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    • 69. 发明申请
    • 후처리 후 에칭성이 우수한 표면처리동박 및 그 제조방법
    • 后处理可蚀性优异的表面处理铜箔及其制造方法
    • WO2018004152A1
    • 2018-01-04
    • PCT/KR2017/006095
    • 2017-06-12
    • 일진머티리얼즈 주식회사
    • 최은실범원진김형철송기덕
    • C25D5/16C25D3/56C25D3/38C23G1/10H05K1/09H05K3/02
    • C23G1/10C25D3/38C25D3/56C25D5/16H05K1/09H05K3/02
    • 본 발명은 미세회로기판용 표면처리동박 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 구체적으로 본 발명에 따른 미세회로기판용 동박의 표면처리 방법은, 전해동박을 제공하는 단계; 및 상기 전해동박 상에 노듈을 성장시키기 위하여 조화처리를 하는 단계;를 포함하고, 상기 조화처리 단계에서는 [몰리브덴(Mo) 0.5 ~ 3g/l 와 나트륨 이온(Na) 1 ~ 10g/l] 중 1종, [텅스텐 이온(W) 0.1 ~ 0.5g/l 와 바나듐 이온(V) 0.3 ~ 0.7 g/l] 중 1종, 구리이온(Cu) 10 ~ 20 g/l 및 황산(H2SO4) 100~00g/L 을 포함하는 도금욕에서 조화처리를 수행한다. 본 발명에 따르면 표면조도 Rz가 2.0 이하이고 에칭성이 좋아 처짐현상이 크지 않은, 즉 수지층 부근의 하부회로의 폭과 상부 회로폭의 차이가 10㎛ 이하인 미세회로기판용 표면처리동박을 제조할 수 있다.
    • 本发明涉及一种微电路基板表面处理铜箔及其制造为一个方法中,根据本发明的用于铜箔的表面处理的微电路的方法用于在基板具体包括提供电解铜箔的工序; 一种,并且包括,在所述粗糙化步骤[钼(Mo)0.5〜3G / L和钠离子(Na)1〜10克/升];和粗化处理的,以结节的生长工序的电解铜箔 [钨离子(W)0.1〜0.5克/升,和钒离子(V)0.3〜为0.7g /升]1种,铜离子(Cu)的10〜20克/升和硫酸(H 2 SO 4)100〜00克/ L在电镀槽中。 根据本发明的2.0或更小的表面粗糙度Rz,像偏转现象耐蚀刻性不是很大,即,小于或等于所述微电路和上电路之间的差宽度下电路的宽度在树脂层10㎛的附近,以产生一个基片表面处理铜箔