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21. 发明申请

WO2013062288A1 피복용 부속물의 제작방법 审中-公开
标题翻译：制作配件附件的方法
公开(公告)号：WO2013062288A1
公开(公告)日：2013-05-02
申请号：PCT/KR2012/008722
申请日：2012-10-23
申请人： (주)명성비티엔
发明人： 조기원
IPC分类号： C23F1/02 , C23C14/14 , C23F1/10 , B41M1/28
CPC分类号： D06Q1/04 , B41M5/0076 , C23C14/14 , C23F1/02
摘要： 본 발명은 종래의 피복용 부속물의 제조공정시 레터링 작업을 레이져 식각을 통해 함으로써 측면에 대한 식각이 어려운 점을 보완한 피복용 부속물의 제작방법을 개시한다. 본 발명은 부속물 몸체에 코팅제를 피복하는 제1 코팅층 형성단계; 상기 부속물 몸체에 금속재를 피복하는 금속층 형성단계; 상기 금속층의 표면의 일부에 소정의 패턴을 부분적으로 코팅을 하는 부분 코팅단계; 상기 부속물 몸체에 에칭 용액을 노출시켜 식각하는 것으로 금속 패턴을 형성하는 에칭단계; 및 상기 부속물 몸체에 코팅제를 피복하여 보강하는 상기 제2 코팅층 형성단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：本发明公开了一种用于制造衣物用附件的方法，其补救了在制造用于衣服的附件的制造过程中通过激光蚀刻进行刻字作业的现有技术中蚀刻侧面的困难。该方法包括：涂层形成步骤，将涂布剂涂覆在附属体上; 金属层形成步骤，将金属材料施加在附属体上; 部分涂覆步骤，在所述金属层的表面的一部分上部分地施加预定图案; 蚀刻步骤，通过将附着体上的蚀刻溶液暴露于其上以蚀刻其而形成金属图案; 以及第二涂层形成步骤，其将涂覆剂施加在附件上以加强附着体。

22. 发明申请

WO2021061510A1 POLISHING COMPOSITIONS AND METHODS OF USE THEREOF 审中-公开
公开(公告)号：WO2021061510A1
公开(公告)日：2021-04-01
申请号：PCT/US2020/051401
申请日：2020-09-18
申请人： FUJIFILM ELECTRONIC MATERIALS U.S.A., INC.
发明人： LIANG, Yannan , WEN, Liqing , HU, Bin , LIN, Tawei
IPC分类号： C09G1/00 , C09G1/02 , C23F1/10
摘要： A polishing composition includes an abrasive; a pH adjuster; a barrier film removal rate enhancer; a first low-k removal rate inhibitor; a second low-k removal rate inhibitor; an azole-containing corrosion inhibitor; and a cobalt corrosion inhibitor. This disclosure also relates to a method of polishing a substrate that comprises cobalt using the polishing compositions described herein.

23. 发明申请

WO2019190121A1 마스크의 제조 방법, 마스크 지지 버퍼기판과 그의 제조 방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2019190121A1
公开(公告)日：2019-10-03
申请号：PCT/KR2019/003281
申请日：2019-03-21
申请人： 주식회사 티지오테크
发明人： 이유진 , 이병일 , 장택용
IPC分类号： C25D1/10 , C23F1/10 , C23F1/08 , C09J5/00
摘要： 본 발명은 마스크 지지 버퍼기판과 그의 제조 방법 및 프레임 일체형 마스크의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 마스크 지지 버퍼기판의 제조 방법은, OLED 화소 형성용 마스크(100)를 지지하여 프레임(200)에 대응시키는 버퍼기판(buffer substrate; 50)의 제조 방법으로서, (a) 마스크 금속막(110)을 제공하는 단계, (b) 일면에 임시접착부(55)가 형성된 버퍼기판(50) 상에 마스크 금속막(110)을 접착하는 단계, (c) 마스크 금속막(110)에 마스크 패턴(P)을 형성하는 단계, 및 (d) 버퍼기판(50)으로부터 마스크 패턴(P)이 형성된 마스크 금속막(110)을 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

