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1. 发明申请

WO2010087333A1 光電変換セル、光電変換モジュールおよび光電変換セルの製造方法审中-公开
标题翻译：光电转换单元，光电转换模块和制造光电转换单元的方法
公开(公告)号：WO2010087333A1
公开(公告)日：2010-08-05
申请号：PCT/JP2010/050967
申请日：2010-01-26
申请人：京セラ株式会社 , 宮内宏治
发明人：宮内　宏治
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/0465 , H01L31/046 , Y02E10/50
摘要：　光電変換セル２０は、互いに間隔をあけて位置する、第１の電極層２および第２の電極層８と、第１の電極層２上に位置し、第１の導電型を有する第１半導体層３と、第１半導体層３上に位置し、第１半導体層３とｐｎ接合する第２の導電型を有する第２半導体層４と、第２半導体層４と第２の電極層８とを電気的に接続する接続部７と、第２半導体層４上に位置し、接続部７から第２半導体層４の第１の端部Ａに達する、線状電極６と、を具備する。
摘要翻译：公开了一种光电转换电池（20），其包括：彼此分离布置的第一电极层（2）和第二电极层（8）; 第一半导体层（3），其具有第一导电类型并且布置在第一电极层（2）上; 第二半导体层（4），其具有第二导电类型并且布置在第一半导体层（3）上，从而与第一半导体层（3）形成pn结; 将第二半导体层（4）与第二电极层（8）电连接的连接部（7）; 以及布置在第二半导体层（4）上并从连接部分（7）延伸到第二半导体层（4）的第一端部（A）的衬里电极（6）。

2. 发明申请

WO2011090100A1 光電変換装置审中-公开
标题翻译：光电转换器件
公开(公告)号：WO2011090100A1
公开(公告)日：2011-07-28
申请号：PCT/JP2011/050938
申请日：2011-01-20
申请人：京セラ株式会社 , 宮内宏治
发明人：宮内　宏治
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/0322 , H01L31/022433 , Y02E10/541
摘要：　光電変換装置においては、互いに離間しつつ所定の配列方向に配列された複数の光電変換セルを有する。前記光電変換セルは、互いに対向するように平面的に隙間を空けて位置し、前記配列方向の一方端部側に配置された第１の下部電極層および他方端部側に配置された第２の下部電極層を有する。さらに、前記光電変換セルは、一方導電型の層と、他方導電型の層と、接続導体とを備える。さらに、光電変換装置においては、前記光電変換セルにおいて、前記配列方向における前記一方端部から前記隙間までの最大距離および最小距離をそれぞれＤ１、Ｄ２とし、前記配列方向における前記他方端部から前記隙間までの最大距離および最小距離をそれぞれＤ３、Ｄ４とするとき、前記Ｄ１、前記Ｄ２、前記Ｄ３および前記Ｄ４が、Ｄ１＋Ｄ４＝Ｄ２＋Ｄ３かつＤ１＞Ｄ２≧Ｄ３＞Ｄ４の関係を有する。
摘要翻译：公开了一种光电转换装置，其具有以规定的排列方向排列的多个光电转换元件，同时彼此分离。光电转换单元被定位在平面状态，其间插入有间隙，以便彼此面对，并且包括布置在排列方向上的第一端部侧的第一下部电极层和布置在第一下部电极层第二端部侧在排列方向上。光电转换单元还设置有第一导电型层，第二导电型层和连接导体。在光电转换装置的光电转换单元中，D1，D2，D3，D4分别具有D1 + D4 = D2 + D3和D1> D2 = D3> D4的关系，D1和D2分别为最大和最小距离从第一端部到排列方向的间隙，D3和D4分别是从第二端部到布置方向上的间隙的最大和最小距离。

3. 发明申请

WO2008047881A1 結晶シリコン粒子の製造方法及び結晶シリコン粒子の製造装置审中-公开
标题翻译：生产水晶硅颗粒和晶体硅颗粒生产设备的方法
公开(公告)号：WO2008047881A1
公开(公告)日：2008-04-24
申请号：PCT/JP2007/070384
申请日：2007-10-18
申请人：京セラ株式会社 , 菅原信 , 草部和宏 , 高橋衛郷 , 宮内宏治 , 有宗久雄
发明人：菅原信 , 草部和宏 , 高橋衛郷 , 宮内宏治 , 有宗久雄
IPC分类号： C30B29/06 , C01B33/02 , C30B30/08 , H01L21/208 , H01L31/04
CPC分类号： C30B30/08 , C01B33/02 , C30B29/06
摘要：【課題】　粒状のシリコン融液の過冷却度が小さくなるように制御して、結晶品質が高品質でばらつきの少ないものを、高い生産性で低コストに製造する製造方法及び製造装置を提供する。【解決手段】粒状のシリコン融液７を落下中に冷却して固化させることによって結晶シリコン粒子８を製造する製造方法であって、粒状のシリコン融液７の過冷却度（（過冷却度）＝（シリコンの融点）－（凝固開始温度））を自然放冷時の過冷却度よりも小さい弱過冷却度とし、弱過冷却度の凝固開始温度まで融液状態のままで粒状のシリコン融液７を冷却する過冷却工程と、弱過冷却度の凝固開始温度に達した時点以降に温度を保持する保温工程とを具備する。
摘要翻译：本发明提供通过控制以低成本，高生产率制造具有低波动的高结晶质量的晶体硅晶粒的方法，以降低粒状硅熔体的过冷却程度，并提供其中使用的生产设备。解决问题的手段提供了通过在其坠落期间冷却颗粒状硅熔体（7）从而使其固化的方法来制造晶体硅晶粒（8），该方法包括控制过冷度的过冷却步骤（过冷度）=（凝固起始温度））（以下）为弱过冷度，使过冷却过冷度降低，冷却粒状硅熔体（7）的过冷度熔融形式至弱过冷度的凝固起始温度; 以及在达到弱过冷度的凝固开始温度的时刻之后进行保温的保温工序。

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