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31. 发明申请

WO2003054949A1 基板処理方法および基板処理装置审中-公开
标题翻译：基板加工方法和基板加工装置
公开(公告)号：WO2003054949A1
公开(公告)日：2003-07-03
申请号：PCT/JP2002/012926
申请日：2002-12-10
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 大見忠弘 , 須川成利 , 平山昌樹
发明人：大見忠弘 , 須川成利 , 平山昌樹
IPC分类号： H01L21/318
CPC分类号： H01L21/02247 , C23C8/36 , H01J37/321 , H01J37/32357 , H01L21/02252 , H01L21/3143 , H01L21/318
摘要： A substrate processing apparatus has a process space (11C) containing a substrate to be processed and a plasma creating space (11B) not containing the substrate and separated from the process space (11C) by a control electrode (131). The control electrode is composed of a conductive member having openings (131a) through which a plasma created in a process vessel passes. The control electrode is covered with aluminum oxide or conductive nitride. A gas containing He and N 2 is supplied into the process chamber of the substrate processing apparatus. A plasma is created under such a condition that atomic nitrogen N* is excited in the plasma creating space, and the substrate is nitrided with the atomic nitrogen N*.
摘要翻译：基板处理装置具有包含待处理基板的处理空间（11C）和不包含基板的等离子体产生空间（11B），并通过控制电极（131）与处理空间（11C）分离。控制电极由具有开口（131a）的导电构件构成，等离子体通过该开口等离子体产生。控制电极被氧化铝或导电氮化物覆盖。将含有He和N 2 的气体供给到基板处理装置的处理室中。在等离子体产生空间中激发原子氮N *的条件下产生等离子体，并且用原子氮N *氮化基板。

32. 发明申请

WO2003049189A1 貼り合わせウエーハおよび貼り合わせウエーハの製造方法审中-公开
标题翻译：抛光砂浆和生产抛光砂浆的方法
公开(公告)号：WO2003049189A1
公开(公告)日：2003-06-12
申请号：PCT/JP2002/012277
申请日：2002-11-25
申请人：信越半導体株式会社 , 三谷清 , 出水清史 , 横川功 , 大見忠弘 , 須川成利
发明人：三谷清 , 出水清史 , 横川功 , 大見忠弘 , 須川成利
IPC分类号： H01L27/12
CPC分类号： H01L21/2007 , H01L21/76254 , H01L29/045
摘要： A pasted wafer having a silicon single crystal layer stacked on a silicon single crystal wafer, characterized in that the silicon single crystal layer has a crystal face orientation {110} and the silicon single crystal wafer has a crystal face orientation {100}. A method for producing a pasted wafer characterized in that a first silicon single crystal wafer having a crystal face orientation {110} and a second silicon single crystal wafer having a crystal face orientation {100} are pasted together directly or through an insulating film and then the first silicon single crystal wafer is made thin. According to the method, a wafer that can provide an MIS device having excellent characteristics utilizing a silicon single crystal wafer of {110} can be provided.
摘要翻译：在硅单晶晶片上堆积硅单晶层的粘贴晶片，其特征在于，所述硅单晶层具有晶面取向{110}，所述硅单晶晶片具有晶面取向{100}。一种粘贴晶片的制造方法，其特征在于，具有晶面取向{110}的第一硅单晶晶片和具有晶面取向{100}的第二硅单晶晶片直接或通过绝缘膜粘贴在一起，然后使第一硅单晶晶片变薄。根据该方法，可以提供利用{110}的硅单晶晶片提供具有优异特性的MIS器件的晶片。

33. 发明申请

WO2002080254A1 マイクロ波プラズマプロセス装置、プラズマ着火方法、プラズマ形成方法及びプラズマプロセス方法审中-公开
标题翻译：微波等离子体处理装置，等离子体点火方法，等离子体成型方法和等离子体处理方法
公开(公告)号：WO2002080254A1
公开(公告)日：2002-10-10
申请号：PCT/JP2002/003113
申请日：2002-03-28
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 大見忠弘 , 平山昌樹 , 須川成利 , 後藤哲也
发明人：大見忠弘 , 平山昌樹 , 須川成利 , 後藤哲也
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01J37/32192 , C23C16/517 , H01J37/32009 , H01J37/32339
摘要： A microwave plasma process device (10) is provided with a plasma ignition enhancing means for enhancing plasma ignition by microwaves. The plasma ignition enhancing means comprises a deuterium lamp (30) which generates vacuum ultraviolet rays, and a penetration window (32) guiding the vacuum ultraviolet rays, which have penetrated the same, to a plasma excitation space (26). The penetration window (32) is constructed as a convex lens, focusing the vacuum ultraviolet rays to enhance the ionization of the plasma excitation gas. Such arrangement makes it possible to effect plasma ignition easily and rapidly.
摘要翻译：微波等离子体处理装置（10）具有用于通过微波增强等离子体点火的等离子体点火提高装置。等离子体点火提高装置包括产生真空紫外线的氘灯（30）和将其穿透的真空紫外线引导到等离子体激发空间（26）的穿透窗（32）。穿透窗（32）被构造为凸透镜，聚焦真空紫外线以增强等离子体激发气体的离子化。这样的布置使得可以容易且快速地实现等离子体点火。