24. 发明申请

WO2017205614A1 ATOMIC LAYER ETCHING SYSTEMS AND METHODS 审中-公开
标题翻译：原子层蚀刻系统和方法
公开(公告)号：WO2017205614A1
公开(公告)日：2017-11-30
申请号：PCT/US2017/034456
申请日：2017-05-25
申请人： TOKYO ELECTRON LIMITED , FAGUET, Jacques , HURD, Trace , BROWN, Ian
发明人： FAGUET, Jacques , HURD, Trace , BROWN, Ian
IPC分类号： H01L21/302 , C23F1/00 , C23F1/10 , C23F1/12 , H01L21/02 , H01L21/18
CPC分类号： H01L21/67069 , H01L21/31122
摘要： A processing apparatus includes a processing chamber having a substrate holder; a first gas delivery system configured to deliver a first source gas within the processing chamber; a second gas delivery system configured to deliver a second source gas within the processing chamber; an energy activation system; and processing circuitry. The processing circuitry is configured to control first processing parameters for delivery of the first source gas, control second processing parameters for delivery of the second source gas, control processing chamber parameters and energy activation system parameters to cause a reaction of the first source gas and the second source gas with a surface of one or more parts in the processing chamber to etch an atomic layer from the surface of the one or more parts in absence of a plasma, and control vacuum system parameters for removal of one or more reaction gases from the processing chamber.
摘要翻译：处理设备包括：处理腔室，其具有衬底保持器; 第一气体输送系统，所述第一气体输送系统构造成在所述处理室内输送第一源气体; 第二气体输送系统，所述第二气体输送系统构造成在所述处理室内输送第二源气体; 能量激活系统; 和处理电路。处理电路被配置为控制用于输送第一源气体的第一处理参数，控制用于输送第二源气体的第二处理参数，控制处理室参数和能量激活系统参数，以引起第一源气体和在处理室中具有一个或多个部件的表面的第二源气体以在没有等离子体的情况下从所述一个或多个部件的表面蚀刻原子层，并且控制真空系统参数以从所述处理室中去除一种或多种反应气体处理室。

25. 发明申请

WO2016178452A1 그래핀을 촉매로 한 실리콘의 화학적 식각 방법 审中-公开
标题翻译：使用石墨作为催化剂的硅化学蚀刻方法
公开(公告)号：WO2016178452A1
公开(公告)日：2016-11-10
申请号：PCT/KR2015/005501
申请日：2015-06-02
申请人： 경희대학교산학협력단
发明人： 최석호 , 김정길
IPC分类号： C23F1/10 , C23F1/24
CPC分类号： C23F1/10
摘要： 귀금속이 아닌 그래핀을 촉매로 사용하여 경제적인 비용 부담을 낮추고, 독성이 높은 강산성의 용액을 사용하지 않아 상대적으로 안전한 그래핀을 촉매로 한 실리콘의 화학적 식각 방법을 제공한다.
摘要翻译：提供了使用石墨烯作为催化剂的硅的化学蚀刻方法，其降低了由不是贵金属的石墨烯催化剂所使用的经济成本负担，并且相对安全，因为不使用任何高毒性强酸性溶液。

26. 发明申请

WO2014017819A1 금속 배선 표면의 산화물 제거 및 생성 방지용 조성물 审中-公开
标题翻译：用于去除和防止在金属表面上形成氧化物的组合物
公开(公告)号：WO2014017819A1
公开(公告)日：2014-01-30
申请号：PCT/KR2013/006615
申请日：2013-07-24
申请人： 엘티씨 (주)
发明人： 최호성 , 류광현 , 배종일 , 이종순 , 양혜성 , 하상구
IPC分类号： C23F1/44 , C23F1/10
CPC分类号： C11D11/0029 , C11D3/2003 , C11D3/2041 , C11D3/2068 , C11D7/3209 , C11D7/34 , C11D7/5004 , C11D7/5013 , C11D7/5022 , C11D11/0047 , C23C22/02 , C23C22/63 , C23F11/165 , C23G1/20 , H01L21/02068
摘要： 본 발명은 반도체， 유기 발광 다이오드, LED, 액정 표시용 회로 제조 공정에 사용되는 구리 막질의 표면에 형성되는 산화물을 하부 금속 막질에 부식의 영향없이 제거 할 수 있는 방법을 제안하는 것이다. 부식성 아민이 포함되어 있는 조성물에서는 초순수의 함유량에 상관없이 첨가물 0.01~10% 의 함유량에 따라 금속 산화물을 제거 할 수 있으며， 부식성 아민이 아닌 극성 용매에서는 물이 함유되었을 때 첨가물의 함량이 0.01~20% 함유량으로 존재할 때 금속 표면의 산화물을 효율적으로 제거 할 수 있다.
摘要翻译：本发明提出一种在半导体电路，有机发光二极管，LED或液晶显示器的制造工艺中使用的用于去除形成在铜膜表面上的氧化物的方法，而不会导致腐蚀下金属膜。包含腐蚀性胺的组合物可以根据0.01至10％的添加剂含量来除去金属氧化物，而与超纯水的含量无关。除腐蚀性胺以外的极性溶剂当含有水和0.01〜20％的添加剂时，可有效地从金属表面除去氧化物。

