器的两个信号引脚（S）和一个或两个相邻的接地引脚（G）来形成一个通道。当差分信号被分配给两排交错引脚时，通过在电路板的焊料侧上分配（SGS）到第一行的左端来分配引脚来形成第一通道。（SGS）然后分配给奇数号车道和（GSSG）到偶数车道。另外，通过向第二行的左端分配（GSSG）形成第一通道，其中（GSSG）分配给奇数行和（SGS）到偶数行。

2. 发明申请

WO2011129331A1 ケイ酸塩系蛍光体及びケイ酸塩系蛍光体の製造方法审中-公开
标题翻译：基于硅酸盐的荧光材料和生产基于硅酸盐的荧光材料的方法
公开(公告)号：WO2011129331A1
公开(公告)日：2011-10-20
申请号：PCT/JP2011/059090
申请日：2011-04-12
申请人：国立大学法人新潟大学 , リードケミカル株式会社 , 戸田健司 , 佐藤峰夫 , 上松和義 , 石垣雅 , 須田秀生 , 嶺岸悦子 , 工藤嘉昭
发明人：戸田　健司 , 佐藤　峰夫 , 上松　和義 , 石垣　雅 , 須田　秀生 , 嶺岸　悦子 , 工藤　嘉昭
IPC分类号： C09K11/08 , C09K11/00 , C09K11/59
CPC分类号： C09K11/7734
摘要：　発光強度に優れたケイ酸塩系蛍光体及びその製造方法を提供する。　ケイ酸塩系蛍光体の製造方法は、Ｅｕ、Ｃｅ、Ｍｎ、及びＴｂのうちの少なくとも一つの発光イオンを含んだ化合物を有した原料粉末を容器内に収容し、気相状態のＳｉＯｘ（０．５≦ｘ≦１．９、好ましくは０．８≦ｘ≦１．２）を供給しながら原料粉末を焼成することを特徴とする。原料粉末は、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物、マグネシウム化合物、及び、希土類化合物の少なくとも一つをさらに含むことが好ましい。ケイ酸塩系蛍光体は、好ましくは、Ｍ２ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋（ただし、ＭはＣａ、ＳｒおよびＢａからなる群より選ばれる１種以上である。）である。焼成は、１２００～１７００℃の温度のガス雰囲気下でＳｉＯｘを原料粉末に供給し、７００～１７００℃の温度で原料粉末を気相－固相反応させることが好ましい。
摘要翻译：提供了具有优异的荧光强度的硅酸盐系荧光材料和荧光体的制造方法。硅酸盐系荧光体的制造方法的特征在于，向容器内导入包含含有选自Eu，Ce，Mn，Tb中的至少一种发光性离子的化合物的原料粉末，同时供给原料粉末气态SiOx（0.5 = x = 1.9，优选0.8 = x = 1.2）。起始原料粉末优选还含有碱金属化合物，碱土金属化合物，镁化合物和稀土化合物中的至少一种。硅酸盐系荧光材料优选为M2SiO4：Eu2 +（其中M为选自Ca，Sr和Ba中的一种或多种元素）。优选地，以在温度为1200〜1700℃的气氛气氛中将SiO x供给到起始原料粉末的方式进行燃烧，并使原料粉末在温度下进行气固反应 700-1,700ºC。

3. 发明申请

WO2010089872A1 アルコール濃度センサ审中-公开
标题翻译：酒精浓度传感器
公开(公告)号：WO2010089872A1
公开(公告)日：2010-08-12
申请号：PCT/JP2009/051977
申请日：2009-02-05
申请人：国立大学法人新潟大学 , 根本特殊化学株式会社 , 上松和義 , 佐藤峰夫 , 戸田健司 , 前野起男 , 長谷川由
发明人：上松和義 , 佐藤峰夫 , 戸田健司 , 前野起男 , 長谷川由
IPC分类号： G01N21/41 , G01N21/03 , G01N21/59 , H01M8/04
CPC分类号： G01N21/53 , G01N21/4133 , G01N21/534 , G01N33/2852 , G01N2201/0221 , G01N2201/062 , H01M8/04194 , H01M8/04447 , H01M8/1009
摘要：携帯電子機器搭載用のダイレクト型燃料電池に用いることができる、小型かつ低価格のアルコール濃度センサを提供する。アルコール水溶液に接し、アルコール水溶液を透過する光を散乱させる散乱体２と、散乱体２に光を照射する光照射手段３と、散乱体２を透過した光の強度を検出する光強度検出手段４を備えている。アルコール濃度によってアルコール水溶液の屈折率が僅かに異なることを利用するものであり、アルコール水溶液に接する散乱体２に光を照射して、散乱体２を透過した光の強度を検出する。アルコール水溶液の屈折率が僅かな差であっても、透過した光の強度は大きな差として現れるため、極めて簡単な構成にもかかわらず、透過した光の強度に基づいて正確にアルコール濃度を算出することができる。
摘要翻译：提供了一种小型和低价酒精浓度传感器，其可用于直接燃料电池中以安装在便携式电子设备中。酒精浓度传感器设置有用于散射透过与醇水溶液接触的醇水溶液的光的散射体（2），用于用光照射散射体（2）的光照射单元（3）以及用于检测透射通过散射体（2）的光的强度的光强度检测装置（4）。使用根据酒精浓度的醇水溶液的折射率的微小差异。与醇水溶液接触的散射体（2）被照射，并且检测透过散射体（2）的光的强度。即使酒精水溶液的折射率的差异小，透射光的强度差大，也可以基于透射光的强度精确地计算出酒精浓度，结构简单

