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31. 发明申请

WO0157975A2 NEAR-FIELD LASER AND DETECTOR APPARATUS AND METHOD 审中-公开
标题翻译：近场激光和探测器装置和方法
公开(公告)号：WO0157975A2
公开(公告)日：2001-08-09
申请号：PCT/US0102933
申请日：2001-01-29
申请人： SIROS TECHNOLOGIES INC
发明人： THORNTON ROBERT L , HESSELINK LAMBERTUS
IPC分类号： G01Q60/00 , G11B7/125 , H01S5/00 , H01S5/028 , H01S5/065 , H01S5/14 , H01S5/183
CPC分类号： B82Y10/00 , G11B7/127 , H01S5/0028 , H01S5/0656 , H01S5/06808 , H01S5/0683 , H01S5/18311 , H01S5/18394 , H01S2301/18
摘要： A near-field laser and detector apparatus and method wherein both writing and reading of optical media can be carried out using the same laser operating in a single mode for both read and write operations. The single operational mode can be utilized with both edge emitting and surface emitting laser configurations, and allows readout via rear facet output power variation or by voltage variation across the laser. A small aperture laser is operated during read and write operations at a bias current which is higher than the threshold currents associated with feedback from high and low reflectivity regions of an optical medium. The bias current and laser structure provide a relatively high, continuous output power from the front emission facet of the laser to facilitate writing, while providing substantial fluctuation or change in output power from the rear emission facet to facilitate readout.
摘要翻译：一种近场激光器和检测器装置及方法，其中光学介质的写入和读取都可以使用在单个模式下操作的同一激光器进行读取和写入操作。单个操作模式可以利用边缘发射和表面发射激光器配置，并且允许通过后面输出功率变化或通过激光器的电压变化读出。在读取和写入操作期间，小孔径激光器以高于与光学介质的高和低反射率区域的反馈相关联的阈值电流的偏置电流来操作。偏置电流和激光器结构提供来自激光器的前发射小面的相对高的连续输出功率，以便于写入，同时提供来自后发射面的输出功率的实质波动或变化以便于读出。

32. 发明申请

WO00027003A1 SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER 审中-公开
标题翻译：表面发射半导体激光
公开(公告)号：WO00027003A1
公开(公告)日：2000-05-11
申请号：PCT/JP1999/006137
申请日：1999-11-04
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/323 , H01S5/223
CPC分类号： H01S5/18311 , H01S5/32308 , H01S2301/166
摘要： A surface-emitting semiconductor laser, in which both an active layer and a current-constricting layer near the active layer are sandwiched between two reflecting mirror layer structures. The current-constricting layer is made of AlInAs, has an oxide region formed in its periphery, and operates with a low-threshold current, thereby realizing continuous operation at high temperatures.
摘要翻译：表面发射半导体激光器，其中有源层和有源层附近的电流 - 收缩层都夹在两个反射镜层结构之间。电流限制层由AlInAs制成，其周边形成有氧化物区域，并以低阈值电流工作，从而在高温下实现连续工作。

33. 发明申请

WO99053580A1 LATTICE-RELAXED VERTICAL OPTICAL CAVITIES 审中-公开
标题翻译：纵向放大垂直光学角
公开(公告)号：WO99053580A1
公开(公告)日：1999-10-21
申请号：PCT/US1999/005052
申请日：1999-03-09
IPC分类号： H01L33/10 , H01S5/14 , H01S5/183 , H01S5/32 , H01S3/19 , H01S3/08
CPC分类号： H01S5/18311 , H01L33/105 , H01S5/0614 , H01S5/18341 , H01S5/18358 , H01S5/18366 , H01S5/18372 , H01S5/3095 , H01S5/3201 , H01S5/4018
摘要： A monolithic long-wavelength vertical optical cavity device built up along a vertical direction. The device (1), when designed as a surface emitting laser, has a bottom DBR (10), an active region (16) consisting of active bulk medium or quantum wells, a current confinement layer (28) next to the active layer, and a top DBR (32). The bottom DBR (10) and the active region (16) are lattice matched to the lattice defining material (8), while the top DBR (32) is lattice relaxed. The device can be used as a light detector when the active region (16) is replaced by a spacer or an optical filter.
摘要翻译：沿垂直方向建立的单片长波长垂直光腔装置。当设计为表面发射激光器时，器件（1）具有底部DBR（10），由有源体介质或量子阱组成的有源区（16），邻近有源层的电流限制层（28）和顶部DBR（32）。底部DBR（10）和有源区域（16）与晶格限定材料（8）晶格匹配，而顶部DBR（32）是晶格弛豫的。当有源区域（16）由间隔物或滤光器代替时，该装置可以用作光检测器。

