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1. 发明申请

WO2021006219A1 磁気素子及び磁気記録アレイ审中-公开
公开(公告)号：WO2021006219A1
公开(公告)日：2021-01-14
申请号：PCT/JP2020/026264
申请日：2020-07-03
申请人： TDK株式会社
发明人：芦田　拓也 , 柴田　竜雄
IPC分类号： H01L29/82 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L43/08
摘要：本実施形態にかかる磁気素子（100）は、第１方向（x）に延び、強磁性体を含む配線層（10）と、前記配線層に対して第２方向（z）に積層された非磁性層（20）とを、備え、前記配線層は、前記第１方向と直交する切断面において、前記第２方向に対して傾斜する側面（11）を有し、前記側面は、前記第２方向に対する傾斜角が不連続となる屈曲点（B1）を一つ以上有し、前記屈曲点のうち前記非磁性層から離れた位置にある第１屈曲点を挟んで、前記非磁性層から遠い第１傾斜面（11A）の前記傾斜角（θ1）は、前記非磁性層に近い第２傾斜面（11B）の前記傾斜角（θ2）より小さい。

2. 发明申请

WO2020262065A1 電流センサ审中-公开
公开(公告)号：WO2020262065A1
公开(公告)日：2020-12-30
申请号：PCT/JP2020/023369
申请日：2020-06-15
申请人： TDK株式会社
发明人：ロー　エイドリアン , 上　正史 , 平林　潤
IPC分类号： G01R15/00 , G01R15/20
摘要：【課題】磁気センサが飽和しにくい構造を有する電流センサを提供する。【解決手段】電流センサ１は、測定対象となる電流Ｉが流れるバスバー１０と、バスバー１０に流れる電流によって生じる磁界を検出する磁気センサ２０とを備える。バスバー１０は、センシング部１３Ａと、センシング部を＋ｙ方向から覆うドーム状のバイパス部１１と、センシング部１３Ａを－ｙ方向から覆うドーム状のバイパス部１２とを含み、磁気センサ２０は、バイパス部１１，１２に囲まれた囲繞空間に配置されている。このように、ゼロ磁界となる囲繞空間に磁気センサ２０が配置されることから、バスバー１０に流れる電流が大電流であっても、磁気センサ２０が飽和することなく正しく測定することが可能となる。しかも、バイパス部１１，１２がドーム状であることから、バスバー１０のｚ方向におけるサイズを短くすることも可能となる。

3. 发明申请

WO2020255745A1 センサー用パッケージ基板及びこれを備えるセンサーモジュール、並びに、センサー用パッケージ基板の製造方法审中-公开
公开(公告)号：WO2020255745A1
公开(公告)日：2020-12-24
申请号：PCT/JP2020/022240
申请日：2020-06-05
申请人： TDK株式会社
发明人：露谷　和俊 , 鈴木　義弘
IPC分类号： G01H3/00 , G01L9/00 , G01L19/00 , G01L19/06 , H01L23/12 , H04R1/06 , G01D11/00
摘要：【課題】貫通孔を有するセンサー用パッケージ基板において、貫通孔を介した異物の侵入を抑制するとともに、基板の強度低下を抑制する。【解決手段】センサー用パッケージ基板１００は、センサーチップ搭載領域Ａと重なる位置に設けられた貫通孔Ｖ１，Ｖ２を有する。貫通孔Ｖ１は深さ位置Ｄ１において最も内径が小さく、貫通孔Ｖ２は深さ位置Ｄ１とは異なる深さ位置Ｄ２において最も内径が小さい。このように、センサーチップ搭載領域Ａと重なる位置に複数の貫通孔が設けられていることから、それぞれの貫通孔の径を小さく設計することができる。これにより、貫通孔を介した異物の侵入が生じにくくなるとともに、基板の強度低下が抑制される。しかも、深さ位置Ｄ１と深さ位置Ｄ２が互いに異なることから、貫通孔Ｖ１と貫通孔Ｖ２の間に位置する基板の強度も確保される。

