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71. 发明申请

WO2014085037A1 METHOD FOR ETCHING EUV MATERIAL LAYERS UTILIZED TO FORM A PHOTOMASK 审中-公开
标题翻译：用于蚀刻用于形成光电子的EUV材料层的方法
公开(公告)号：WO2014085037A1
公开(公告)日：2014-06-05
申请号：PCT/US2013/068462
申请日：2013-11-05
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： YU, Keven , CHANDRACHOOD, Madhavi , SABHARWAL, Amitabh , KUMAR, Ajay
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/00 , G03F1/22 , G03F1/80
摘要： A method and apparatus for etching photomasks are provided herein. In one embodiment, a method of etching an ARC layer or an absorber layer disposed on a photomask includes transferring a film stack into an etching chamber, the film stack having an ARC layer or an absorber layer partially exposed through a patterned layer, providing a gas mixture including at least one fluorine containing gas in to a processing chamber, applying a source RF power to form a plasma from the gas mixture, applying a first type of RF bias power to the substrate for a first period of time, applying a second type of RF bias power away from the substrate for a second period of time, and etching the ARC layer or the absorber layer through the patterned layer in the presence of the plasma.
摘要翻译：本文提供了蚀刻光掩模的方法和设备。在一个实施例中，蚀刻设置在光掩模上的ARC层或吸收层的方法包括将膜堆叠转移到蚀刻室中，该膜堆具有通过图案化层局部暴露的ARC层或吸收层，提供气体将包含至少一种含氟气体的混合物加入到处理室中，施加源RF功率以从气体混合物形成等离子体，将第一类型的RF偏置功率施加到衬底上第一时间段，施加第二类型的RF偏置功率远离衬底持续第二段时间，并且在存在等离子体的情况下通过图案化层蚀刻ARC层或吸收层。

72. 发明申请

WO2014047961A1 透明电极制作方法以及掩膜板审中-公开
公开(公告)号：WO2014047961A1
公开(公告)日：2014-04-03
申请号：PCT/CN2012/082625
申请日：2012-10-09
申请人：深圳市华星光电技术有限公司
发明人：陈政鸿 , 王醉
IPC分类号： G02F1/1343 , G03F7/00
CPC分类号： G02F1/13439 , G02F2001/133388 , G03F1/00
摘要：一种透明电极制作方法以及掩膜板。该方法包括如下步骤：在玻璃基板上成膜并在薄膜上涂布光阻（S201）；透过掩膜板对光阻进行曝光，其中，掩膜板在对应液晶面板的显示区域部分（300）从外至内分成至少第一区域（310）及第二区域（320）两个区域，第一区域（310）中透明电极所对应的图形的间距设置为第一间距（312），第二区域（320）中透明电极所对应的图形的间距设置为第二间距（322），并且，第一间距（312）大于相应的预定间距，第一间距（312）与相应的预定间距之间的差大于第二间距（322）与相应的预定间距之间的差（S202）；对曝光后的玻璃基板进行显影、刻蚀（S203）以在玻璃基板上形成透明电极。通过上述方式，能够使得成型后的整个显示区域的透明电极的间距误差减少，从而提高显示效果。

73. 发明申请

WO2014028192A1 METHODS FOR CONTROLLING DEFECTS FOR EXTREME ULTRAVIOLET LITHOGRAPHY (EUVL) PHOTOMASK SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：控制超极紫外光刻（EUVL）光电子基板缺陷的方法
公开(公告)号：WO2014028192A1
公开(公告)日：2014-02-20
申请号：PCT/US2013/051977
申请日：2013-07-25
申请人： APPLIED MATERIALS, INC. , WU, Banqiu , KUMAR, Ajay , NALAMASU, Omkaram
发明人： WU, Banqiu , KUMAR, Ajay , NALAMASU, Omkaram
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/72
CPC分类号： G03F1/00 , G03F1/22 , G03F1/60
摘要： Methods for providing a silicon layer on a photomask substrate surface with minimum defeats for fabricating film stack thereon for EUVL applications are provided. In one embodiment, a method for forming a silicon layer on a photomask substrate includes performing an oxidation process to form a silicon oxide layer on a surface of a first substrate wherein the first substrate comprises a crystalline silicon material, performing an ion implantation process to define a cleavage plane in the first substrate, and bonding the silicon oxide layer to a surface of a second substrate, wherein the second substrate is a quartz photomask.
摘要翻译：提供了用于在光掩模衬底表面上提供硅层的方法，其中用于在EUVL应用中制造膜堆叠的最小失败。在一个实施例中，在光掩模衬底上形成硅层的方法包括在第一衬底的表面上执行氧化处理以形成氧化硅层，其中第一衬底包括结晶硅材料，执行离子注入工艺以定义在第一衬底中的解理面，并将氧化硅层接合到第二衬底的表面，其中第二衬底是石英光掩模。

