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81. 发明申请

WO2020018631A1 EXTREME ULTRAVIOLET MASK ABSORBER MATERIALS 审中-公开
公开(公告)号：WO2020018631A1
公开(公告)日：2020-01-23
申请号：PCT/US2019/042143
申请日：2019-07-17
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： JINDAL, Vibhu , FONG, Hui Ni Grace , VARGHESE, Binni , LIU, Shuwei , RASTEGAR, Abbas
IPC分类号： G03F7/20 , G03F1/22 , H01L21/027 , H01L21/768
摘要： Extreme ultraviolet (EUV) mask blanks, methods for their manufacture and production systems therefor are disclosed. The EUV mask blanks comprise a substrate; a multilayer stack of reflective layers on the substrate; a capping layer on the multilayer stack of reflecting layers; and an absorber layer on the capping layer, the absorber layer made from an alloy of tantalum and nickel.

82. 发明申请

WO2020010303A1 EXTREME ULTRAVIOLET MASK BLANK DEFECT REDUCTION 审中-公开
公开(公告)号：WO2020010303A1
公开(公告)日：2020-01-09
申请号：PCT/US2019/040682
申请日：2019-07-05
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： ABHINAND, Sai , LIU, Shuwei , FONG, Hui Ni Grace , CHANG, Ke , JINDAL, Vibhu
IPC分类号： G03F7/20 , G03F1/22 , H01L21/027 , H01L21/311 , H01L21/02 , H01L21/67
摘要： Extreme ultraviolet (EUV) mask blanks, methods for their manufacture, and production systems therefor are disclosed. The method for forming an EUV mask blank comprises placing a substrate in a multi-cathode physical vapor deposition chamber, the chamber comprising at least three targets, a first molybdenum target adjacent a first side of a silicon target and a second molybdenum target adjacent a second side of the silicon target.

83. 发明申请

WO2017122975A1 EUV 펠리클 구조체, 및 그 제조 방법 审中-公开
标题翻译： EUV薄膜结构体及其制造方法
公开(公告)号：WO2017122975A1
公开(公告)日：2017-07-20
申请号：PCT/KR2017/000262
申请日：2017-01-09
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 안진호 , 김정환 , 홍성철 , 우동곤
IPC分类号： G03F1/62 , G03F1/22 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/22 , G03F1/62 , G03F7/20 , H01L21/027
摘要： 복수개의 EUV(Extreme Ultraviolet) 투과층 및 열방출층이 교대로 적층된 펠리클 멤브레인을 준비하는 단계, 및 상기 펠리클 멤브레인의 상기 열방출층이 노출된 가장자리 측면(sidewall) 상에 상기 펠리클 멤브레인으로부터 열을 흡수하는 냉각구조체를 배치하는 단계를 포함하는 EUV 펠리클 구조체의 제조 방법이 제공될 수 있다.
摘要翻译：
多个EUV（极紫外）传送层和散热层的是制备交替层叠的薄膜的膜的步骤，曝光的薄膜的膜边缘侧的散热层（侧壁）有关于制造包含EUV防护薄膜组件的结构的方法：将冷却结构用于从所述防护膜吸收热量可以提供

84. 发明申请

WO2017059286A1 METHOD AND STRUCTURE FOR NANOIMPRINT LITHOGRAPHY MASKS USING OPTICAL FILM COATINGS 审中-公开
标题翻译：使用光学薄膜涂层的纳米压印掩模的方法和结构
公开(公告)号：WO2017059286A1
公开(公告)日：2017-04-06
申请号：PCT/US2016/054853
申请日：2016-09-30
申请人： SEIDEL, Thomas, E.
发明人： SEIDEL, Thomas, E.
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/00 , G03F1/22 , G03F1/76
CPC分类号： G03F7/0002
摘要： Structures and associated methods for making high index of refraction surface coatings for masks used in imprint lithography for application to patterning for advanced semiconductor and data storage devices.
摘要翻译：用于制备用于压印光刻中的掩模的高折射率表面涂层的结构和相关方法，用于高级半导体和数据存储设备的图案化。

