基本信息:
- 专利标题： 薄膜キャパシタおよび電子回路基板
- 专利标题（英）：THIN FILM CAPACITOR AND ELECTRONIC CIRCUIT BOARD
- 申请号：PCT/JP2019/033544 申请日：2019-08-27
- 公开(公告)号：WO2020045446A1 公开(公告)日：2020-03-05
- 发明人： 山▲崎▼ 久美子 , 芝原 豪 , 山▲崎▼ 純一
- 申请人： TDK株式会社
- 申请人地址： 〒1036128 東京都中央区日本橋二丁目5番1号 Tokyo JP
- 专利权人： TDK株式会社
- 当前专利权人： ＴＤＫ株式会社
- 当前专利权人地址： 〒1036128 東京都中央区日本橋二丁目５番１号 Tokyo JP
- 代理机构： 前田・鈴木国際特許業務法人
- 优先权： JP2018-163794 20180831
- 主分类号： H01G4/33
- IPC分类号： H01G4/33 ; C04B35/58 ; C23C14/08 ; H01B3/12 ; H01G4/12 ; H01L21/316 ; H01L21/822 ; H01L27/04
摘要：
【課題】７００℃程度まで加熱しても電極に凹凸が発生しにくく、電極の導電性が高い薄膜キャパシタを提供する。 【解決手段】 第１電極と、誘電体層と、第２電極と、を有する薄膜キャパシタである。誘電体層はＡＢＯ ２ Ｎ型酸窒化物を含む。誘電体層のうち第１電極に接する部分の窒素濃度が誘電体層の中央部分の窒素濃度の半分以下である。
摘要（英）：
[Problem] To provide a thin film capacitor for which electrode conductivity is high and electrode irregularities are unlikely to be generate even if the capacitor if heated up to 700°C. [Solution] This thin film capacitor has a first electrode, a dielectric layer, and a second electrode. The dielectric layer contains an ABO2N-type oxynitride. The nitrogen concentration of the part of the dielectric layer that contacts the first electrode is no more than half the nitrogen concentration of the center part of the dielectric layer.
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01G | 电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件 |
| ------H01G4/00 | 固定电容器；及其制造方法 |
| --------H01G4/33 | .薄膜或厚膜电容器 |