4. 发明申请

WO2008102821A1 無線基地局及び無線通信方法审中-公开
标题翻译：无线基站和无线电通信方法
公开(公告)号：WO2008102821A1
公开(公告)日：2008-08-28
申请号：PCT/JP2008/052891
申请日：2008-02-20
申请人：京セラ株式会社 , 上甲信悟 , 戸田健 , 中山琢
发明人：上甲信悟 , 戸田健 , 中山琢
IPC分类号： H04Q7/36 , H04B7/26 , H04L12/28
CPC分类号： H04W72/042 , H04W72/085
摘要：無線基地局１００Ａは、無指向性ビームによってブロードキャストされるマップ領域と、指向性ビームによって所定の方向に向かって送信される特定領域とを含む下り方向フレームを用いて、チャネル割当情報を無線通信端末に送信する。無線基地局１００Ａは、移動体通信システム１が取り扱うトラフィックの状態を取得するトラフィック状態取得部１０５と、トラフィック状態取得部１０５によって取得されたトラフィックの状態に基づいて、下り方向フレームにおける特定領域のサイズを変化させるフレーム制御部１０７とを備える。
摘要翻译：无线基站（100A）通过使用包含由非指向性波束广播的地图区域和通过方向性波束朝向预定方向发送的特定区域的向下帧，向无线电通信终端发送信道分配信息。无线基站（100A）包括：业务状态获取单元（105），其获取由移动通信系统（1）处理的业务状态; 以及帧控制单元，其根据由交通状态获取单元（105）获得的交通状况改变下行帧中的特定区域的大小。

5. 发明申请

WO2007091342A1 硝酸溶液を経由した酸化チタン合成法审中-公开
标题翻译：通过硝酸溶液合成氧化钛的方法
公开(公告)号：WO2007091342A1
公开(公告)日：2007-08-16
申请号：PCT/JP2006/316919
申请日：2006-08-29
申请人：国立大学法人新潟大学 , 株式会社サンテック , 戸田健司 , 田中稔彦 , 福若弘一 , 山中善臣
发明人：戸田健司 , 田中稔彦 , 福若弘一 , 山中善臣
IPC分类号： C01G23/04
CPC分类号： C01G23/053 , C01P2002/72
摘要：高温のガスを用いることなく、安全性が高く、環境負荷が小さい酸化チタン合成法を提供する。イルメナイトにアルカリ金属化合物を混合して混合物を得る混合工程と、混合物を焼成して焼成物を得る焼成工程と、焼成物を酸で溶解して溶液を得る溶解工程と、溶液を加熱して酸化チタンを析出させる析出工程とを備えた。好ましくは混合工程において、イルメナイトとアルカリ金属化合物とをチタンとアルカリ金属のモル比を１：２．５～３．５として混合し、焼成工程において、混合物を８００～１０００°Cで０．５～２時間焼成する。
摘要翻译：一种氧化钛合成方法，其中不使用高温气体，并且是高度安全的并且降低了环境负担。该方法包括：将钛铁矿与碱金属化合物混合以获得混合物的混合步骤; 燃烧步骤，其中燃烧混合物以获得燃烧产物; 其中将燃烧产物溶解在酸中以获得溶液的溶解步骤; 以及沉淀步骤，其中将溶液加热以沉淀氧化钛。优选地，混合步骤中的钛铁矿和碱金属化合物以钛与碱金属的摩尔比为1 /（2.5-3.5）的比例混合。在燃烧步骤中，混合物优选在800-1,000℃下燃烧0.5-2小时。

