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41. 发明申请

WO2018207380A1 光学素子および光学系装置审中-公开
公开(公告)号：WO2018207380A1
公开(公告)日：2018-11-15
申请号：PCT/JP2017/026464
申请日：2017-07-21
申请人： SCIVAX株式会社
发明人：縄田晃史 , 粟屋信義 , 田中覚
IPC分类号： G02B3/08 , G02B5/02
摘要：作製が容易で光を前方の広い範囲へ無駄なく導く光学素子およびそれを用いた光学系装置を提供する。所定位置30から入射した光の配光を制御して出射する光学素子であって、所定位置30からの光を透過可能な入射面11および当該入射面11を透過した光を所定方向に反射させる反射面12からなる複数の凸構造15と、反射面12で反射した光を所定の配光方向に出射させる出射面19とからなる反射利用部を具備する。

42. 发明申请

WO2018105586A1 光学部材および当該光学部材を用いた液晶パネル、並びにそれらの製造方法审中-公开
公开(公告)号：WO2018105586A1
公开(公告)日：2018-06-14
申请号：PCT/JP2017/043568
申请日：2017-12-05
申请人： SCIVAX株式会社
发明人：粟屋信義 , 田名網克周 , 田中覚
IPC分类号： G02B5/30 , G02F1/1335 , G02F1/13363 , G02F1/1337 , G02F1/1368
摘要：機械的強度が高く、透過率等の光学特性の高い光学部材および当該光学部材を用いた液晶パネル並びにそれらの製造方法を提供することを目的とする。使用帯域の波長の光に対して透明な材料からなる基板１と、基板１上に複数の凸部21がラインアンドスペース状に配置されるワイヤグリッド部２と、使用帯域の光に対して透明な誘電体からなり、ワイヤグリッド部２を覆うカバー３と、ワイヤグリッド部２の隣接する凸部21間に形成され、当該隣接する凸部21の頂点21ａ同士を結ぶ直線よりカバー３側に突出している空隙部４と、を具備する光学部材。

43. 发明申请

WO2018012523A1 光学素子、発光素子およびこれらを用いた光学装置、並びにこれらの製造方法审中-公开
标题翻译：光学元件，发光元件，使用它们的光学装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2018012523A1
公开(公告)日：2018-01-18
申请号：PCT/JP2017/025375
申请日：2017-07-12
申请人： SCIVAX株式会社
发明人：縄田晃史 , 粟屋信義 , 田名網克周 , 田中覚
IPC分类号： G02B5/30 , H01L33/32 , H01L51/50
摘要：電磁波の透過度を高めることができ、位置合わせが不要な光学素子、発光素子およびこれらを用いた光学装置、並びにこれらの製造方法を提供する。波長λの電磁波の光学特性を制御するための光学素子10であって、凹凸構造からなり、入射する電磁波のＰ偏光を透過させＳ偏光を反射する偏光子部２と、凹凸構造からなり、直線偏光を円偏光又は楕円偏光に変換可能な第１位相差素子部３と、偏光子部２と第１位相差素子部３が形成されると共に、偏光子部２と第１位相差素子部３との間で電磁波を透過可能な基部１と、を具備する光学素子。
摘要翻译：
可以增大电磁波的渗透性，对准不必要的光学元件，所述发光元件和使用它们的光学设备，以及它们的生产方法。用于控制所述波长为λ的电磁波的光学特性的光学元件10，由凹凸结构，通过该入射电磁辐射的和P偏振光传输到反射S偏振光和偏振器单元2包括凹 - 线性它可以被转换成圆偏振光或椭圆偏振光的偏振第一延迟元件部分3，偏振器单元2和所述第一延迟元件部分3形成，偏振器单元2和所述第一延迟元件部分3 以及能够在基座部分（1）和基座部分（2）之间传输电磁波的基座部分（1）。

