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51. 发明申请

WO00071497A1 GAS FOR PLASMA REACTION AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF 审中-公开
标题翻译：用于等离子体反应的气体及其生产方法
公开(公告)号：WO00071497A1
公开(公告)日：2000-11-30
申请号：PCT/JP2000/003308
申请日：2000-05-24
IPC分类号： H01L21/302 , C07C17/20 , C07C17/38 , C07C17/383 , C07C17/389 , C07C23/08 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/312 , H01L21/3213 , C23C16/50
CPC分类号： H01L21/32137 , C07C17/208 , C07C17/38 , C07C17/383 , C07C17/389 , C07C23/08 , H01L21/0212 , H01L21/02274 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/3127
摘要： A gas for plasma reaction comprising octafluorocyclopentene, characterized in that the gas has a content of octafluorocyclopentene of 99.9 vol % or more, and the total amount of nitrogen and oxygen which are contained as residual trace gas components is 200 vol ppm or less. This high purity gas for plasma reaction can be produced by (1) a method comprising subjecting a crude octafluorocyclopentene to a rectification in an atmosphere of an inert gas belonging to Group 0, or (2) a method comprising reftificating a crude octafluorocyclopentene to a purity of 99.9 vol % or more, and subsequently removing residual impurities.
摘要翻译：一种包含八氟环戊烯的等离子体反应气体，其特征在于，所述气体的八氟环戊烯含量为99.9vol％以上，作为残留痕量气体成分而含有的氮和氧的总量为200volppm以下。用于等离子体反应的这种高纯度气体可以通过以下方法制备：（1）一种方法，其包括在惰性气体属于0族的气氛中对粗制八氟环戊烯进行精馏，或（2）将粗制八氟环戊烯再纯化至纯度为99.9体积％以上，随后除去残留杂质。

52. 发明申请

WO00019507A1 METHOD OF PLASMA-ASSISTED FILM DEPOSITION 审中-公开
标题翻译：等离子体辅助膜沉积的方法
公开(公告)号：WO00019507A1
公开(公告)日：2000-04-06
申请号：PCT/JP1999/005203
申请日：1999-09-22
IPC分类号： C23C16/04 , C23C16/26 , H01L21/312 , H01L21/768 , H01L21/314
CPC分类号： H01L21/02274 , C23C16/045 , C23C16/26 , H01L21/0212 , H01L21/0228 , H01L21/3127 , H01L21/76801
摘要： A method comprising: a plasma-generating step in which a film-forming gas comprising a carbone/fluorine compound and an etching gas for etching a fluorine-containing carbon film are converted to a plasma; and a film deposition step in which a fluorine-containing carbon film is formed on a work from the plasma. The film-forming gas may contain, for example, a gas of a compound having a benzene ring. An example of the etching gas is a gas comprising fluorine. Thus, recessed parts can be satisfactorily filled up.
摘要翻译：一种方法，包括：等离子体产生步骤，其中包含碳/氟化合物的成膜气体和用于蚀刻含氟碳膜的蚀刻气体转化为等离子体; 以及其中在来自等离子体的工件上形成含氟碳膜的膜沉积步骤。成膜气体可以含有例如具有苯环的化合物的气体。蚀刻气体的实例是包含氟的气体。因此，可以令人满意地填充凹部。

53. 发明申请

WO99031718A1 METHOD FOR HIGH TEMPERATURE ETCHING OF PATTERNED LAYERS USING AN ORGANIC MASK STACK 审中-公开
标题翻译：使用有机掩模堆高分辨率蚀刻层的方法
公开(公告)号：WO99031718A1
公开(公告)日：1999-06-24
申请号：PCT/US1998/025699
申请日：1998-12-04
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/027 , H01L21/311 , H01L21/312 , H01L21/314 , H01L21/316 , H01L21/3213 , H01L21/033
CPC分类号： H01L21/0274 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/3127 , H01L21/3146 , H01L21/31612 , H01L21/32136 , H01L21/32139
摘要： The present disclosure pertains to a method of patterning a semiconductor device feature which provides for the easy removal of any residual masking layer which remains after completion of a pattern etching process. The method provides for a multi-layered masking structure which includes a layer of high-temperature organic-based masking material overlaid by either a layer of a high-temperature inorganic masking material which can be patterned to provide an inorganic hard mask, or by a layer of high-temperature imageable organic masking material which can be patterned to provide an organic hard mask. The hard masking material is used to transfer a pattern to the high-temperature organic-based masking material, and then the hard masking material is removed. The high-temperature organic-based masking material is used to transfer the pattern to an underlying semiconductor device feature.
摘要翻译：本公开涉及一种图案化半导体器件特征的方法，其提供容易去除在图案蚀刻工艺完成之后保留的任何残留掩模层。该方法提供了一种多层掩模结构，其包括由可以被图案化以提供无机硬掩模的高温无机掩蔽材料层覆盖的高温有机基掩蔽材料层，或由可以图案化以提供有机硬掩模的高温可成像有机掩模材料层。使用硬掩模材料将图案转印到高温有机基掩蔽材料上，然后去除硬掩模材料。高温有机基掩蔽材料用于将图案转移到下面的半导体器件特征。