6. 发明申请

WO2005006444A1 ヘテロバイポーラトランジスタおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：异相双极晶体管及其制造方法
公开(公告)号：WO2005006444A1
公开(公告)日：2005-01-20
申请号：PCT/JP2004/009901
申请日：2004-07-06
申请人：松下電器産業株式会社 , 齊藤徹 , 川島孝啓 , 井戸田健 , 神澤好彦 , 大西照人
发明人：齊藤徹 , 川島孝啓 , 井戸田健 , 神澤好彦 , 大西照人
IPC分类号： H01L29/737
CPC分类号： H01L29/66242 , H01L29/7378
摘要：バイポーラトランジスタ１２０は、基板１と、前記基板１の上に形成され、シリコンからなるシリコンバッファ層１０９と、前記シリコンバッファ層１０９の上に形成され、シリコンと少なくともゲルマニウムを含み、前記シリコンに対する前記ゲルマニウムの成分の組成比が厚み方向に変化する組成比傾斜ベース層１１１と、を有する真性ベース領域１１と、前記基板１の上に前記シリコンバッファ層１０９と並んで形成され、シリコンからなる外部ベース形成層１１３を有する外部ベース領域１２と、を備え、前記外部ベース形成層１１３の厚みが、４０ｎｍ以上である。
摘要翻译：双极晶体管（120）包括衬底（1），本征基极区域（11）和非本征基极区域（12）。本征基区（11）包括形成在基板（1）上并由硅构成的硅缓冲层（109）和形成在硅缓冲层（109）上的组成比变化基层（111）），并含有硅和至少锗。在组成比基础层（111）中，锗组分与硅的组成比在厚度方向上变化。外部基极区域（12）包括在衬底（1）上如此形成以在硅缓冲层（109）旁边并由硅构成的非本征基底形成层（113）。外部基底形成层（113）的厚度不小于40nm。

7. 发明申请

WO2008133298A1 受信制御方法および無線通信装置审中-公开
标题翻译：接收控制方法和无线电通信方法
公开(公告)号：WO2008133298A1
公开(公告)日：2008-11-06
申请号：PCT/JP2008/057935
申请日：2008-04-24
申请人：京セラ株式会社 , 戸田健 , 沖野健太 , 中山琢 , 山崎忠史
发明人：戸田健 , 沖野健太 , 中山琢 , 山崎忠史
IPC分类号： H04J11/00 , H04B7/08 , H04B7/10
CPC分类号： H04B7/0811
摘要：　アンテナ＃１（初期には無指向性のアンテナ）から信号を受信すると、ガードインターバル相関器１２により、受信信号のガードインターバル部分の相関を求め、出力測定器１３により、ガードインターバル相関器１２におけるピーク出力を測定する。比較器１４は、出力測定器１３が測定したピーク出力を設定閾値と比較し、設定閾値を下回ったときは、アンテナ切替制御信号をアンテナ切替器１１へ出力し、アンテナ切替器１１は、異なる指向性のアンテナ＃２に切り替える。
摘要翻译：当从天线＃1（初始阶段的非方向性天线）接收到信号时，保护间隔相关器（12）获得接收信号的保护间隔部分与输出测量装置（13）的相关性，保护间隔相关器（12）中的峰值输出。比较器（14）将由输出测量装置（13）测量的峰值输出与设定的阈值进行比较。如果峰值输出低于设定的阈值，天线切换控制信号被输出到天线选择开关（11），天线选择开关（11）选择方向性不同的天线＃2。

8. 发明申请

WO2007029369A1 発光ダイオード用蛍光体审中-公开
标题翻译：用于发光二极管的荧光物质
公开(公告)号：WO2007029369A1
公开(公告)日：2007-03-15
申请号：PCT/JP2006/307139
申请日：2006-04-04
申请人：国立大学法人新潟大学 , 戸田健司 , 佐藤峰夫 , 上松和義 , 高坂真一郎 , 川上義貴
发明人：戸田健司 , 佐藤峰夫 , 上松和義 , 高坂真一郎 , 川上義貴
IPC分类号： C09K11/59 , H01L33/00
CPC分类号： H05B33/14 , C09K11/7734 , C09K11/7774 , H01L33/502
摘要：紫外発光ダイオードの励起により三原色のいずれかの発光を示す新規の発光ダイオード用蛍光体、或いは、青色発光ダイオードの励起により赤色域の発光を示す新規の発光ダイオード用蛍光体を提供する。Ｎａ２ＳｒＳｉ２Ｏ６にＥｕ３＋をドープする。好ましくは、Ｅｕ３＋は、母体結晶中の濃度が１～８０モル％となるように添加し、Ｎａ２ＳｒＳｉ２Ｏ６のＳｉ４＋サイトにＡｌ３＋又は／及びＧａ３＋を置換する。Ｃａ３Ｓｉ２Ｏ７にＣｅ３＋とＴｂ３＋をドープする。好ましくは、Ｃｅ３＋とＴｂ３＋は、母体結晶中の濃度がそれぞれ０．１～５モル％及び０．１～２０モル％となるように添加する。Ｃａ３Ｓｉ２Ｏ７にＥｕ２＋をドープする。好ましくは、Ｅｕ２＋は、母体結晶中の濃度が０．５～１０モル％となるように添加する。
摘要翻译：本发明提供了一种用于发光二极管的新型荧光物质，其在紫外发光二极管激发时表现出三原色中的任一种的发光，或者表现出发光二极管的新型荧光物质，其发出红色蓝色发光二极管激发时的区域。 Na 2 S 2 Si 2 O 6 O 6掺杂有Eu 3+。优选添加Eu 3+，使得主晶体中Eu 3+的浓度为1〜80摩尔％。其Si 4+中的Na 2 SrSi 2 O 6 S 6被取代为Al 3+ / SUP>或/和Ga 3+。 Ca 3 Si 2 N 2 O 7掺杂有Ce 3+和Tb 3+， >。优选加入Ce 3+和Tb 3+，以使Ce 3+和Tb 3+的浓度增加主体结晶分别为0.1〜5摩尔％，0.1〜20摩尔％。 Ca 3 Si 2 N 2 O 7掺杂有Eu 2+。优选加入Eu 2+，使得主晶体中的Eu 2+浓度为0.5〜10摩尔％。

