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1. 发明申请

WO2009072405A1 化学機械研磨パッドおよび化学機械研磨方法审中-公开
标题翻译：化学机械抛光垫和化学机械抛光方法
公开(公告)号：WO2009072405A1
公开(公告)日：2009-06-11
申请号：PCT/JP2008/071161
申请日：2008-11-14
申请人： JSR株式会社 , 岡本隆浩 , 桑原力丸 , 保坂幸生 , 辻昭衛
发明人：岡本隆浩 , 桑原力丸 , 保坂幸生 , 辻昭衛
IPC分类号： B24B37/00 , C08L9/00 , C08L23/08 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/24
摘要：（Ａ）非水溶性マトリックスの前駆体成分および（Ｂ）水溶性物質を含有する組成物から形成された研磨層を有する化学機械研磨パッドであって、上記（Ａ）非水溶性マトリックスの前駆体成分はその全量を１００質量部とした場合に、（Ａ－１）（ａ１）不飽和カルボン酸および不飽和カルボン酸無水物よりなる群から選ばれる少なくとも１種の不飽和化合物と、（ａ２）上記（ａ１）以外の不飽和化合物と、のランダム共重合体またはブロック共重合体を６０～１００質量部含有するものであることを特徴とする、化学機械研磨パッド。
摘要翻译：公开了一种具有抛光层的化学机械抛光垫，其由含有水不溶性基质和水溶性物质（B）的前体成分（A）的组合物制成。化学机械抛光垫的特征在于，水不溶性基质的前体成分（A）含有60〜100质量份所选择的至少一种不饱和化合物（a1）的无规共聚物或嵌段共聚物（A-1）由不饱和羧酸助剂和不饱和羧酸酐组成的组和不饱和化合物（a1）以外的不饱和化合物（a2），当前体成分（A）的合计为100质量份时。

2. 发明申请

WO2005104199A1 半導体ウエハ用研磨パッド及びこれを備える半導体ウエハ用研磨複層体並びに半導体ウエハの研磨方法审中-公开
标题翻译：用于半导体波长的抛光垫，用于具有相同功能的半导体波长的抛光多层体及抛光半导体波长的方法
公开(公告)号：WO2005104199A1
公开(公告)日：2005-11-03
申请号：PCT/JP2004/005963
申请日：2004-04-23
申请人： JSR株式会社 , 志保浩司 , 保坂幸生 , 長谷川亨 , 川橋信夫
发明人：志保浩司 , 保坂幸生 , 長谷川亨 , 川橋信夫
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B37/205
摘要：本発明の目的は、研磨性能を低下させることなく、光学式の終点検出を行うことができる半導体ウエハ用研磨パッド及び半導体ウエハ用研磨複層体並びに半導体ウエハの研磨方法を提供することにある。本発明の研磨パッドは、表裏に貫通する貫通孔を備える研磨パッド用基体11と、貫通孔内に嵌合された透光性部材12とを備え、透光性部材は非水溶性マトリックス材(1,2-ポリブタジエン)と、非水溶性マトリックス材中に分散された水溶性粒子(β-シクロデキストリン)とを含有し、非水溶性マトリックス材と水溶性粒子との合計を100体積%とした場合に、水溶性粒子は5体積%未満である。また、本発明の研磨複層体は、上記研磨パッドの裏面側に支持層を備える。これら研磨パッド及び研磨複層体は、裏面側に固定用層13を備えることができる。
摘要翻译：抛光垫，抛光多层体和用于半导体晶片的抛光方法，其能够在不降低抛光性能的情况下进行光学终点检测。抛光垫包括用于具有通孔的抛光垫的基板（11）和装配在通孔中的半透明构件（12），其中半透明构件包含水不溶性基质材料（1,2-聚丁二烯）和水 - 分散在水不溶性基质材料中的可溶性颗粒（β-环糊精）。假设水不溶性基质材料和水溶性颗粒的总量为100体积％，则水溶性颗粒小于5体积％。抛光多层体包括设置在抛光垫背侧的支撑层。这些抛光垫和抛光多层体可以在背面设置有固定层（13）。