34. 发明申请

WO2012063425A1 ＳＯＩ基板のエッチング方法並びにＳＯＩ基板上の裏面照射型光電変換モジュール及びその作製方法审中-公开
标题翻译： SOI衬底的蚀刻方法和SOI衬底上的后照明光电转换模块及其制造方法
公开(公告)号：WO2012063425A1
公开(公告)日：2012-05-18
申请号：PCT/JP2011/006034
申请日：2011-10-28
申请人：国立大学法人東北大学 , 大見忠弘 , 大橋朋貢 , 吉川和博 , 吉田達朗 , 内村徹平 , 添田一喜 , 須川成利
发明人：大見　忠弘 , 大橋　朋貢 , 吉川　和博 , 吉田　達朗 , 内村　徹平 , 添田　一喜 , 須川　成利
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/308 , H01L27/12 , H01L27/146
CPC分类号： H01L31/0248 , H01L21/30604 , H01L21/6708 , H01L27/1464 , H01L29/78603
摘要：　本願発明は、ＳＯＩ基板のエッチング方法であって、Ｓｉ基板を高速かつ平坦にウェットエッチングすることのできるエッチング方法を提供することを課題とする。フッ硝酸は、一般にＨＦ（ａ）ＨＮＯ 3 （ｂ）Ｈ 2 Ｏ（ｃ）（ここで、ａ、ｂ及びｃの単位はｗｔ％、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００）と書ける。本発明者らは、組成を適切に選択することで、高濃度フッ硝酸によるＳｉＯ 2 層のエッチングレートがＳｉ基板と比較して著しく低くなることに見出し、Ｓｉ基板を、ＳｉＯ 2 層が露出するまでエッチングを行う。このようにすることで、Ｓｉ基板を高速にエッチングすることができ、かつ、エッチングされた表面の平坦性を従来に比して顕著に向上することができる。高濃度フッ硝酸の組成が僅かにＳｉＯ 2 層をエッチングするものであっても、Ｓｉ基板のエッチングが高速に終了するため、実質的にＳｉＯ 2 層のエッチングはほとんど進まず、平坦な表面を有するＳｉＯ 2 層が露出する。
摘要翻译：本申请的发明的目的是提供一种蚀刻SOI衬底的方法，其能够对Si衬底进行高速率和均匀湿蚀刻。氢氟酸 - 硝酸混合物通常由HF（a）HNO 3（b）H 2 O（c）表示（其中a，b和c各自的单元以wt％表示，其中a + b + c = 100）。本发明人发现，当适当选择氢氟酸 - 硝酸混合物的组成时，与高浓度氢氟酸 - 硝酸混合物相比，SiO 2层的蚀刻速率显着降低。然后，蚀刻Si衬底直到暴露出SiO 2层。以这种方式，可以高速率地蚀刻Si衬底，与传统技术相比，可以显着改善蚀刻表面的平坦度。即使当高浓度氢氟酸 - 硝酸混合物的组成可以稍微蚀刻SiO 2层时，也可以高速地完成Si衬底的蚀刻。因此，SiO 2层的蚀刻基本上不进行，具有平坦表面的SiO 2层露出。