54. 发明申请

WO99027574A1 METHOD OF PLASMA PROCESSING 审中-公开
标题翻译：等离子体处理方法
公开(公告)号：WO99027574A1
公开(公告)日：1999-06-03
申请号：PCT/JP1998/005131
申请日：1998-11-13
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/30 , C23C16/56 , H01L21/3105 , H01L21/312 , H01L21/314 , H01L21/768
CPC分类号： C23C16/56 , C23C16/30 , H01L21/0212 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/3105 , H01L21/3127 , H01L21/76801 , H01L21/76826 , H01L21/76829
摘要： Conventionally, when a CF film is used as an interlayer insulating film of a semiconductor device, F-containing gas escapes through the CF film when the CF film is heated to, e.g., 400 to 450 DEG C to form a tungsten interconnection, whereby the interconnection is corroded and the thickness of the film decreases causing various problems. In order to solve the problems, according to the invention the heat stability is enhanced. A compound gas of C and F, e.g., C4F8 gas and a hydrocarbon gas, e.g., C2H4 gas are used as film-forming gases. These gases are changed into a plasma to form a CF film on the semiconductor wafer 10 by using the active species. Then, Ar gas is introduced as a sputtering gas and is changed into a plasma, and the CF film formed on the wafer 10 is sputtered with the Ar plasma. By alternatingly repeating the film-forming processing and the sputtering, weak bonds in the CF film are knocked out by the sputtering, whereby firm bonds are obtained, the bonds are not cut even at high-temperature, and the heat stability is improved.
摘要翻译：通常，当将CF膜用作半导体器件的层间绝缘膜时，当CF膜被加热至例如400至450℃以形成钨互连时，含F的气体通过CF膜逸出，由此，互连被腐蚀并且膜的厚度减小导致各种问题。为了解决这些问题，根据本发明，热稳定性提高。使用C和F的复合气体，例如C 4 F 8气体和烃气体，例如C 2 H 4气体作为成膜气体。这些气体通过使用活性物质变成等离子体以在半导体晶片10上形成CF膜。然后，作为溅射气体导入Ar气体，变为等离子体，用Ar等离子体溅射形成在晶片10上的CF膜。通过交替重复成膜处理和溅射，通过溅射将CF膜中的弱键敲除，由此获得牢固的键，即使在高温下也不会断裂，并且热稳定性得到改善。

55. 发明申请

WO99021706A1 LOW DIELECTRIC CONSTANT MATERIALS PREPARED FROM PHOTON OR PLASMA ASSISTED CVD 审中-公开
标题翻译：从光子或等离子体辅助CVD制备的低介电常数材料
公开(公告)号：WO99021706A1
公开(公告)日：1999-05-06
申请号：PCT/US1998/021755
申请日：1998-10-15
IPC分类号： H05H1/46 , B05D7/24 , B32B9/00 , C08J7/18 , C09D4/00 , C23C16/30 , C23C16/40 , C23C16/44 , C23C16/48 , C23C16/50 , H01L21/312 , H01L21/314 , H01L21/768 , H01L23/522 , B32B9/04 , B32B15/08 , C23C16/00 , H05H1/02 , H05H1/24
CPC分类号： B05D1/62 , C09D4/00 , C23C16/30 , C23C16/402 , H01L21/02126 , H01L21/02131 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/312 , H01L21/3121 , H01L21/3122 , H01L21/3127 , Y10T428/3154 , Y10T428/31612 , Y10T428/31663 , C08G77/04 , C08G77/00
摘要： Intermetal dielectric (IMD) and interlevel dielectric (ILD) that have dielectric constants (K) ranging from 2.0 to 2.6 are prepared from plasma or photon assisted CVD (PACVD) or transport polymerization (TP). The low K dielectric (LKD) materials are prepared from PACVD or TP of some selected siloxanes and F-containing aromatic compounds. The thin films combine barrier and adhesion layer functions with low dielectric constant functions, thus eliminating the necessity for separate adhesion and barrier layers, and layers of low dielectric constant. The LKD materials disclosed in this invention are particularly useful for
摘要翻译：由等离子体或光子辅助CVD（PACVD）或传输聚合（TP）制备介电常数（K）范围为2.0至2.6的金属间电介质（IMD）和层间电介质（ILD）。低K电介质（LKD）材料由一些选定的硅氧烷和含F芳族化合物的PACVD或TP制备。薄膜结合具有低介电常数函数的屏障和粘附层功能，因此消除了单独粘合和阻挡层以及低介电常数层的必要性。本发明中公开的LKD材料对于<0.18μm的IC，或在将来的IC中用作导体时特别有用。