85. 发明申请

WO2016209828A1 SUPERPLANARIZING SPIN-ON CARBON MATERIALS 审中-公开
标题翻译：超级自旋碳素材料
公开(公告)号：WO2016209828A1
公开(公告)日：2016-12-29
申请号：PCT/US2016/038554
申请日：2016-06-21
申请人： BREWER SCIENCE INC.
发明人： ZHONG, Xing-Fu , HUANG, Runhui , ZHANG, Boyu
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/768 , G03F1/22 , G03F1/48 , G03F7/26 , G03F7/004
CPC分类号： H01L21/0337 , C09D125/08 , C09D131/02 , C09D179/08 , H01L21/02118 , H01L21/02282
摘要： Planarizing and spin-on-carbon (SOC) compositions that fill vias and/or trenches on a substrate while planarizing the surface in a single thin layer coating process are provided. The compositions can planarize wide ranges of substrates with vias or trenches of from about 20 nm to about 220 nm wide, and up to about 700 nm deep. These extraordinary properties come from the low molecular weight of the polymers used in the materials, thermally-labile protecting groups on the polymers, and a delayed crosslinking reaction.
摘要翻译：提供了在单个薄层涂覆工艺中平坦化表面的同时在基板上填充过孔和/或沟槽的平面化和旋涂碳（SOC）组合物。组合物可以通过具有约20nm至约220nm宽和高达约700nm深的通孔或沟槽来平坦化宽范围的衬底。这些非凡的性质来自材料中使用的聚合物的低分子量，聚合物上的热不稳定保护基团和延迟的交联反应。

86. 发明申请

WO2015093699A1 흑연-함유 박막을 포함하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 막 审中-公开
标题翻译：超薄膜薄膜薄膜，包括含薄膜的薄膜
公开(公告)号：WO2015093699A1
公开(公告)日：2015-06-25
申请号：PCT/KR2014/004941
申请日：2014-06-03
申请人： 성균관대학교산학협력단 , 주식회사 에프에스티 , 삼성전자 주식회사
发明人： 유지범 , 김슬기 , 김문자 , 장명식 , 유장동 , 조상진
IPC分类号： G03F1/62 , G03F1/22
CPC分类号： G03F1/64 , G03F1/22 , G03F1/62
摘要： 본원은 흑연-함유 박막을 포함하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 막에 관한 것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于极紫外光刻的防护薄膜，包括含石墨的薄膜。

87. 发明申请

WO2015016686A1 노광 장치 审中-公开
标题翻译：曝光装置
公开(公告)号：WO2015016686A1
公开(公告)日：2015-02-05
申请号：PCT/KR2014/007147
申请日：2014-08-01
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 박정호 , 신부건 , 김재진 , 이종병
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/22
CPC分类号： G03F7/70058 , G03F1/00 , G03F1/34 , G03F1/50 , G03F1/60 , G03F7/20 , G03F7/24 , G03F7/703 , G03F7/7035
摘要： 본 출원은 포토 마스크, 노광 장치 및 방법에 관한 것이다. 본 출원의 포토 마스크, 노광 장치 및 방법에 의하면 서브 마이크로 미터 크기의 미세 패턴을 원통형 금형에 용이하게 형성할 수 있으며, 상기 패턴이 형성된 원통형 금형을 롤-투-롤 공정 등의 자동화 공정에 용이하게 적용할 수 있다. 또한, 본 출원에서는 가요성 소재로 형성된 마스크를 사용하여, 상기 미세 패턴을 다양한 크기의 대면적으로 형성할 수 있으며, 원통형 금형의 곡면에 서로 다른 형상의 패턴을 분할 또는 독립하여 형성시킬 수 있어, 공정의 자유도가 우수한 효과가 있다.
摘要翻译：本申请涉及光掩模，以及曝光装置和方法。根据本申请的光掩模和曝光装置及曝光装置和方法，可以容易地在圆筒形模具上形成亚微米尺寸的精细图案，并且可以容易地在其中形成图案的圆柱形模具自动化过程，如卷对卷过程。此外，在本申请中，使用由柔性材料形成的掩模，因此可以形成各种尺寸的大面积的精细图案，并且可以在圆柱形模具的曲面上单独地或独立地形成不同形状的图案因此本发明在加工自由度方面表现出极好的效果。

88. 发明申请

WO2014064224A1 PROJECTION EXPOSURE SYSTEM FOR EUV LITHOGRAPHY AND METHOD FOR OPERATING THE PROJECTION EXPOSURE SYSTEM 审中-公开
标题翻译：投影曝光系统，用于投影曝光系统的投影曝光系统
公开(公告)号：WO2014064224A1
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：PCT/EP2013/072335
申请日：2013-10-24
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH
发明人： BITTNER, Boris , WABRA, Norbert , SCHNEIDER, Sonja , SCHNEIDER, Ricarda , WAGNER, Hendrik , WALD, Christian , ILIEW, Rumen , PAULS, Walter , SCHMIDT, Holger
IPC分类号： G03F1/22 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/704 , G03F1/22 , G03F7/70033 , G03F7/702 , G03F7/70233 , G03F7/70958
摘要： The invention relates to a projection exposure system (100) for EUV lithography comprising: - an illumination device (120) for generating EUV radiation (400) having defined properties, - a reticle stage (130) arranged in the beam path of the illumination device (120) and serving for receiving a transmission reticle (200), and - a projection optical unit (140) disposed optically downstream of the reticle stage (130) and serving for projecting the EUV radiation (400) transmitted through the transmission reticle (200) onto a wafer stage (150).
摘要翻译：本发明涉及一种用于EUV光刻的投影曝光系统（100），包括： - 用于产生具有限定属性的EUV辐射（400）的照明装置（120）， - 布置在照明装置的光束路径中的标线片台（120），并且用于接收传输掩模版（200），以及 - 投影光学单元（140），其在所述标线片平台（130）的光学下游设置并且用于投射通过所述传输掩模版（200）传输的所述EUV辐射）到晶片台（150）上。