34. 发明申请

WO99008351A1 SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR 审中-公开
标题翻译：表面发射半导体激光器及其制造方法
公开(公告)号：WO99008351A1
公开(公告)日：1999-02-18
申请号：PCT/JP1998/000283
申请日：1998-01-22
IPC分类号： H01S5/042 , H01S5/183 , H01S5/42 , H01S3/18
CPC分类号： H01S5/423 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/18311
摘要： A light source of a semiconductor laser beam scanner which has high resolution at the time of scanning, is suitable for emitting a laser beam from the surface, and has a high degree of freedom of mounting is disclosed. A surface emitting semiconductor laser having at least a first mirror (102), an active layer (103), a current constriction layer (113), a contact layer (106) and a second mirror (111) on a semiconductor substrate (101). The current constriction layer (113) is constitued by a stripe-shaped AlAs layer (105) and an aluminum oxide layer (108) so formed as to surround the AlAs layer (105). The contact layer (106) is formed in the shape of comb tooth (109) in a region where it overlaps the aluminum oxide layer, and mutually independent contact electrodes (110) are formed respectively on the upper surfaces of the comb teeth (109) of the contact layer.
摘要翻译：在扫描时具有高分辨率的半导体激光束扫描器的光源适用于从表面发射激光束，并且具有高度的安装自由度。一种在半导体衬底（101）上至少具有第一反射镜（102），有源层（103），电流收缩层（113），接触层（106）和第二反射镜（111）的表面发射半导体激光器，。电流收缩层（113）由条形AlAs层（105）和形成为包围AlAs层（105）的氧化铝层（108）构成。接触层（106）在与氧化铝层重叠的区域中形成为梳齿（109）的形状，并且在梳齿（109）的上表面上分别形成相互独立的接触电极（110）的接触层。

35. 发明申请

WO1998008280A1 APERTURE COMPRISING AN OXIDIZED REGION AND A SEMICONDUCTOR MATERIAL 审中-公开
标题翻译：包含氧化区域的孔径和半导体材料
公开(公告)号：WO1998008280A1
公开(公告)日：1998-02-26
申请号：PCT/US1997014237
申请日：1997-08-18
申请人： PICOLIGHT INCORPORATED , JEWELL, Jack, L.
发明人： PICOLIGHT INCORPORATED
IPC分类号： H01S03/133
CPC分类号： H01S5/18372 , H01L33/105 , H01L33/145 , H01S5/18311 , H01S5/18341
摘要： An improved aperture (10) is provided. The aperture (10) comprises: at least a first layer (12); the first layer (12) being oxidized in a laterally oriented first region (14); the first layer (12) being modified within a laterally oriented second region (16), the second region (16) being oxidized less than the first region (14); a second layer (18) deposited in communication with the first layer (12), the second layer (18) being oxidized less than the first layer (12); and a non-planar boundary (22) having top and bottom boundary surfaces and side walls (28) connecting the top and bottom boundary surfaces, the top boundary surface defined as a top surface of the second layer (18) above the laterally oriented first region (14) and the bottom boundary surface defined as a bottom surface of the laterally oriented second region (16), the first and second regions (14, 16) defining the aperture (10).
摘要翻译：提供改进的孔（10）。孔（10）包括：至少第一层（12）; 所述第一层（12）在横向取向的第一区域（14）中被氧化; 所述第一层（12）在横向定向的第二区域（16）内被修改，所述第二区域（16）被氧化得小于所述第一区域（14）; 沉积与第一层（12）连通的第二层（18），第二层（18）被氧化得小于第一层（12）; 和具有顶部和底部边界表面的非平面边界（22）和连接顶部和底部边界表面的侧壁（28），顶部边界表面被限定为第二层（18）的顶部表面上方横向定向的第一区域（14）和限定为横向定向的第二区域（16）的底表面的底部边界表面，所述第一和第二区域（14,16）限定孔（10）。