56. 发明申请

WO2009014113A1 スプレー塗布用ポジ型感光性樹脂組成物、それを用いた硬化膜の形成方法、硬化膜および半導体装置审中-公开
标题翻译：用于喷涂的阳性感光树脂组合物，使用其形成固化膜的方法，固化膜和半导体器件
公开(公告)号：WO2009014113A1
公开(公告)日：2009-01-29
申请号：PCT/JP2008/063120
申请日：2008-07-22
申请人：住友ベークライト株式会社 , 番場敏夫 , 折原秀樹
发明人：番場敏夫 , 折原秀樹
IPC分类号： G03F7/023 , G03F7/004 , G03F7/16 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/02282 , G03F7/0233 , G03F7/16 , H01L21/02118 , H01L21/0212 , H01L21/02126 , H01L21/3121 , H01L21/3122 , H01L21/3127
摘要：　半導体素子搭載基板、セラミック基板、アルミ基板等の基板に、スプレー塗布用ポジ型感光性樹脂組成物をスプレー塗布し、塗布膜を形成する際に、前記スプレー塗布用ポジ型感光性樹脂組成物が、（Ａ）アルカリ可溶性樹脂、（Ｂ）光により酸を発生する化合物、（Ｃ）溶剤を含有し、かつ粘度を２～２００ｃＰとすることを特徴とする。
摘要翻译：公开了一种用于喷涂的正型感光性树脂组合物，其用于通过在诸如半导体器件安装基板，陶瓷基板或铝基板的基板上喷涂正型感光性树脂组合物来形成涂膜。该喷涂用正型感光性树脂组合物的特征在于，含有碱溶性树脂（A），通过光和溶剂（C）产生酸的化合物（B），粘度为2〜200cP 。

57. 发明申请

WO2008105344A1 層間絶縁膜および配線構造と、それらの製造方法审中-公开
标题翻译：层间绝缘膜，互连结构及其生产方法
公开(公告)号：WO2008105344A1
公开(公告)日：2008-09-04
申请号：PCT/JP2008/053083
申请日：2008-02-22
申请人：国立大学法人東北大学 , 東京エレクトロン株式会社 , 日本ゼオン株式会社 , 大見忠弘 , 安田聖治 , 井ノ口敦智 , 松岡孝明 , 川村剛平 , 中村昌洋
发明人：大見忠弘 , 安田聖治 , 井ノ口敦智 , 松岡孝明 , 川村剛平 , 中村昌洋
IPC分类号： H01L21/314 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC分类号： H01L21/3127 , H01L21/02115 , H01L21/0212 , H01L21/022 , H01L21/02274 , H01L21/312 , H01L21/76829 , H01L21/76835 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , Y10T156/10 , H01L2924/00
摘要：　Ｓｉ原子を含有するハイドロカーボン層とＮ原子を含有するフルオロカーボン層とを積層して構成し、かつ前記ハイドロカーボン層を、Ｃ原子数に対するＨ原子数の比（Ｈ／Ｃ）が０．８乃至１．２となる割合でＨ原子とＣ原子とを含有する層間絶縁膜が得られる。当該層間絶縁膜は、リーク電流の発生や熱アニールによる膜の縮小が抑制されると共に、低誘電率でかつ、安定である。
摘要翻译：层间绝缘膜可以通过层叠含有Si原子的烃层和含有N原子的碳氟化合物层而制造，其中烃层含有H原子和C原子，其比例为的C原子数与H原子数（H / C）成为0.8〜1.2。层间绝缘膜的漏电流减少，热退火引起的膜收缩率低，介电常数低，稳定。

58. 发明申请

WO2008021363A3 ELECTRON BEAM PROCESSING METHOD USING CARBON NANOTUBE EMITTER 审中-公开
标题翻译：使用碳纳米管发射体的电子束处理方法
公开(公告)号：WO2008021363A3
公开(公告)日：2008-08-07
申请号：PCT/US2007017995
申请日：2007-08-14
申请人： MICRON TECHNOLOGY INC , RUEGER NEAL R , WILLIAMSON MARK J , SANDHU GURTEJ S
发明人： RUEGER NEAL R , WILLIAMSON MARK J , SANDHU GURTEJ S
IPC分类号： H01L21/306 , B82B1/00 , H01L21/26 , H01L21/311
CPC分类号： H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/3127
摘要： Methods and devices for selective etching in a semiconductor process are shown. Chemical species generated in a reaction chamber provide both a selective etching function and concurrently form a protective coating on other regions. An electron beam provides activation to selective chemical species. In one example, reactive species are generated from a plasma source to provide an increased reactive species density. Addition of other gasses to the system can provide functions such as controlling a chemistry in a protective layer during a processing operation. In one example an electron beam array such as a carbon nanotube array is used to selectively expose a surface during a processing operation.
摘要翻译：示出了在半导体工艺中选择性蚀刻的方法和装置。在反应室中产生的化学物质既提供选择性蚀刻功能又在其它区域形成保护涂层。电子束为选择性化学物质提供活化。在一个实例中，从等离子体源产生反应性物质以提供增加的反应物种密度。在系统中添加其他气体可以提供诸如在处理操作期间控制保护层中的化学物质的功能。在一个实例中，使用诸如碳纳米管阵列的电子束阵列在处理操作期间选择性地暴露表面。