89. 发明申请

WO2013156328A3 MASK FOR LITHOGRAPHIC APPARATUS AND METHODS OF INSPECTION 审中-公开
标题翻译：屏蔽装置和检查方法
公开(公告)号：WO2013156328A3
公开(公告)日：2013-12-19
申请号：PCT/EP2013057235
申请日：2013-04-05
申请人： ASML NETHERLANDS BV
发明人： RIZO DIAGO PEDRO JULIAN
IPC分类号： G03F1/84 , G03F1/00 , G03F1/22 , G03F1/24 , G03F1/54
CPC分类号： G03F1/54 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/24 , G03F1/84
摘要： A mask for use in a lithographic apparatus comprises a substrate, a reflective first multilayer structure deposited on the substrate, a pattern formed in the multilayer reflective structure either by depositing absorber material or by local deformation of the reflective structure, the top surface of the pattern being generally at the same height from the substrate as the top surface of the multilayer structure, and a second structure, preferably a multilayer structure, provided above the top surface of the first reflective structure and the top surface of the pattern, wherein the second structure has a planar top surface and wherein the second structure is chosen so as to minimize the transmission through the second structure of light of a given wavelength at a given angle of incidence and a given polarization such that inspection of the surface of the mask by light scattering can be employed.
摘要翻译：用于光刻设备的掩模包括基板，沉积在基板上的反射第一多层结构，通过沉积吸收材料或通过反射结构的局部变形形成在多层反射结构中的图案，图案的顶表面通常与多层结构的顶表面的基底相同的高度，以及设置在第一反射结构的顶表面和图案的顶表面上方的第二结构，优选多层结构，其中第二结构具有平坦的顶表面，并且其中选择第二结构，以便以给定的入射角和给定的入射角以最小化给定波长的第二结构的透射率和给定的偏振，使得通过光散射检查掩模的表面可以雇用。

90. 发明申请

WO2013055586A1 METHOD FOR ETCHING EUV REFLECTIVE MULTI-MATERIAL LAYERS UTILIZED TO FORM A PHOTOMASK 审中-公开
标题翻译：用于蚀刻形成光电子的EUV反射多层的方法
公开(公告)号：WO2013055586A1
公开(公告)日：2013-04-18
申请号：PCT/US2012/058919
申请日：2012-10-05
申请人： APPLIED MATERIALS, INC. , YU, Keven Kaisheng , GRIMBERGEN, Michael , CHANDRACHOOD, Madhavi , SABHARWAL, Amitabh , KUMAR, Ajay
发明人： YU, Keven Kaisheng , GRIMBERGEN, Michael , CHANDRACHOOD, Madhavi , SABHARWAL, Amitabh , KUMAR, Ajay
IPC分类号： G03F1/80 , G03F1/22
CPC分类号： B44C1/227 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/24 , G03F1/80
摘要： A method and apparatus for etching photomasks are provided herein. In one embodiment, a forming gas use utilized to remove a mask layer utilized film stack having a multi-material layer having at least two different materials. In another embodiment, a method of etching a multi-material layer disposed on a photomask includes providing a film stack in an etching chamber, the film stack having a multi-material layer having at least two different materials disposed therein partially exposed through a patterned layer, providing a gas mixture including at least one fluorine containing gas and an oxygen containing gas in to a processing chamber, supplying a RF power in the gas mixture to form a plasma, and etching the multi-material layer through the patterned layer.
摘要翻译：本文提供了蚀刻光掩模的方法和设备。在一个实施方案中，用于除去掩模层的成形气体用途使用的膜堆叠具有具有至少两种不同材料的多材料层。在另一个实施例中，蚀刻设置在光掩模上的多材料层的方法包括在蚀刻室中提供膜堆叠，所述膜堆叠具有多层材料层，所述多层材料层具有布置在其中的至少两种不同的材料，其中部分地通过图案化层向处理室提供包含至少一种含氟气体和含氧气体的气体混合物，在气体混合物中提供RF功率以形成等离子体，并通过图案化层蚀刻多层材料层。

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