74. 发明申请

WO2013184693A1 FOCUS MONITORING METHOD USING ASYMMETRY EMBEDDED IMAGING TARGET 审中-公开
标题翻译：使用不对称嵌入式成像目标的聚焦监测方法
公开(公告)号：WO2013184693A1
公开(公告)日：2013-12-12
申请号：PCT/US2013/044131
申请日：2013-06-04
申请人： KLA-TENCOR CORPORATION
发明人： CHOI, DongSub , PIERSON, Bill , TIEN, David , MANKA, James , PARK, Dongsuk
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： G06T7/0004 , G03F1/00 , G03F7/70641 , G06T7/0002 , G06T2207/30148 , G06T2207/30168
摘要： A method for monitoring mask focus includes measuring profile asymmetries in a target feature including sub-resolution assist features and deriving a focus response based on a known correlation between the profile and focus of a corresponding mask. A computer system in a lithographic process may adjust mask focus based on such derived information to conform to a desired fabrication process.
摘要翻译：用于监测掩模焦点的方法包括测量目标特征中的轮廓不对称，包括子分辨率辅助特征，并且基于对应掩模的轮廓和焦点之间的已知相关性导出聚焦响应。光刻工艺中的计算机系统可以基于这样的导出信息来调整掩模焦点以符合所需的制造工艺。

75. 发明申请

WO2013084664A1 帯電防止膜形成組成物及びオリゴマー化合物审中-公开
标题翻译：用于形成抗静电膜和低聚物化合物的组合物
公开(公告)号：WO2013084664A1
公开(公告)日：2013-06-13
申请号：PCT/JP2012/079237
申请日：2012-11-12
申请人：日産化学工業株式会社
发明人：西田　登喜雄 , 水落　龍太 , 坂本　力丸 , 山田　智久 , 中家　直樹 , 高山　祐樹
IPC分类号： C09K3/16 , C07C209/10 , C07C211/54 , G03F7/11 , C07B61/00
CPC分类号： C07C211/54 , C08G73/0266 , C08L79/02 , C09D179/02 , G03F1/00 , G03F7/093 , G03F7/11 , H01B1/128
摘要：【課題】レジスト表面への塗布性に優れ、レジスト膜の帯電を防止できる帯電防止膜を形成するための組成物を提供する。【解決手段】下記式（１Ａ）で表されるオリゴマー化合物及び水を含有する帯電防止膜形成組成物。（１）（式中、Ｒ１は水素原子又は下記式（２）で表される基を表し、Ｒ２及びＲ３はそれぞれ独立に水素原子又は下記式（３）又は式（４）で表される基を表し、複数のＲのうち少なくとも一つはスルホ基を表し、ａ及びｂは２≦（ａ＋ｂ）≦６を満たす正の整数を表し、複数のｘはそれぞれ独立に０乃至４の整数を表す。）（２）（３）（４）（式中、ｎは１≦ｎ＜（ａ＋ｂ＋４）を満たす整数を表し、ａ、ｂ、Ｒ及びｘは前記式（１Ａ）と同義であり、複数のｙはそれぞれ独立に０乃至５の整数を表す。）
摘要翻译：为了提供能够防止抗蚀剂膜带电的抗静电膜的形成用组合物，所述组合物对抗蚀剂表面具有优异的涂布性。 [溶液]用于形成抗静电膜的组合物，其包含由式（1A）表示的低聚物化合物和水。（式（1A）中，R 1表示氢原子或式（2）表示的基团; R 2和R 3各自独立地表示氢原子或式（3）或式（4）表示的基团;至少一个多个R基团表示磺基; a和b表示满足2 <=（a + b）≤6的正整数，多个x中的每一个独立地表示0-4的整数。）（In 式（2），（3）和（4）中，n表示满足1 <= n <（a + b + 4）的整数; a，b，R和x如式（1A）所定义; 多个y独立地表示0-5的整数。）