3. 发明申请

WO2012008252A1 化学機械研磨パッドおよび化学機械研磨方法审中-公开
标题翻译：化学机械抛光垫和化学机械抛光方法
公开(公告)号：WO2012008252A1
公开(公告)日：2012-01-19
申请号：PCT/JP2011/063500
申请日：2011-06-13
申请人： JSR株式会社 , 久保光太郎 , 保坂幸生 , 岡本隆浩
发明人：久保　光太郎 , 保坂　幸生 , 岡本　隆浩
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/00
CPC分类号： B24B37/26 , B24B37/24 , H01L21/31053 , H01L21/3212
摘要：　本発明に係る化学機械研磨パッドは、研磨層を備えた化学機械研磨パッドであって、前記研磨層の研磨に供される表面には凹部が設けられ、前記研磨層は少なくとも前記凹部の内面を含む表層部を有し、前記表層部と交差しない面で前記研磨層を切断した断面を２３℃の水に１時間浸漬したときの前記断面における平均開口率Ｄ２（％）に対する、前記研磨層を２３℃の水に１時間浸漬したときの前記凹部の内面における平均開口率Ｄ１（％）の比率（Ｄ１／Ｄ２）が、０．０１以上０．５以下であることを特徴とする。
摘要翻译：公开了一种设置有抛光层的化学机械抛光垫，其中在抛光层的表面上设置有凹部用于抛光。抛光层：具有至少包含凹部内表面的表层部分; 其特征在于，将抛光层浸渍在23℃的水中1小时时的凹部的内表面的平均开口率（D1）（％）的比（D1 / D2）（％）为平均开口率当在与表面层部分不相交的平面中切割抛光层所限定的横截面在23℃的水中浸渍1小时时，横截面为D2）（％）为0.01〜0.5。

4. 发明申请

WO2007086529A1 化学機械研磨パッドおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：化学机械抛光垫及其制造方法
公开(公告)号：WO2007086529A1
公开(公告)日：2007-08-02
申请号：PCT/JP2007/051315
申请日：2007-01-22
申请人： JSR株式会社 , 保坂幸生 , 辻昭衛
发明人：保坂幸生 , 辻昭衛
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/00
CPC分类号： B24D18/00 , B24B37/20 , H01L21/67294
摘要：本発明の化学機械研磨パッドは、円形の研磨面と該研磨面の裏面である非研磨面とを有し、内部に電磁波を用いて非接触に読み取りまたは読み書き可能な情報記録媒体を含んでなり、好ましくは研磨面の半径方向における情報記録媒体の重心の位置が、研磨面の半径上の中心から外周へと向かう方向で研磨面の半径の0～10％または80～100％の範囲内にある。
摘要翻译：化学机械抛光垫设置有圆形抛光表面和非抛光表面，即抛光表面的后表面，并且包括信息记录介质内的信息，其中信息可以被读取或读取/写入而不接触通过使用电磁波。优选地，信息记录介质在研磨表面的半径方向上的重心的位置在抛光表面的半径方向上的距离为半径的中心的方向的0-10％或80-100％抛光面向外圆周。

5. 发明申请

WO2008053948A1 化学機械研磨パッドの製造方法および被研磨体の加工方法审中-公开
标题翻译：制造化学机械抛光垫的方法和用于加工待抛光材料的方法
公开(公告)号：WO2008053948A1
公开(公告)日：2008-05-08
申请号：PCT/JP2007/071277
申请日：2007-10-25
申请人： JSR株式会社 , 保坂幸生 , 渋谷恭兵 , 辻昭衛
发明人：保坂幸生 , 渋谷恭兵 , 辻昭衛
IPC分类号： B24B37/00 , H01L21/304
CPC分类号： B24D11/001 , B24B37/20
摘要：研磨面となるべき面およびそれの裏面である非研磨面となるべき面を有し、非研磨面となるべき面はその面に開口する凹部を有し、そして該凹部は底面を有するパッド概形を形成し、該パッド概形を切削加工機の定盤上に吸引固定して切削加工により研磨面となるべき面に溝または溝群（３）を形成することを特徴とする、化学機械研磨パッドの製造方法。
摘要翻译：本发明提供一种将具有作为研磨面的表面和研磨面的表面即表面的化学机械研磨垫的制造方法作为非研磨面。作为非抛光表面的表面具有在非抛光表面上开口的凹入部分，并且凹部形成有底的焊盘轮廓。通过抽吸将焊盘型材固定在切割机的表面板上，并且通过切割作为抛光表面的表面形成凹槽或沟槽组（3）。

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