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51. 发明申请

WO2006038672A1 マイクロ波プラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：微波等离子体加工设备
公开(公告)号：WO2006038672A1
公开(公告)日：2006-04-13
申请号：PCT/JP2005/018545
申请日：2005-10-06
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 田才忠 , 野沢俊久
发明人：田才忠 , 野沢俊久
IPC分类号： H05H1/46 , C23C16/511 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32238 , H01J37/32266
摘要：　プロセス条件等の変化に対応してプラズマの均一性と安定性を容易に確保することができるマイクロ波プラズマ処理装置を提供すること。　マイクロ波によって前記チャンバー内に処理ガスのプラズマを形成し、そのプラズマにより被処理体にプラズマ処理を施すマイクロ波プラズマ処理装置１００であって、マイクロ波透過板２８の外周を覆う導電体からなるプレート２７に、マイクロ波透過板２８の端部からその内部に向かってマイクロ波が伝搬される２以上の孔４２を形成し、体積調節機構４３，４５により孔の体積を調設してマイクロ波透過板２８を孔４２の各々が属するユニット毎に分割した場合における各ユニットのインピーダンスを調節し、マイクロ波透過板２８の電界分布を制御する。
摘要翻译：微波等离子体处理装置，其能够根据工艺条件等的变化容易地确保等离子体的均匀性和稳定性。微波等离子体处理装置（100）通过微波产生室内的处理气体的等离子体，并通过使用等离子体对待处理的工件进行等离子体处理。在由覆盖微波发射板（28）的外周的导体构成的板（27）上，用于从微波发射板（28）的边缘部分向内部传播微波的两个或多个孔（42）形成。当微波发射板（28）被每个孔（42）所属的单位划分，并且微波的电场分布时，音量调节机构（43,45）调节孔的体积以调节每个单元的阻抗传输板（28）被控制。

52. 发明申请

WO2005038896A1 プラズマエッチング方法审中-公开
标题翻译：等离子体蚀刻法
公开(公告)号：WO2005038896A1
公开(公告)日：2005-04-28
申请号：PCT/JP2004/015256
申请日：2004-10-15
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 西塚哲也 , 野沢俊久
发明人：西塚哲也 , 野沢俊久
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32192 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/31144
摘要：　本発明は、Ｃｘ　Ｆｙ　ガス（ｘ、ｙは自然数）を含む処理ガスのプラズマを発生させる工程と、基板上に予め形成されたフッ素添加カーボン膜を、前記プラズマによってエッチングする工程と、を備えたことを特徴とするプラズマエッチング方法である。
摘要翻译：等离子体蚀刻方法的特征在于包括产生含有C x F y气体（x和y为自然数）的工艺气体的等离子体的步骤，以及用于蚀刻预先通过等离子体在衬底上形成的氟化碳膜的步骤。

53. 发明申请

WO2005022627A1 基板処理装置审中-公开
标题翻译：基板处理装置
公开(公告)号：WO2005022627A1
公开(公告)日：2005-03-10
申请号：PCT/JP2004/012276
申请日：2004-08-26
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 野沢俊久 , 松岡孝明
发明人：野沢俊久 , 松岡孝明
IPC分类号： H01L21/68
CPC分类号： H01L21/67167 , H01L21/67173 , H01L21/67742 , Y10S414/139
摘要：　基板処理装置は、内部に収容した基板に対して処理を施すための複数の処理室(２０)と、収容した基板を処理室(２０)まで搬送する搬送ケース(２４)と、搬送ケース(２４)を移動経路に沿って移動させる移動機構とを有する。搬送ケース２４は、外部雰囲気から隔離された状態で基板を収容する。複数の処理室(２０)は、搬送ケース(２４)の移動経路の両側に整列した状態で配置され、搬送ケース２４は、二列に整列して配置された処理室(２０)の搬送口(２０ａ)に対応して二つの搬送口(２４ａ)を有する。
摘要翻译：一种基板处理装置，包括用于向内部接收的基板施加处理的多个处理室（20），用于将接收到的基板传送到处理室（20）的转印箱（24）和用于移动转印箱（24）的移动机构）沿运动路径。转移箱（24）接收与外部气氛隔离的状态的基板。多个处理室（20）以配置在分动箱（24）的移动路径的相对侧的状态配置，并且分配箱（24）具有与传送口（20a）对应的两个传送口（24a））处理室（20）。