76. 发明申请

WO2013059286A1 HARDCOAT COMPOSITIONS 审中-公开
标题翻译： HARDCOAT组合物
公开(公告)号：WO2013059286A1
公开(公告)日：2013-04-25
申请号：PCT/US2012/060569
申请日：2012-10-17
申请人： 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY , QIU, Zai-Ming
发明人： QIU, Zai-Ming
IPC分类号： C08G77/16 , C09D183/06
CPC分类号： G03F1/00 , C08G77/16 , C09D183/06
摘要： A hardcoat composition comprises (a) an epoxy silane compound, (b) a reactive silicone additive and (c) photo-acid generator. The reactive silicone additive has one of the following general structures:formula (I) or X-SiR 1 R 2 -(O-SiR 1 R 2 )n-X (Formula 2) wherein: R 1 , R 2 , and R 3 are independently a C1-C6 alkyl group or aromatic group with or without substitution; X is a curable group selected from -OH, -OR, -OC(0)R, -OSiY^Y3, -CHzCHrL-SiYVY3, and -C(O)(R) 3 , wherein: L is a divalent linkage group; Y 1 , Y 2 , and Y 3 are independently selected from a C1-C6 alkyl group, and a curable group selected from -OH, -OC(O)R, and -OR, with the proviso that at least one of Y 1 , Y 2 , and Y 3 is a curable group; R is a C1-C4 alkyl group; and n is at least 2 and m is at least 1, provided that the weight average molecular weight (M w ) of the reactive silicone additive is no more than 4200.
摘要翻译：硬涂层组合物包含（a）环氧硅烷化合物，（b）反应性硅氧烷添加剂和（c）光酸发生剂。反应性硅氧烷添加剂具有以下一般结构之一：式（I）或X-SiR1R2-（O-SiR1R2）nX（式2）其中：R1，R2和R3独立地为C1-C6烷基或芳族基团有或没有替代; X是选自-OH，-OR，-OC（O）R，-OSiY 3 Y 3，-CHCHrL-SiYVY 3和-C（O）（R）3的可固化基团，其中：L是二价连接基团; Y 1，Y 2和Y 3独立地选自C 1 -C 6烷基和选自-OH，-OC（O）R和-OR的可固化基团，条件是Y 1，Y 2和 Y3是可固化基团; R是C1-C4烷基; 并且n为至少2，m为至少1，条件是反应性硅氧烷添加剂的重均分子量（Mw）不大于4200。

77. 发明申请

WO2013049367A2 PLASMONIC LITHOGRAPHY USING PHASE MASK 审中-公开
标题翻译：使用相位掩模的PLASMONIC LITHOGRAPHY
公开(公告)号：WO2013049367A2
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：PCT/US2012/057590
申请日：2012-09-27
申请人： ROLITH, INC.
发明人： KOBRIN, Boris , BRONGERSMA, Mark , BARBARD, Edward
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： G03F7/20 , G03F1/00 , G03F1/26 , G03F1/50 , G03F7/0035 , G03F7/70283
摘要： In the proposed plasmonic nanolithography technique a transparent mask is brought into physical contact with a metal on a substrate that is coated with a photoresist. The mask is not made of metal or other material that supports surface plasmons. The metal layer is exposed to radiation of a characteristic vacuum wavelength through the mask and the photoresist or through the substrate. The mask features and the vacuum wavelength of the radiation are chosen so that the radiation excites surface plasmons at the interface between the metal and the photoresist. The excitation of surface plasmons allows for the exposure and generation of features which are well-below the free space diffraction limit and small compared to the size of the features in the mask.
摘要翻译：在所提出的等离子体激光纳米光刻技术中，透明掩模与涂覆有光致抗蚀剂的基底上的金属物理接触。掩模不是由支撑表面等离子体的金属或其他材料制成。金属层通过掩模和光致抗蚀剂或通过基底暴露于特征真空波长的辐射。选择掩模特征和辐射的真空波长，使得辐射在金属和光致抗蚀剂之间的界面处激发表面等离子体激元。表面等离子体激元的激发允许暴露和产生远低于自由空间衍射极限的特征，并且与掩模中特征的尺寸相比较小。

78. 发明申请

WO2012027050A3 MASK FOR NEAR-FIELD LITHOGRAPHY AND FABRICATION THE SAME 审中-公开
标题翻译：用于近场光刻和掩模制作的掩模
公开(公告)号：WO2012027050A3
公开(公告)日：2012-06-07
申请号：PCT/US2011045197
申请日：2011-07-25
申请人： ROLITH INC , KOBRIN BORIS
发明人： KOBRIN BORIS
IPC分类号： G03F1/00 , G03F1/92
CPC分类号： G03F1/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/92 , G03F7/0002 , G03F7/24
摘要： Methods for fabricating nanopatterned cylindrical photomasks are disclosed. A master pattern having features ranging in size from about 1 nanometer to about 100 microns may be formed on a master substrate. A layer of an elastomer material may be formed on a surface of a transparent cylinder. The master pattern may be transferred from the master to the layer of elastomer material on the surface of the transparent cylinder. Alternatively, a nanopatterned cylindrical photomask may be fabricated by forming a pattern having nanometer scale features on an elastomer substrate and laminating the patterned elastomer substrate to a surface of a cylinder. In another method, a layer of elastomer material may be formed on a surface of a transparent cylinder and a pattern having nanometer scale features may be formed on the elastomer material by a direct patterning process.
摘要翻译：公开了用于制造纳米图案化的圆柱形光掩模的方法。具有大小从大约1纳米到大约100微米的特征的主图案可以形成在主基底上。一层弹性体材料可以形成在透明圆柱体的表面上。主图案可以从主模转移到透明圆筒表面上的弹性体材料层。或者，可以通过在弹性体基底上形成具有纳米级特征的图案并将图案化的弹性体基底层压到圆柱体的表面来制造纳米图案化的圆柱形光掩模。在另一种方法中，可以在透明圆柱体的表面上形成一层弹性体材料，并且可以通过直接图案化工艺在弹性体材料上形成具有纳米级特征的图案。