35. 发明申请

WO2007026390A1 スキャン型露光装置审中-公开
标题翻译：扫描曝光装置
公开(公告)号：WO2007026390A1
公开(公告)日：2007-03-08
申请号：PCT/JP2005/015690
申请日：2005-08-30
申请人：大見忠弘 , 須川成利 , 柳田公雄 , 武久究
发明人：大見忠弘 , 須川成利 , 柳田公雄 , 武久究
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20 , G03F1/08
CPC分类号： G03F7/70716 , G03F7/70358
摘要：　本発明のスキャン型露光装置１００では、マスク１０２におけるレーザ光照射領域１０３内のパターンは、縮小投影光学系１０４によって、１／８に縮小されてウエハステージ１０６に載せられたウエハ１０５上に投影される。マスクステージ１０１におけるスキャンの等速度ストローク長は約５３０ｍｍと従来の露光装置の約１４０ｍｍに対して、４倍程度長くなっている。これによって、マスク１０２内の描画領域の大きさとして、長さ５２８ｍｍがカバーできるようになる。これによって、縮小投影光学系１０４によって形成されるウエハ１０５での露光領域のＸ方向は、６６ｍｍが確保される。
摘要翻译：在扫描曝光装置（100）中，掩模（102）中的激光照射区域（103）中的图案被减少1/8，并且通过缩小突起投影在放置在晶片台（106）上的晶片（105）光学系统（104）。在掩模台（101）上的扫描中以均匀速度的行程长度大约为530mm，与传统曝光设备中的大约140mm相比，大约是四倍。因此，作为掩模（102）中的光刻区域的尺寸，覆盖了528mm的长度。在由缩小投影光学系统（104）形成的曝光区域中，在X方向上在晶片（105）上确保66mm的长度。

36. 发明申请

WO2004112140A1 ミキサ回路审中-公开
标题翻译：混频器电路
公开(公告)号：WO2004112140A1
公开(公告)日：2004-12-23
申请号：PCT/JP2004/008215
申请日：2004-06-11
申请人：株式会社豊田自動織機 , 新潟精密株式会社 , 大見忠弘 , 西牟田武史 , 宮城弘 , 須川成利 , 寺本章伸
发明人：大見忠弘 , 西牟田武史 , 宮城弘 , 須川成利 , 寺本章伸
IPC分类号： H01L27/092
CPC分类号： H01L29/1033 , H01L21/823807 , H01L21/82385 , H01L29/045 , H03D7/1441 , H03D7/1458 , H03D2200/0033 , H03D2200/0047
摘要：　少なくとも二つの結晶面を有する半導体基板（８１０Ａ、８１０）と、該半導体基板上であって前記結晶面の少なくとも二つに対して形成したゲート絶縁膜（８２０Ａ）とを有し、前記ゲート絶縁膜に沿って前記半導体基板中に形成されるチャネルのチャネル幅が、前記少なくとも二つの結晶面に対して各々形成されるチャネルの各チャネル幅の総和で示される、ｐチャネルＭＯＳトランジスタ（８４０Ａ）及びｎチャネルＭＯＳトランジスタ（８４０Ｂ）を組み合わせたＣＭＯＳトランジスタ（８００）を用いて、ミキサ回路を構成する。このように構成することにより、トランジスタ素子で発生する１／ｆ雑音や、トランジスタ素子の電気的特性のバラツキによって出力信号に生じるＤＣオフセットや、チャネル長変調効果に基づく信号歪を低減させることが可能となる。
摘要翻译：混频器电路通过使用包括p沟道MOS晶体管（840A）和n沟道MOS晶体管（840B）的组合的CMOS晶体管（800）构成，每个CMOS沟道MOS晶体管包括半导体衬底（810A，810）至少两个晶体表面，并且还包括位于所述半导体衬底上并为所述至少两个晶体表面形成的栅极绝缘膜（820A），其中沿着所述栅极绝缘膜形成在所述半导体衬底中的沟道的沟道宽度由对于至少两个晶体表面形成的通道的通道宽度的总和。这种配置可以降低晶体管元件中产生的1 / f噪声，由于晶体管元件的电特性的变化而在输出信号中产生的DC偏移，以及基于沟道长度调制效应的信号失真。

37. 发明申请

WO2004074934A1 マスク作成方法、マスク作成装置、及び、マスク描画装置审中-公开
标题翻译：掩模制造方法，掩模制造装置和掩模绘图装置
公开(公告)号：WO2004074934A1
公开(公告)日：2004-09-02
申请号：PCT/JP2004/000740
申请日：2004-01-28
申请人：ボールセミコンダクターインク. , 大見忠弘 , 須川成利 , 武久究
发明人：大見忠弘 , 須川成利 , 武久究
IPC分类号： G03F1/08
CPC分类号： G03F7/70283 , G03F7/70291
摘要：マスクパターンデータ出力装置１０７のマスクデータに基づいて制御されている二次元配列微小ミラー１０６で反射するパターン状のレーザ光は、拡大パターン１１０を形成し、これを縮小投影光学系１０２によってマスク基板１０９上に縮小投影して、描画パターン１１１が形成される。二次元配列微小ミラー１０６によって大量のパターンが一瞬で描画されるため、マスクパターン全てを描画する時間が従来と比較して桁違いに短縮される。その結果、マスクコストを大幅に低下できる。
摘要翻译：从掩模图案数据输出装置（107）基于掩模数据控制的二维布置的精细反射镜（106）反射的图案形式的激光束形成放大图案（110），然后将其放大到掩模基板（109）通过缩小投影光学系统（102）形成绘制图案（111）。由于二维布置的精细反射镜（106）瞬时绘制大量图案，所以与常规方法相比，绘制所有掩模图案所需的时间显着减少，从而显着降低了掩模成本。