4. 发明申请

WO2020189198A1 電磁界分布生成プログラム、フィルタ生成プログラム及び電磁界分布生成装置审中-公开
公开(公告)号：WO2020189198A1
公开(公告)日：2020-09-24
申请号：PCT/JP2020/007681
申请日：2020-02-26
申请人： TDK株式会社
发明人：緑　雅貴 , 本谷　智宏 , 栗原　弘
IPC分类号： G01R29/08
摘要：電磁界分布生成プログラムは、放射源から放射される放射妨害波の電界及び磁界の少なくとも一方を測定する間隔を示す測定間隔データを取得する測定間隔データ取得機能と、前記放射妨害波の波長及び前記測定間隔データが示す間隔を使用して補正係数を算出する補正係数算出機能と、前記補正係数及び前記放射妨害波の周波数を使用して遮断周波数を算出する遮断周波数算出機能と、前記測定間隔データが示す間隔で測定された前記放射妨害波の電界及び磁界の少なくとも一方の分布である補間前電磁界分布に前記遮断周波数を有するローパスフィルタを適用して補間後電磁界分布を生成する補間機能と、をコンピュータに実行させる。

5. 发明申请

WO2020111166A1 全固体電池审中-公开
公开(公告)号：WO2020111166A1
公开(公告)日：2020-06-04
申请号：PCT/JP2019/046500
申请日：2019-11-28
申请人： TDK株式会社
发明人：矢野　知宏
IPC分类号： H01M10/0562 , H01M10/0585 , H01M2/26 , H01M2/30
摘要：固体電解質層に空隙率が高い領域を形成しなくても、電極の体積変化による固体電解質層のクラックの発生が抑制され、サイクル特性に優れる全固体電池を提供する。　全固体電池は、正極（３０）と負極（４０）とが、固体電解質層（５０）を介して積層され、正極集電体層（３１）が露出する第１側面（２１）と、第１側面（２１）と対向し、負極集電体層（４１）が露出する第２側面（２２）を含む積層体（２０）と、第１側面（２１）に付設された正極外部端子（３５）と、第２側面（２２）に付設された負極外部端子（４５）とを含む。第ｎ層目の正極（３０）の第２側面側端部から第２側面（２２）までの距離Ｌｃｎと、ｎ＋１層目の正極（３０）の第２側面側端部から第２側面（２２）までの距離Ｌｃｎ＋１との差、および第ｎ層目の負極（４０）の第１側面側端部から第１側面（２１）までの距離Ｌａｎと、ｎ＋１層目の負極（４０）の第１側面側端部から第１側面（２１）までのＬａｎ＋１の距離との差の少なくとも一方の差が１０μｍ以上である。

6. 发明申请

WO2020085094A1 ショットキーバリアダイオード审中-公开
公开(公告)号：WO2020085094A1
公开(公告)日：2020-04-30
申请号：PCT/JP2019/039853
申请日：2019-10-09
申请人： TDK株式会社 , 株式会社タムラ製作所 , 株式会社ノベルクリスタルテクノロジー
发明人：有馬　潤 , 藤田　実 , 平林　潤 , 佐々木　公平
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L29/47
摘要：【課題】電界集中による絶縁破壊が生じにくいショットキーバリアダイオードを提供する。【解決手段】本開示によるショットキーバリアダイオードは、酸化ガリウムからなる半導体基板２０と、半導体基板２０上に設けられた酸化ガリウムからなるドリフト層３０と、ドリフト層３０とショットキー接触するアノード電極４０と、半導体基板２０とオーミック接触するカソード電極５０とを備える。ドリフト層３０は、平面視でアノード電極４０を囲む外周トレンチ１０を有する。アノード電極４０と外周トレンチ１０の間に位置するドリフト層３０の表面は、ドリフト層３０と逆導電型の半導体層７０で覆われている。