36. 发明申请

WO1997018581A1 LOW THRESHOLD MICROCAVITY LIGHT EMITTER 审中-公开
标题翻译：低电压微波发光二极管
公开(公告)号：WO1997018581A1
公开(公告)日：1997-05-22
申请号：PCT/US1996018194
申请日：1996-11-12
申请人： BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM , DEPPE, Dennis, G. , HUFFAKER, Diana, L.
发明人： BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L33/105 , H01L21/02178 , H01L21/02241 , H01L21/02255 , H01L21/31666 , H01S5/1078 , H01S5/18311 , H01S5/18316 , H01S5/1833 , H01S5/18358 , H01S5/18369 , H01S2301/166 , H01S2301/176 , H01S2301/18
摘要： Disclosed is a low threshold vertical cavity surface emitter having a low refraction index confining layer (36) directly in the cavity spacer. This allows a 1/2 wavelength cavity spacer and lateral size of as low as 2 mu m. Also disclosed is a method of rapid temperature annealing to seal a III-V crystal and inhibit oxidative degradation.
摘要翻译：公开了一种低阈值垂直腔表面发射器，其具有直接在腔间隔物中的低折射率限制层（36）。这允许1/2波长腔间隔件和低至2微米的横向尺寸。还公开了一种快速退火以密封III-V晶体并抑制氧化降解的方法。

37. 发明申请

WO2018206767A1 DISPOSITIF D'ÉMISSION LUMINEUSE À LEDS ÉMETTANT DANS LE DOMAINE DES UVC 审中-公开
公开(公告)号：WO2018206767A1
公开(公告)日：2018-11-15
申请号：PCT/EP2018/062210
申请日：2018-05-11
申请人： UNIVERSITÉ D'AVIGNON ET DES PAYS DE VAUCLUSE , UNIVERSITÉ DE MONTPELLIER , CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE
发明人： AARROUF, Jawad , CHABANE SARI, Dounyazade , ORSAL, Bernard , URBAN, Laurent
IPC分类号： H01L33/00 , H01L25/075 , H01L33/58 , A01G7/04 , H01L25/16 , H01L33/60 , H01S5/026 , H01S5/183 , H01S5/50
CPC分类号： H01L33/0045 , A01G7/045 , H01L25/0753 , H01L25/167 , H01L33/32 , H01L33/58 , H01L33/60 , H01S5/026 , H01S5/18311 , H01S5/2009 , H01S5/32341 , H01S5/50
摘要： Un dispositif d'émission lumineuse comprenant : • une pluralité de diodes électroluminescentes (LEDs) adaptées pour émettre une onde photonique ayant une longueur d'onde À d'émission inférieure à 270 nm et ayant une énergie à la longueur d'onde λ d'émission supérieure à un gap optique Eg = h.c/X, la pluralité de LEDs comprenant au moins une LEDs, et • un dispositif de confinement adapté pour confiner et amplifier l'onde photonique.

38. 发明申请

WO2016048268A1 SINGLE MODE VERTICAL-CAVITY SURFACE-EMITTING LASER 审中-公开
标题翻译：单模垂直表面发射激光
公开(公告)号：WO2016048268A1
公开(公告)日：2016-03-31
申请号：PCT/US2014/056790
申请日：2014-09-22
申请人： HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP
发明人： TAN, Michael Renne Ty, , SORIN, Wayne V, , MATHAI, Sagi V,
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18311 , H01S5/0207 , H01S5/0224 , H01S5/0267 , H01S5/18319 , H01S5/18344 , H01S5/18347 , H01S5/18377 , H01S5/18394 , H01S2301/14 , H01S2301/166
摘要： A vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) includes a first reflector having a first reflectivity; a second reflector having a second reflectivity, where the second reflectivity is less than the first reflectivity; a gain region between the first and second reflectors; and a substrate having a first surface and a second surface, where the first surface is coupled to the second reflector, and where the second surface is formed into a lens to act upon light emitted by the VCSEL through the substrate. The VCSEL lases in a single transverse mode.
摘要翻译：垂直腔表面发射激光器（VCSEL）包括具有第一反射率的第一反射器; 具有第二反射率的第二反射器，其中第二反射率小于第一反射率; 第一和第二反射器之间的增益区域; 以及具有第一表面和第二表面的衬底，其中所述第一表面耦合到所述第二反射器，并且其中所述第二表面形成透镜以对由VCSEL通过所述衬底发射的光作用。 VCSEL以单一横向模式发光。

