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    • 37. 发明申请
    • 半導体微粒子の製造方法及びその微粒子
    • 生产半导体精细颗粒和精细颗粒的方法
    • WO2009020188A1
    • 2009-02-12
    • PCT/JP2008/064246
    • 2008-08-07
    • エム・テクニック株式会社榎村 眞一
    • 榎村 眞一
    • H01L21/368B01J19/00B82B3/00C01B33/023C01G9/08
    • H01L33/0083B01F7/00B01F7/00758B01F7/00791B82Y30/00B82Y35/00C01G9/08C01P2004/62C01P2004/64C01P2006/40H01L21/02521H01L21/02601H01L21/02628H01L33/005H01L33/26H01L33/285H01L51/0094Y10S516/927Y10S516/928Y10S977/896
    •  目的に応じて単分散の化合物半導体微粒子が作成出来、さらに自己排出性により生成物の詰まりも無く、大きな圧力を必要とせず、また生産性も高い、化合物半導体微粒子の製造方法を提供することを課題とするものであって、半導体原料を流体中において析出・沈殿させて化合物半導体微粒子を製造するに際して、上記の流体を、近接・離反可能に互いに対向して配設され、少なくとも一方が他方に対して回転する処理用面の間にできる薄膜流体とするものであり、当該薄膜流体中において半導体原料を析出・沈殿させる。また、半導体元素を含む化合物を流体中において還元剤と反応させて前記半導体元素を含む半導体微粒子を製造するに際して、上記の流体を、近接・離反可能に互いに対向して配設され、少なくとも一方が他方に対して回転する処理用面の間にできる薄膜流体とするものであり、当該薄膜流体中において上記半導体元素を含む化合物と還元剤とを反応させる。
    • 本发明提供一种能够根据目的制备单分散化合物半导体微粒的化合物半导体微粒的制造方法,不会因自放电性而堵塞产品,不需要大的压力,能够实现高生产率 。 将半导体材料沉淀并沉淀在流体中以产生化合物半导体细颗粒。 流体是在相对于彼此相对布置的流体部分中产生的薄膜流体,其中至少一个相对于另一个处理面旋转的处理面之间的部分,使得它们可以彼此靠近,并且 相互脱离 用于半导体的材料沉积并沉淀在薄膜流体中。 或者,还可以采用将含有半导体元素的化合物与流体中的还原剂反应以制造含有半导体元件的半导体微粒的方法。 在这种情况下,流体是在彼此相对设置的流体部分之间产生的薄膜流体,其中至少一个相对于另一个处理面旋转的处理面之间的部分,使得它们可以接近 彼此相互脱离。 含有半导体元素的化合物与薄膜流体中的还原剂反应。