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1. 发明申请

WO2005006444A1 ヘテロバイポーラトランジスタおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：异相双极晶体管及其制造方法
公开(公告)号：WO2005006444A1
公开(公告)日：2005-01-20
申请号：PCT/JP2004/009901
申请日：2004-07-06
申请人：松下電器産業株式会社 , 齊藤徹 , 川島孝啓 , 井戸田健 , 神澤好彦 , 大西照人
发明人：齊藤徹 , 川島孝啓 , 井戸田健 , 神澤好彦 , 大西照人
IPC分类号： H01L29/737
CPC分类号： H01L29/66242 , H01L29/7378
摘要：バイポーラトランジスタ１２０は、基板１と、前記基板１の上に形成され、シリコンからなるシリコンバッファ層１０９と、前記シリコンバッファ層１０９の上に形成され、シリコンと少なくともゲルマニウムを含み、前記シリコンに対する前記ゲルマニウムの成分の組成比が厚み方向に変化する組成比傾斜ベース層１１１と、を有する真性ベース領域１１と、前記基板１の上に前記シリコンバッファ層１０９と並んで形成され、シリコンからなる外部ベース形成層１１３を有する外部ベース領域１２と、を備え、前記外部ベース形成層１１３の厚みが、４０ｎｍ以上である。
摘要翻译：双极晶体管（120）包括衬底（1），本征基极区域（11）和非本征基极区域（12）。本征基区（11）包括形成在基板（1）上并由硅构成的硅缓冲层（109）和形成在硅缓冲层（109）上的组成比变化基层（111）），并含有硅和至少锗。在组成比基础层（111）中，锗组分与硅的组成比在厚度方向上变化。外部基极区域（12）包括在衬底（1）上如此形成以在硅缓冲层（109）旁边并由硅构成的非本征基底形成层（113）。外部基底形成层（113）的厚度不小于40nm。

2. 发明申请

WO2003026018A1 半導体装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其生产方法
公开(公告)号：WO2003026018A1
公开(公告)日：2003-03-27
申请号：PCT/JP2002/009569
申请日：2002-09-18
申请人：松下電器産業株式会社 , 井戸田健 , 大西照人 , 浅井明
发明人：井戸田健 , 大西照人 , 浅井明
IPC分类号： H01L29/73
CPC分类号： H01L29/66242 , H01L21/8249 , H01L29/7378
摘要： A method of producing a semiconductor device comprising the steps of forming a first−conduction−type collector layer (102) on a part of the surface of a semiconductor substrate, then forming a collector opening (110) in a first insulation layer (108) formed on the semiconductor substrate, forming by epitaxial growing a semiconductor layer (111) including a second−conduction−type layer constituting a base layer on the semiconductor substrate in this collector opening, then sequentially laminating on the semiconductor substrate an etching stopper layer (112) for dry etching and a masking layer (200) for wet etching by epitaxial growing, removing part of the masking layer by dry etching to expose part of the etching stopper layer, and wet etching the exposed portion of the etching stopper layer using the remaining masking layer as a mask to thereby form a base joining opening (114) in the etching stopper layer and the masking layer.
摘要翻译：一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在半导体衬底的表面的一部分上形成第一导电型集电极层，然后在第一绝缘层（108）中形成集电极开口（110）形成在所述半导体基板上，通过在所述集电体开口中在所述半导体基板上外延生长包括构成基底层的第二导电型层的半导体层（111），然后在所述半导体基板上依次层叠蚀刻停止层（112））和用于通过外延生长进行湿蚀刻的掩模层（200），通过干蚀刻去除部分掩模层以暴露部分蚀刻停止层，并使用剩余的蚀刻步骤湿蚀刻蚀刻停止层的暴露部分掩模层作为掩模，从而在蚀刻停止层和掩模层中形成基底接合开口（114）。

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