59. 发明申请

WO2008077463A1 ORGANIC FIELD-EFFECT TRANSISTORS WITH POLYMERIC GATE DIELECTRIC AND METHOD FOR MAKING SAME 审中-公开
标题翻译：具有聚合物电介质的有机场效应晶体管及其制造方法
公开(公告)号：WO2008077463A1
公开(公告)日：2008-07-03
申请号：PCT/EP2007/010692
申请日：2007-12-07
申请人： ETH ZURICH , KALB, Wolfgang , MATHIS, Thomas
发明人： KALB, Wolfgang , MATHIS, Thomas
IPC分类号： H01L51/05
CPC分类号： H01L21/0212 , H01L21/02271 , H01L21/02282 , H01L21/3127 , H01L51/0054 , H01L51/0055 , H01L51/052 , H01L51/0545
摘要： A method for making an organic field-effect device (e.g. TFT or SC-FET device) is proposed, comprising the Steps of (a) depositing an polymeric dielectric with a repellency to detrimental molecules from Solution or from the vapor phase to form an insulating layer and (b) depositing an oligomer layer which is grown from the vapor phase, the oligomer layer being adjacent to the insulating layer in the completed device. Furthermore the correspondingly produced organic field effect devices are disclosed.
摘要翻译：提出了一种用于制造有机场效应器件（例如TFT或SC-FET器件）的方法，其包括以下步骤：（a）从溶液或蒸气相沉积具有对有害分子的斥力的聚合物电介质，以形成绝缘层和（b）沉积从气相生长的低聚物层，低聚物层在完成的装置中与绝缘层相邻。此外，公开了相应制造的有机场效应器件。

60. 发明申请

WO2008075637A1 プラズマ反応用ガス、ドライエッチング方法およびフルオロカーボン膜の成膜方法审中-公开
标题翻译：用于等离子体反应的气体，干蚀刻方法和形成氟碳膜的方法
公开(公告)号：WO2008075637A1
公开(公告)日：2008-06-26
申请号：PCT/JP2007/074213
申请日：2007-12-17
申请人：日本ゼオン株式会社 , 杉本達也 , 中村昌洋
发明人：杉本達也 , 中村昌洋
IPC分类号： H01L21/3065 , C08F2/52 , C08F36/04 , C23C16/50 , C07C23/08
CPC分类号： C07C23/08 , C23C16/26 , H01L21/0212 , H01L21/02274 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/3127
摘要：　本発明は、パーフルオロ－(３－メチレンシクロペンテン)を含有してなるプラズマ反応用ガス、前記プラズマ反応用ガスを処理容器内に供給し、該容器内で被エッチング基体をドライエッチングする工程を有するドライエッチング方法、及び、前記プラズマ反応用ガスを処理容器内に供給し、該容器内で被処理物の表面にＣＶＤ法によりフルオロカーボン膜を成膜する工程を有する成膜方法である。本発明のプラズマ反応用ガスによれば、マスクであるレジストの膜厚が薄い場合においても、半導体材料に対し高選択性を発現し、かつ形状の良好な矩形を有する微細なパターンをエッチング可能である。また、高密度プラズマ下においてもエッチング速度と選択性においてバランスの取れたエッチングが可能である。さらに、加熱処理を施しても応力緩和の小さいフルオロカーボン膜を成膜可能である。
摘要翻译：公开了一种含有全氟（3-亚甲基环戊烯）的等离子体反应气体。还公开了一种干蚀刻方法，其具有通过将用于等离子体反应的气体供应到腔室中而在处理室内对要蚀刻的物体进行干蚀刻的步骤。进一步公开的是通过在室内将等离子体反应气体供给到处理室内的待处理物体的表面上的CVD形成氟碳膜的方法。用于等离子体反应的气体对于半导体材料表现出高选择性，并且即使当作为掩模的抗蚀剂薄时，也能够形成具有良好矩形形状的更细的图案。用于等离子体反应的气体使得即使使用高密度等离子体也能够进行蚀刻速率和选择性之间的良好平衡的蚀刻。此外，即使在热处理之后，用于等离子体反应的气体也能够形成具有低应力松弛的碳氟化合物膜。

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