44. 发明申请

WO2017179563A1 熱－電磁波変換構造、熱－電磁波変換部材、波長選択性放熱機器、波長選択性加熱機器、波長選択性放熱方法、波長選択性加熱方法および熱－電磁波変換構造の製造方法审中-公开
标题翻译：热电磁波转换结构，热 - 电磁波转换构件，波长选择性散热装置，波长选择性加热装置，波长选择性散热方法，波长选择性加热方法以及制造热电转换结构的方法
公开(公告)号：WO2017179563A1
公开(公告)日：2017-10-19
申请号：PCT/JP2017/014776
申请日：2017-04-11
申请人： SCIVAX株式会社
发明人：縄田晃史 , 粟屋信義 , 谷口大介 , 田中覚
IPC分类号： H01L23/36 , B82Y30/00
CPC分类号： B82Y30/00 , H01L23/36
摘要：効率良く熱と電磁波を変換できる最適な形状の熱－電磁波変換構造、熱－電磁波変換部材、波長選択性放熱機器、波長選択性加熱機器、波長選択性放熱方法、波長選択性加熱方法および熱－電磁波変換構造の製造方法を提供する。熱と所定波長λの電磁波を相互に変換する構造であって、電磁波を透過するコア部２と、金属からなりコア部２を囲うクラッド部３とで構成された導波路を有する熱－電磁波変換構造およびこれを複数配列した熱－電磁波変換部材10、これらを利用した波長選択性放熱機器、波長選択性加熱機器、波長選択性放熱方法、波長選択性加熱方法、並びに熱－電磁波変換構造の製造方法。
摘要翻译：
有效的热和热波可以转换的最佳形状 - 电磁转换结构，热 - 电磁转换构件，波长选择散热装置，所述波长选择性加热装置中，波长选择性辐射方法，波长选择性加热方法和制造热电 - 电磁波转换结构的方法。一种用于转换的热量的电磁波和预定的波长λ的另一种结构中，芯部2发送的电磁辐射，热具有其由周围由金属制成的芯部2的包层部分3的波导 - 电磁转换结构和此多序列热 - 电磁转换构件10，这些波长选择性使用波长选择性加热设备散热装置，波长选择性辐射的方法，波长选择加热方法，和热 - 生产电磁转换结构的方法。

45. 发明申请

WO2016159045A1 反射防止構造体审中-公开
标题翻译：防反射结构
公开(公告)号：WO2016159045A1
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：PCT/JP2016/060306
申请日：2016-03-30
申请人： SCIVAX株式会社
发明人：縄田晃史 , 北原淑行 , 田中覚
IPC分类号： G02B5/00 , B29C59/02
CPC分类号： G02B1/11 , B29C59/02 , G02B5/00 , G02B5/003 , G02B5/205 , G02B5/206
摘要：　光の反射を十分に抑えることができる反射防止物品を提供する。反射の防止を望む所定波長の光を吸収する材料からなる基材２の表面に反射防止用の凹凸構造３が形成された反射防止構造体１であって、凹凸構造３は、光の波長をλ、凹凸構造３の平均ピッチをＰとすると、Ｐ＞λ、好ましくはＰ≧６λを満たす構造である。また、凹凸構造は、当該凹凸構造の平均深さをＨとすると、Ｈ／Ｐ≧１を満たす構造である方が好ましい。
摘要翻译：本发明的目的是提供一种可以充分减轻光反射的抗反射物体。防反射结构体1构成为，在由吸收规定波长的光的材料制成的基材2的表面上，为防止反射，需要形成防止反射的粗糙结构3。当光的波长为λ，粗糙结构3的平均间距为P时，粗糙结构3满足P>6λ，优选为P≥6λ。另外，粗糙结构优选满足H /P≥1，粗糙结构的平均深度为H.

46. 发明申请

WO2015072572A1 離型装置及び離型方法审中-公开
标题翻译：模具释放装置和模具释放方法
公开(公告)号：WO2015072572A1
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：PCT/JP2014/080402
申请日：2014-11-17
申请人： SCIVAX株式会社
发明人：河口宏輔 , 田村裕宣 , 田中覚
IPC分类号： B29C59/02
CPC分类号： B29C59/022 , B29C37/0003 , B29C37/0007 , B29C2059/023
摘要：　剥離位置や離型力が制御された離型を行う離型装置を提供する。少なくともいずれか一方がフィルム状である型１および被成形物２を離型するためのものであって、所定の剥離位置10（型と被成形物を剥離させる位置）まで型１と被成形物２とが剥離しないように加圧する剥離防止手段３と、型１又は被成形物２のいずれか一方を保持する保持部４と、フィルム状である型１又は被成形物２に張力を付与する張力付与手段５と、剥離防止手段３と型１及び被成形物２とを相対的に移動させる移動手段６と、で主に構成される。
摘要翻译：提供了一种用于执行脱模的脱模装置，其中分离位置和脱模强度被控制。一种用于从形成的物体（2）释放模具（1）的装置，其中至少一个是膜，主要由以下部件构成：用于压制的防分离装置（3），使得模具（1）和所形成的物体（2）不分离直到指定的分离位置（10）（模具和被形成物体分开的位置）; 用于保持模具（1）或被形成物体（2）的保持部（4）; 用于在膜状模具（1）或被形成物体（2）上施加张力的张力施加装置（5）; 以及用于相对于彼此移动防分离装置（3），模具（1）和形成物体（2）的移动装置（6）。