7. 发明申请

WO2020053987A1 リザボア素子及びニューロモルフィック素子审中-公开
公开(公告)号：WO2020053987A1
公开(公告)日：2020-03-19
申请号：PCT/JP2018/033798
申请日：2018-09-12
申请人： TDK株式会社
发明人：佐々木　智生 , 柴田　竜雄
IPC分类号： H01L29/82
摘要：本発明の一態様にかかるリザボア素子は、第１強磁性層と、前記第１強磁性層に対して第１方向に位置し、前記第１方向からの平面視で互いに離間して配置された複数の第２強磁性層と、前記第１強磁性層と前記複数の第２強磁性層との間に位置する非磁性層と、を備える。

8. 发明申请

WO2020045446A1 薄膜キャパシタおよび電子回路基板审中-公开
公开(公告)号：WO2020045446A1
公开(公告)日：2020-03-05
申请号：PCT/JP2019/033544
申请日：2019-08-27
申请人： TDK株式会社
发明人：山▲崎▼　久美子 , 芝原　豪 , 山▲崎▼　純一
IPC分类号： H01G4/33 , C04B35/58 , C23C14/08 , H01B3/12 , H01G4/12 , H01L21/316 , H01L21/822 , H01L27/04
摘要：【課題】７００℃程度まで加熱しても電極に凹凸が発生しにくく、電極の導電性が高い薄膜キャパシタを提供する。【解決手段】　第１電極と、誘電体層と、第２電極と、を有する薄膜キャパシタである。誘電体層はＡＢＯ２Ｎ型酸窒化物を含む。誘電体層のうち第１電極に接する部分の窒素濃度が誘電体層の中央部分の窒素濃度の半分以下である。

9. 发明申请

WO2020031517A1 ガスセンサ审中-公开
公开(公告)号：WO2020031517A1
公开(公告)日：2020-02-13
申请号：PCT/JP2019/024432
申请日：2019-06-20
申请人： TDK株式会社
发明人：松尾　裕 , 海田　佳生
IPC分类号： G01N27/18
摘要：【課題】検知素子と参照素子が直列に接続された構成を有するガスセンサにおいて、検知素子と参照素子の温度負荷の差を容易且つより正確に低減する。【解決手段】本発明によるガスセンサ１０は、検知素子である第１のサーミスタＲｄ１と、参照素子である第２のサーミスタＲｄ２と、第１のサーミスタＲｄ１を加熱する第１のヒータＭＨ１と、第２のサーミスタＲｄ２を加熱する第２のヒータＭＨ２と、第１の期間においては、第１のサーミスタＲｄ１よりも第２のサーミスタＲｄ２の温度が高くなるよう第１及び第２のヒータＭＨ１，ＭＨ２を加熱し、第２の期間においては、第２のサーミスタＲｄ２よりも第１のサーミスタＲｄ１の温度が高くなるよう第１及び第２のヒータＭＨ２を加熱する制御回路２０を備える。本発明によれば、第１の期間と第２の期間を繰り返すことにより、第１及び第２のサーミスタＲｄ１，Ｒｄ２の熱履歴の差が低減する。

10. 发明申请

WO2019239933A1 磁気センサ审中-公开
公开(公告)号：WO2019239933A1
公开(公告)日：2019-12-19
申请号：PCT/JP2019/021920
申请日：2019-06-03
申请人： TDK株式会社
发明人：小野寺　郁人
IPC分类号： G01R33/02 , G01R33/09 , H01L43/02
摘要：【課題】測定対象となる磁界が微弱であってもクローズドループ制御によって磁界を検出可能な磁気センサを提供する。【解決手段】磁気ギャップＧ２を介して互いに対向する磁性体層６１，６２と、磁気ギャップＧ２によって形成される磁路上に配置された感磁素子Ｒ２と、磁気ギャップＧ２間に配置され、感磁素子Ｒ２に印加される磁束を打ち消す補償コイル７０と備える。本発明によれば、磁性体層６１，６２を備えていることから、磁束を効率よく感磁素子Ｒ２に印加することができる。しかも、磁気ギャップＧ２間に補償コイル７０が配置されていることから、磁性体層６１，６２と補償コイル７０の両方を感磁素子に近づけることができ、これにより補償コイルから発生する磁界を感磁素子に効率的に印加することが可能となる。

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