27. 发明申请

WO2012081768A1 에칭 페이스트, 그 제조방법 및 이를 이용한 패턴 형성방법 审中-公开
标题翻译：蚀刻膏，其制造方法和使用其的图案形成方法
公开(公告)号：WO2012081768A1
公开(公告)日：2012-06-21
申请号：PCT/KR2011/001695
申请日：2011-03-11
申请人： 제일모직 주식회사 , 심재준
发明人： 심재준
IPC分类号： C09K13/04 , C23F1/10
CPC分类号： C09K13/06 , C23F1/00 , C23F1/02 , C23F1/20 , H01L21/30604
摘要： 본 발명의 에칭 페이스트는 (a) 유기 바인더; (b) 인산; (c)질소함유 화합물; 및 (d) 용제를 포함하며, 상기 (c) 질소함유 화합물은 아민계 화합물 및 암모늄계 화합물 중 하나 이상 선택된다. 상기 에칭 페이스트는 미세선폭을 구현 하면서, 에칭성이 좋으며, 에칭 페이스트에 의한 설비 손상을 개선할 수 있다.
摘要翻译：本发明的蚀刻膏包括：（a）有机粘合剂; （b）磷酸; （c）含氮化合物; 和（d）溶剂，（c）含氮化合物是选自胺类化合物和铵类化合物中的一种或多种这样的化合物。蚀刻膏可以实现细线宽度，具有良好的蚀刻性能，并且可以改善由蚀刻膏引起的对设备的损坏。

28. 发明申请

WO2006108108A3 SUPERFINISHING OF HIGH DENSITY CARBIDES 审中-公开
标题翻译：高密度碳化物的超强化
公开(公告)号：WO2006108108A3
公开(公告)日：2008-01-17
申请号：PCT/US2006012919
申请日：2006-04-06
申请人： REM TECHNOLOGIES , WINKELMANN LANE W
发明人： WINKELMANN LANE W
IPC分类号： C23F1/10 , C23F1/14 , C23F1/16 , C23F1/28 , C23F11/00 , C23F11/04 , C23F11/18
CPC分类号： B24B31/06 , C23C22/73 , C23C22/83 , C23F3/00
摘要： A method for superfinishing a high density carbide steel component using chemically accelerated finishing is provided. The high density carbide steel component is vibrated in a vessel containing a plurality of media, with active chemistry being added to the vessel at a low flow rate. An active chemistry composition is also provided, consisting of one or more conversion coating agents having preferably a phosphate radical, and one or more chelating agents preferably including citric acid.
摘要翻译：提供了一种使用化学加速精加工来对高密度碳化钢组件进行超精加工的方法。高密度碳化钢组分在含有多种介质的容器中振动，活性化学物质以低流速加入容器中。还提供了一种活性化学组合物，其由一种或多种优选具有磷酸根的转化包衣剂和一种或多种螯合剂组成，优选包括柠檬酸。

29. 发明申请

WO2006130439A1 PROCESS FOR REMOVAL OF METALS AND ALLOYS FROM A SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：从基板上去除金属和合金的工艺
公开(公告)号：WO2006130439A1
公开(公告)日：2006-12-07
申请号：PCT/US2006/020331
申请日：2006-05-25
申请人： FSI INTERNATIONAL, INC. , HANESTAD, Ronald, J. , OLSON, Erik, D. , FUSSY, Michael
发明人： HANESTAD, Ronald, J. , OLSON, Erik, D. , FUSSY, Michael
IPC分类号： C23F1/30 , C23F1/10 , H01L21/3213
CPC分类号： H01L21/32134 , C23F1/10 , C23F1/30
摘要： A metal that can be dissolved in aqua regia or a metal alloy containing a metal that can be dissolved in aqua regia can be effectively removed from a substrate, and particularly a silicon wafer substrate by a method of application of a composition having a HC1(concentrated)/hydrogen peroxide(concentrated) volume ratio of about 1:1 to about 4:1 that is substantially free of added water. In another embodiment, a metal that can be dissolved in aqua regia or a metal alloy containing a metal that can be dissolved in aqua regia is removed from a substrate by a composition comprising HC1(concentrated)/hydrogen peroxide(concentrated)/water in a volume ratio of from about 2:0.5:4 to about 4:2:4. The composition, heated to a temperature of about 60° C. to about 100°C, is applied to a substrate having the metal or metal alloy thereon, which is preferably heated to a temperature of from about 50°C to about 100°C. The metal or metal alloy preferably is platinum metal or a metal alloy comprising platinum metal, and the substrate is a silicon wafer substrate.
摘要翻译：可以通过使用具有HC1（浓缩的）的组合物的方法从基材，特别是硅晶片基材中有效地除去能够溶解在王水中的金属或含有可溶于王水中的金属的金属合金）/过氧化氢（浓缩）体积比为约1：1至约4：1，基本上不含加水。在另一个实施方案中，可以通过包含HC1（浓缩）/过氧化氢（浓缩）/水的组合物从基底中除去可溶于王水中的金属或含有可溶于王水中的金属的金属合金体积比为约2:0.5:4至约4:2:4。将加热到约60℃至约100℃的温度的组合物施加到其上具有金属或金属合金的基材上，其优选加热至约50℃至约100℃ 。金属或金属合金优选为铂金属或包含铂金属的金属合金，基板为硅晶片基板。

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