54. 发明申请

WO2004066379A1 基板処理装置审中-公开
标题翻译：基板处理装置
公开(公告)号：WO2004066379A1
公开(公告)日：2004-08-05
申请号：PCT/JP2004/000147
申请日：2004-01-13
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 野沢俊久 , 川上聡
发明人：野沢俊久 , 川上聡
IPC分类号： H01L21/68
CPC分类号： H01L21/67173 , B25J5/02 , B25J9/042 , H01L21/67742
摘要：本発明は、フットプリントの向上を図ることができ、しかも拡張性に優れた基板処理装置を提供することを目的とする。　本発明に係る基板処理装置では、回転動作を伴うことなく、直線状に移動可能なステージと搬送手段である１軸多関節ロボットとによって、ロードロック室、ＣＶＤ処理部及びエッチング処理部との間でウェハＷの受け渡しを行っているので、フットプリントの向上を図ることができる。また、ＣＶＤ処理部やエッチング処理部等の処理室の数が増えた場合に、単に搬送路を直線状に延ばしていけば良いので、拡張性にも優れている。
摘要翻译：提供了能够改善脚印并且具有优异的延伸特性的基板处理装置。在基板处理装置中，能够进行不需要旋转操作的直线运动的台和作为输送装置的单轴多关节机器人通过载荷锁定室，CVD处理部和蚀刻处理部之间的晶片（W）。因此，可以改善脚印。此外，当诸如CVD处理部分和蚀刻处理部分的处理室的数量增加时，仅需要直线地延伸输送路径。因此，延伸特性也优异。

55. 发明申请

WO2004017684A1 プラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：等离子体加工装置
公开(公告)号：WO2004017684A1
公开(公告)日：2004-02-26
申请号：PCT/JP2003/010274
申请日：2003-08-12
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 石橋清隆 , 野沢俊久
发明人：石橋清隆 , 野沢俊久
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32458 , H01J37/32192
摘要：　プラズマ処理装置は、チャンバー（１）と高周波電源とアンテナ部（３）とを備えている。アンテナ部（３）は、スロット板（３ｃ）、遅波板（３ｂ）およびアンテナカバー（３ａ）を有して構成される。チャンバー（１）の上部に平板部（４ａ）と側壁部（４ｂ）を有する天板部（４）が配設されている。平板部（４ａ）は、収容された基板（１１）と対向するように配置されスロット板（３ｃ）に接している。側壁部（４ｂ）は、平板部（４ａ）の周部から基板（１１）の配置される側に向かって延在するように形成されている。側壁部（４ｂ）の外周面はチャンバー（１）に接している。側壁部（４ｂ）の厚さは、天板部（４）の誘電率に基づくマイクロ波の波長をλgとすると、λg／４以上に設定されている。これにより、プラズマ密度をより高め、かつ、そのプラズマ密度分布の均一性を向上することができる。
摘要翻译：一种等离子体处理装置，包括室（1），高频电源和天线单元（3）。天线单元（3）包括槽板（3c），慢波板（3b）和天线罩（3a）。具有平板（4a）和侧壁（4b）的顶板单元（4）设置在室（1）的上部。平板（4a）接触与被容纳的基板（11）相对设置的槽板（3c）。侧壁（4b）形成为从平板（4a）的周边朝向基板设置侧延伸。侧壁（4b）的外周表面与腔室（1）接触。侧壁（4b）的厚度设定为至少lambdag / 4，其中lambdag是基于顶板（4）的介电常数的微波的波长。因此，可以进一步提高等离子体密度，并且可以提高等离子体密度分布的均匀性。

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