9. 发明申请

WO2012074103A1 結晶性物質、並びにそれを用いた発光装置及び白色ＬＥＤ审中-公开
标题翻译：晶体材料，发光装置和使用相同的白色LED
公开(公告)号：WO2012074103A1
公开(公告)日：2012-06-07
申请号：PCT/JP2011/077950
申请日：2011-12-02
申请人：国立大学法人新潟大学 , 住友化学株式会社 , 戸田健司 , 上松和義 , 佐藤峰夫 , 石垣雅 , 川上義貴 , 梅田鉄
发明人：戸田　健司 , 上松　和義 , 佐藤　峰夫 , 石垣　雅 , 川上　義貴 , 梅田　鉄
IPC分类号： C01B33/20 , C01B21/082 , C09K11/08 , C09K11/59 , C09K11/66 , H01L33/50
CPC分类号： H01L33/502 , C01B21/0821 , C01B21/0823 , C01P2002/50 , C01P2002/52 , C01P2002/84 , C09K11/0883 , C09K11/7734
摘要：　Ｍ１２ａ（Ｍ２ｂＬｃ）Ｍ３ｄＯｙＮｘで表され、Ｍ１はアルカリ金属から選択される少なくとも一種の元素であり、Ｍ２はＣａ、Ｓｒ及びＢａから選択される少なくとも一種の元素であり、Ｍ３はＳｉ及びＧｅから選択される少なくとも一種の元素であり、Ｌは希土類元素、Ｂｉ及びＭｎから選択される少なくとも一種の元素であり、ａは、０．９～１．５であり、ｂは、０．８～１．２であり、ｃは、０．００５～０．２であり、ｄは、０．８～１．２であり、ｘは、０．００１～１．０であり、ｙは、３．０～４．０以下である、結晶性物質。
摘要翻译：该结晶材料由M1 2a（M2 bLc）M3 dOyNx表示，其中：M1是选自碱金属的至少一种元素; M2是选自Ca，Sr和Ba中的至少一种元素; M3是选自Si和Ge中的至少一种元素; L是选自稀土元素Bi和Mn中的至少一种元素; a为0.9〜1.5; b为0.8〜1.2; c为0.005〜0.2; d为0.8〜1.2; x为0.001〜1.0; y为3.0〜4.0。

10. 发明申请

WO2012074102A1 結晶性物質の製造方法审中-公开
标题翻译：生产结晶材料的方法
公开(公告)号：WO2012074102A1
公开(公告)日：2012-06-07
申请号：PCT/JP2011/077949
申请日：2011-12-02
申请人：国立大学法人新潟大学 , 住友化学株式会社 , 戸田健司 , 上松和義 , 佐藤峰夫 , 石垣雅 , 川上義貴 , 梅田鉄
发明人：戸田　健司 , 上松　和義 , 佐藤　峰夫 , 石垣　雅 , 川上　義貴 , 梅田　鉄
IPC分类号： C01B33/20 , C01B21/082 , C09K11/08 , C09K11/59 , C09K11/66 , H01L33/50
CPC分类号： C09K11/7734 , C01B21/0821 , C01B21/0826 , C01P2002/50 , C01P2002/76 , C01P2002/84 , C09K11/0883 , H01L33/502 , H05B33/14
摘要：　Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、及びＬを含む原料混合物を、ＮＨ３ガスを含有する雰囲気下で焼成して、Ｍ１２ａ（Ｍ２ｂＬｃ）Ｍ３ｄＯｙＮｘで表される結晶性物質を生成させる工程を含む、結晶性物質の製造方法。
摘要翻译：一种结晶材料的制造方法，包括在具有NH 3气体的气氛中煅烧含有M1，M2，M3和L的原料混合物并产生由M1 2a（M2 bLc）M3 dOyNx表示的结晶材料的步骤。

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