79. 发明申请

WO2012013911A1 FILMS MINCES NANOORGANISÉS À BASE DE COPOLYMÈRES À BLOCS POLYSACCHARIDIQUES POUR DES APPLICATIONS EN NANOTECHNOLOGIE 审中-公开
标题翻译：基于具有多糖嵌段共聚物的纳米粒子的薄膜在纳米技术中的应用
公开(公告)号：WO2012013911A1
公开(公告)日：2012-02-02
申请号：PCT/FR2011/051843
申请日：2011-07-29
申请人： CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (C.N.R.S) , AISSOU, Karim , HALILA, Sami , FORT, Sébastien , BORSALI, Redouane , BARON, Thierry
发明人： AISSOU, Karim , HALILA, Sami , FORT, Sébastien , BORSALI, Redouane , BARON, Thierry
IPC分类号： H01L21/28 , C08G81/02 , C09D187/00
CPC分类号： G03F7/004 , B82Y30/00 , C08G81/02 , C09D105/00 , C09D153/00 , C09D187/005 , G03F1/00 , G03F7/40 , H01L29/42332 , H01L29/7881 , Y10T428/31645 , Y10T428/31667 , Y10T428/31692 , Y10T428/31971
摘要： L'invention concerne matériau (M) comprenant un substrat dont l'une des surfaces est recouverte d'une couche à base d'un copolymère à blocs comprenant un bloc (B) constitué d'un polysaccharide et ses utilisations pour l'électronique, pour réaliser des diodes électroluminescentes organiques (OLED) ou des cellules photovoltaïques organiques (OPV) ou pour la conception de dispositifs de détection (nanobiocapteurs, biopuces).
摘要翻译：本发明涉及一种材料（M），其包括基于包含由多糖形成的嵌段（B）的嵌段共聚物的层覆盖的表面的基材及其在电子学中的用途，用于产生有机发光二极管或有机光伏电池（OPV）或用于设计检测装置（纳米生物传感器，生物芯片）。

80. 发明申请

WO2010086068A3 DETERMINING CRITICAL DIMENSION AND OVERLAY VARIATIONS OF INTEGRATED CIRCUIT FIELDS 审中-公开
标题翻译：确定集成电路领域的关键尺寸和覆盖变化
公开(公告)号：WO2010086068A3
公开(公告)日：2010-09-23
申请号：PCT/EP2009067348
申请日：2009-12-16
申请人： IBM , IBM UK , MORILLO JAIME , YERDON ROGER , AUSSCHNITT CHRISTOPHER , RANKIN JED HICKORY
发明人： MORILLO JAIME , YERDON ROGER , AUSSCHNITT CHRISTOPHER , RANKIN JED HICKORY
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70683 , G03F1/00 , G03F1/14 , G03F1/144 , G03F1/42 , G03F1/68 , G03F7/70625 , G03F7/70633
摘要： A method for mask-to-wafer correlation among multiple masking levels of a semiconductor manufacturing process. The method includes creating compact targets containing structure patterns suitable for pattern placement, critical dimension and overlay measurement at a set of common locations on two or more patterning layers, and creating at least two masks containing functional circuit structure patterns and the compact targets at locations between functional circuit structure patterns. The method then includes measuring the targets, determining overlay variation between the masks, exposing and creating with one mask a first lithographic processing layer on a wafer, and exposing and creating with another mask a second lithographic processing layer on the wafer, over the first layer. The method further includes measuring the targets on the wafer at one or more of the layers, and correlating the mask and wafer measurements to distinguish mask and lithography induced components of critical dimension and overlay variation.
摘要翻译：一种用于半导体制造工艺的多个屏蔽电平之间的掩模到晶片相关的方法。该方法包括创建紧凑的目标，其包含适合于在两个或多个图案化层上的一组公共位置处的图案放置，临界尺寸和覆盖测量的结构图案，以及创建包含功能电路结构图案的至少两个掩模，以及在功能电路结构模式。该方法然后包括测量目标，确定掩模之间的覆盖变化，用一个掩模曝光和创建晶片上的第一平版印刷处理层，以及在第一层上在另一掩模上曝光和创建晶片上的第二光刻处理层。该方法还包括在一个或多个层处测量晶片上的目标，并且将掩模和晶片测量值相关联以区分临界尺寸和覆盖变化的掩模和光刻引起的分量。

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