38. 发明申请

WO2002080252A1 プラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：等离子体加工装置
公开(公告)号：WO2002080252A1
公开(公告)日：2002-10-10
申请号：PCT/JP2002/003111
申请日：2002-03-28
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 大見忠弘 , 平山昌樹 , 須川成利 , 後藤哲也
发明人：大見忠弘 , 平山昌樹 , 須川成利 , 後藤哲也
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01J37/3244 , H01J37/32192 , H01J37/32238
摘要： In a microwave plasma-processing device, a shower plate or plasma penetration window opposed to a board to be processed is recessed on the side opposed to the board to be processed, whereby a decrease in plasma density in the peripheral region of the board to be processed is compensated. As a result, even when plasma processing at low pressure, such as etching, is effected, stabilized uniform plasma is maintained in the vicinity of the surface of the board to be processed. Further, such arrangement enhances ignition of plasma.
摘要翻译：在微波等离子体处理装置中，与被处理板相对的喷淋板或等离子体渗透窗凹陷在与被处理板相对的一侧，由此板的周边区域的等离子体密度的降低为处理得到补偿。结果，即使进行了诸如蚀刻等低压等离子体处理，也能够在被处理板的表面附近保持均匀的均匀等离子体。此外，这种布置增强了等离子体的点燃。

39. 发明申请

WO2002080251A1 プラズマ処理装置および半導体製造装置审中-公开
标题翻译：等离子体加工装置
公开(公告)号：WO2002080251A1
公开(公告)日：2002-10-10
申请号：PCT/JP2002/003110
申请日：2002-03-28
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 大見忠弘 , 平山昌樹 , 須川成利 , 後藤哲也
发明人：大見忠弘 , 平山昌樹 , 須川成利 , 後藤哲也
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01J37/3244 , C23C16/511 , C30B25/105 , H01J37/32192
摘要： A micro wave plasma processing device having a radial line slot antenna, wherein the radiating surface of the radial line slot antenna is fitted closely to a cover plate forming a part of the outer wall of a processing chamber and fitted closely to a shower plate, and a cooler is installed on the radial line slot antenna so as to absorb a heat flowing in the outer walls of the processing chamber in thickness direction, whereby the cooling efficiency of the shower plate can be optimized and, at the same time, the excitation efficiency of microwave can be optimized.
摘要翻译：一种具有径向线槽天线的微波等离子体处理装置，其中，径向线槽天线的辐射表面紧密地配合到形成处理室的外壁的一部分且与喷淋板紧密配合的盖板，在径向槽缝天线上安装冷却器，以便在厚度方向上吸收在处理室的外壁中流动的热量，从而能够优化喷淋板的冷却效率，并且同时提高激发效率的微波可以优化。

40. 发明申请

WO2002080250A1 プラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：等离子体加工装置
公开(公告)号：WO2002080250A1
公开(公告)日：2002-10-10
申请号：PCT/JP2002/003109
申请日：2002-03-28
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 大見忠弘 , 平山昌樹 , 須川成利 , 後藤哲也
发明人：大見忠弘 , 平山昌樹 , 須川成利 , 後藤哲也
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01J37/3222 , H01J37/32192 , H01J37/32229 , H01J37/3244
摘要： A micro wave plasma processing device, wherein a tapered surface for relieving a variation in impedance and a member having an intermediate dielectric constant are installed between a micro wave feeding wave guide and a micro wave antenna, whereby the formation of reflected wave at the connection part between the micro wave feeding wave guide and the micro wave antenna can be suppressed to increase a power feeding efficiency and suppress discharge so as to stabilize the formation of plasma in the plasma processing device.
摘要翻译：一种微波等离子体处理装置，其中，在微波馈送波导与微波天线之间安装用于缓和阻抗变化的锥形表面和具有中等介电常数的构件，由此在连接部分形成反射波可以抑制微波馈送波导与微波天线之间的距离，从而提高供电效率并抑制放电，从而稳定等离子体处理装置中的等离子体的形成。

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