39. 发明申请

WO2015079636A1 TUNABLE SURFACE EMITTING LASER, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND OPTICAL COHERENCE TOMOGRAPHY APPARATUS INCLUDING TUNABLE SURFACE EMITTING LASER 审中-公开
标题翻译：可表面发射激光器，其制造方法和光学相干测量装置，其中包括表面发射激光
公开(公告)号：WO2015079636A1
公开(公告)日：2015-06-04
申请号：PCT/JP2014/005693
申请日：2014-11-13
申请人： CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人： NAKANISHI, Koichiro
IPC分类号： H01S5/042 , H01S5/183 , G01B9/02 , H01S5/022 , H01S5/20
CPC分类号： H01S5/0421 , G01B9/02004 , G01B9/02091 , H01S5/0425 , H01S5/18311 , H01S5/18341 , H01S5/18366 , H01S5/2063
摘要： A tunable surface emitting laser includes on a semiconductor substrate (1) a first reflecting mirror (2); an active layer (4) on the first reflecting mirror which may be a DBR; a current confinement layer (6) resulting from partial oxidation of an AlGaAs layer; a conductive layer (7) on the current confinement layer (6) for providing a bias current to the active region; support portions (8) made from electrically insulating material like undoped GaAs; and a conductive film (9) which is provided above the conductive layer via a support portion (8) and which comprises a second reflecting mirror (11) like a HCG. A gap portion (14) is formed between the conductive layer (7) and the conductive film (9). The conductive layer (7) includes a high resistivity region (13) provided between the support portion (8) and the central current guiding region of the current confinement layer (6). Breakdown voltage of the tuning part is increased and rapid wavelength tuning via corresponding currents provided to the electrodes (12) is enabled allowing for faster movement of the second reflector (11).
摘要翻译：可调谐表面发射激光器包括在半导体衬底（1）上的第一反射镜（2）; 第一反射镜上的有源层（4）可以是DBR; 由AlGaAs层的部分氧化产生的电流限制层（6）; 电流限制层（6）上的导电层（7），用于向有源区域提供偏置电流; 由诸如未掺杂的GaAs的电绝缘材料制成的支撑部分（8）; 以及导电膜（9），其通过支撑部分（8）设置在导电层上方，并且包括像HCG那样的第二反射镜（11）。在导电层（7）和导电膜（9）之间形成间隙部分（14）。导电层（7）包括设置在支撑部分（8）和电流限制层（6）的中心电流引导区域之间的高电阻率区域（13）。调谐部分的击穿电压增加，并且使得提供给电极（12）的相应电流的快速波长调谐能够允许第二反射器（11）的更快的移动。

40. 发明申请

WO2014144998A3 TUNABLE LASER ARRAY SYSTEM 审中-公开
标题翻译：可调激光阵列系统
公开(公告)号：WO2014144998A3
公开(公告)日：2014-11-13
申请号：PCT/US2014029632
申请日：2014-03-14
申请人： PRAEVIUM RESEARACH INC , THORLABS INC
发明人： JAYARAMAN VIJAYSEKHAR , BURGNER CHRISTOPHER , JOHN DEMIS , POTSAID BENJAMIN MICHAEL , CABLE ALEX EZRA
IPC分类号： A61B6/00 , G01B9/02 , H01S3/00
CPC分类号： H01S5/18366 , H01S5/18308 , H01S5/18311 , H01S5/18341 , H01S5/18369 , H01S5/18372 , H01S5/18377 , H01S5/2059 , H01S5/3095
摘要： A system for swept source optical coherence tomography, the system including a light source emitting multiplexed wavelength-swept radiation over a total wavelength range, the light source including N wavelength-swept vertical cavity lasers (VCL) emitting N tunable VCL outputs having N wavelength trajectories, a combiner for combining the N tunable VCL optical outputs into a common optical path to create the multiplexed wavelength-swept radiation, a splitter for splitting the multiplexed wavelength- swept radiation to a sample and a reference path, an optical detector for detecting an interference signal created by an optical interference between a reflection from the sample and light traversing the reference path, and a signal processing system which uses the interference signal to construct an image of the sample, wherein at least one of the N wavelength trajectories differs from another of the N wavelength trajectories with respect to at least one parameter.
摘要翻译：一种用于扫描源光学相干断层扫描的系统，所述系统包括在整个波长范围上发射多路复用波长扫描辐射的光源，所述光源包括N个波长扫描垂直腔激光器（VCL），所述N个波长扫描垂直腔激光器发射N个可调谐VCL输出，用于将N个可调谐VCL光输出组合成公共光路以产生多路复用波长扫描辐射的组合器，用于将复用波长扫描辐射分成样本和参考路径的分路器，用于检测干扰的光学检测器由来自样本的反射和穿过参考路径的光之间的光学干涉产生的信号，以及使用干涉信号构建样本的图像的信号处理系统，其中N个波长轨迹中的至少一个不同于相对于至少一个参数的N个波长轨迹。

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