47. 发明申请

WO2012096019A1 温調装置およびこれを適用したインプリント装置审中-公开
标题翻译：温度调节装置，以及使用相同的装置
公开(公告)号：WO2012096019A1
公开(公告)日：2012-07-19
申请号：PCT/JP2011/066500
申请日：2011-07-20
申请人： SCIVAX株式会社 , 河口宏輔 , 田中覚
发明人：河口宏輔 , 田中覚
IPC分类号： B29C33/02 , B29C59/02 , H01L21/027
CPC分类号： F28D1/06 , B29C33/04 , B29C33/424 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , H01L21/67109
摘要：　型又は被成形物等の対象物を均一かつ高速に加熱及び冷却することができる温調装置およびこれを適用したインプリント装置を提供する。型100又は被成形物200等の対象物の温度を調節するための温調装置であって、複数の供給口11から所定温度の流体を供給する流体供給手段１と、対象物を保持する保持面22aと、供給口11から供給された流体を受ける流体受け面22bと、を有する保持手段22と、供給口11を内包する温調室31を保持手段22と共に構成する温調用筐体３と、温調室31内の流体を排出する排出流路４と、を具備する。
摘要翻译：提供：能够高速地均匀地加热和冷却诸如模具或待形成物体的物体的温度调节装置; 以及使用所述温度调节装置的压印装置。一种温度调节装置，用于调节诸如模具（100）或待形成物体（200）的物体的温度，所述温度调节装置设置有：流体供应装置（1），用于供应具有预定温度来自多个供应出口（11）; 具有用于保持物体的保持表面（22a）的保持装置（22）和用于接收从供给出口（11）供应的流体的流体接收表面（22b）用于与保持装置（22）一起形成容纳供应出口（11）的温度调节室（31）的温度调节壳体（3）。以及用于在温度调节室（31）内排出流体的排出流路（4）。

48. 发明申请

WO2011077894A1 スフェロイド形成促進方法およびスフェロイド形成促進培地审中-公开
标题翻译：用于增强形成SPHEROID和文化媒质以增强SPHEROID形成的方法
公开(公告)号：WO2011077894A1
公开(公告)日：2011-06-30
申请号：PCT/JP2010/071002
申请日：2010-11-25
申请人： SCIVAX株式会社 , 小林真喜 , 吉田かおり , 脇厚生 , 田中覚 , 吉井幸恵
发明人：小林真喜 , 吉田かおり , 脇厚生 , 田中覚 , 吉井幸恵
IPC分类号： C12N5/00 , C12N5/02
CPC分类号： C12N5/0062 , C12N2533/90
摘要：　簡便かつ短期間でスフェロイドを形成させることができる細胞培養方法および該方法に用いることのできるスフェロイド形成促進培地を提供する。細胞接着面として機能する凹凸構造を有する培養基材上で、所定の細胞外マトリックス成分を含有する細胞用培地を用いて細胞を培養することにより、単層細胞の増殖・成長やスフェロイドの分離・崩壊を防ぎ、極めて効果的にスフェロイドの形成を促進させることが可能となる。
摘要翻译：公开了能够在短期内通过简单的工艺形成球体的细胞培养方法。还公开了可用于细胞培养方法的用于增强球形体形成的培养基。通过在具有作为细胞粘附表面的凹凸投影结构的培养基上培养细胞，使用含有规定的细胞外基质成分的细胞培养基，单层细胞的增殖和生长以及分离和崩解防止了球体，从而非常有效地增强了球体的形成。

49. 发明申请

WO2011065398A1 光学式センサー及びその製造方法审中-公开
标题翻译：光传感器及其制造方法
公开(公告)号：WO2011065398A1
公开(公告)日：2011-06-03
申请号：PCT/JP2010/070980
申请日：2010-11-25
申请人：国立大学法人東京工業大学 , SCIVAX株式会社 , 遠藤達郎 , 田中覚 , 奥田徳路
发明人：遠藤達郎 , 田中覚 , 奥田徳路
IPC分类号： G01N21/27 , G01N33/543 , G01N33/569
CPC分类号： G01N21/774 , G01N33/543
摘要：　製造コストが低く検出方法が容易で、非常に高感度かつ信頼性の高い光学式センサー及びその製造方法を提供する。所定の被検出物を特異的に検出するための光学式センサーであって、所定の形状が周期配列されフォトニック結晶として機能する凹凸構造11を有する基層１と、被検出物と結合する認識素子２と、認識素子２と結合する認識素子結合因子32を有し、凹凸構造11の表面に形成される媒介手段３と、を具備することを特徴とする光学式センサー。
摘要翻译：公开了一种光学传感器，其具有简单的检测方法，并且制造成本低，非常敏感且高度可靠。还公开了一种用于制造所述光学传感器的方法。所公开的专门检测规定的检测目标的光学传感器的特征在于：具有作为光子晶体的颠簸结构（11）的基底层（1），其周期性地布置规定的形状; 与检测目标结合的识别元件（2）; 以及形成在颠簸结构（11）的表面上并具有与识别元件（2）结合的识别元件结合因子（32）的中间装置（3）。

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