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21. 发明申请

WO2013191649A1 A LIGHT-EMITTING DEVICE 审中-公开
标题翻译：发光装置
公开(公告)号：WO2013191649A1
公开(公告)日：2013-12-27
申请号：PCT/SG2013/000224
申请日：2013-05-30
申请人： NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY
发明人： ZHANG, Zi-Hui , TAN, Swee Tiam , SUN, Xiaowei , DEMIR, Hilmi Volkan
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/0016 , H01L33/005 , H01L33/04 , H01L33/14 , H01L33/28 , H01L33/30 , H01L33/32 , H01L33/40
摘要： A light emitting device comprising a plurality of current spreading layers including a first P doped layer, a first N doped layer and a second P doped layer, wherein the N doped layer having a doping level and thickness configured for substantial depletion or full depletion.
摘要翻译：一种包括多个电流扩展层的发光器件，包括第一P掺杂层，第一N掺杂层和第二P掺杂层，其中所述N掺杂层具有被配置为实质耗尽或完全耗尽的掺杂水平和厚度。

22. 发明申请

WO2010070509A1 LIGHT EMITTING DEVICE WITH ENCAPSULATED REACH-THROUGH REGION 审中-公开
标题翻译：具有穿透区域的发光装置
公开(公告)号：WO2010070509A1
公开(公告)日：2010-06-24
申请号：PCT/IB2009/055362
申请日：2009-11-26
申请人： INSIAVA (PTY) LIMITED , DU PLESSIS, Monuko
发明人： DU PLESSIS, Monuko
IPC分类号： H01L33/34 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/0016 , H01L33/20 , H01L33/34
摘要： A light emitting device (10) comprises an elongate first body (12) of a semiconductor material. A transverse junction (18) is formed in the first body between a first n+-type region ( 12.1 ) of the first body and a second p-type region (12.2). A third p + -type region (1 2.3) is spaced from the first region by the second region. A second body (22) of an isolation material is provided immediately adjacent at least part of the second region to at least partially encapsulate the first body. A terminal arrangement (28) is connected to the first body and is arranged to reverse bias the junction (18) into a breakdown mode. The device is configured such that a depletion region associated with the junction (18) extends through the second region ( 12.2) and reaches the third region (12.3) before the junction (18) enters the breakdown mode.
摘要翻译：发光器件（10）包括半导体材料的细长第一体（12）。在第一主体中，在第一主体的第一n +型区域（12.1）和第二p型区域（12.2）之间形成横向结（18）。第三p +型区域（13.3）与第一区域间隔第二区域。隔离材料的第二主体（22）紧邻第二区域的至少一部分提供，以至少部分地封装第一主体。端子装置（28）连接到第一主体并且被布置成将接合部（18）反向偏置成击穿模式。器件被配置为使得与结（18）相关联的耗尽区在结（18）进入击穿模式之前延伸穿过第二区（12.2）并到达第三区（12.3）。

23. 发明申请

WO2009095886A2 SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE COMPRISING HETEROJUNCTION 审中-公开
标题翻译：包含异常的半导体发光器件
公开(公告)号：WO2009095886A2
公开(公告)日：2009-08-06
申请号：PCT/IB2009/050378
申请日：2009-01-30
申请人： INSIAVA (PTY) LIMITED , SNYMAN, Lukas, Willem , DU PLESSIS, Monuko
发明人： SNYMAN, Lukas, Willem , DU PLESSIS, Monuko
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/34 , H01L33/0016 , H01L33/02
摘要： A semiconductor light emitting device (10) comprises a semiconductor structure (12) comprising a first body (14) of a first semiconductor material (in this case Ge) comprising a first region of a first doping kind (in this case n) and a second body (18) of a second semiconductor material (in this case Si) comprising a first region of a second doping kind (in this case p). The structure comprises a junction region (15) comprising a first heterojunction (16) formed between the first body (14) and the second body (18) and a pn junction (17) formed between regions of the structure of the first and second doping kinds respectively. A biasing arrangement (20) is connected to the structure for, in use, reverse biasing the pn junction, thereby to cause emission of light.
摘要翻译：半导体发光器件（10）包括半导体结构（12），其包括第一半导体材料（在这种情况下为Ge）的第一主体（14），该第一半导体本体（14）包括第一掺杂类型（在这种情况下为n）的第一区域和第二半导体材料（在这种情况下为Si）的第二主体（18）包括第二掺杂类型（在这种情况下为p）的第一区域。该结构包括连接区域（15），其包括形成在第一主体（14）和第二主体（18）之间的第一异质结（16）和形成在第一和第二掺杂结构的区域之间的pn结（17）种类。偏置装置（20）连接到结构，在使用中反向偏置pn结，从而引起光的发射。

24. 发明申请

WO2009093170A1 SILICON LIGHT EMITTING DEVICE UTILISING REACH-THROUGH EFFECTS 审中-公开
标题翻译：硅光发射装置利用有效的效应
公开(公告)号：WO2009093170A1
公开(公告)日：2009-07-30
申请号：PCT/IB2009/050194
申请日：2009-01-20
申请人： INSIAVA (PTY) LIMITED , DU PLESSIS, Monuko
发明人： DU PLESSIS, Monuko
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/0016 , H01L33/20 , H01L33/34
摘要： A light emitting device (10) comprises a body (12) of an indirect bandgap semiconductor material. A junction region (14) is formed between a first region (12.1 ) in the body of a first doping kind and a second region (12.2) of the body of a second doping kind of a first concentration. A third region (12.3) of the second doping kind of a second concentration is spaced from the junction region (14) by the second region (12.2). The second concentration is higher than the first concentration. A terminal arrangement (18) is connected to the body for, in use, reverse biasing the first junction region (14) into a breakdown mode, thereby to cause emission of light. The device is configured such that a depletion region associated with the junction region (14) reaches the third region (12.3), before the junction enters the breakdown mode.
摘要翻译：发光器件（10）包括间接带隙半导体材料的主体（12）。在第一掺杂类型的主体中的第一区域（12.1）和第一浓度的第二掺杂类型的主体的第二区域（12.2）之间形成结区域（14）。第二浓度的第二掺杂类型的第三区域（12.3）与第二区域（12.2）与结区域（14）间隔开。第二浓度高于第一浓度。端子装置（18）连接到主体，在使用中将第一接合区域（14）反向偏置成击穿模式，从而导致发光。该器件被配置为使得在结点进入击穿模式之前，与结区域（14）相关联的耗尽区域到达第三区域（12.3）。

25. 发明申请

WO00076003A1 EDGE-EMITTING LIGHT-EMITTING DEVICE HAVING IMPROVED EXTERNAL LUMINOUS EFFICIENCY AND SELF-SCANNING LIGHT-EMITTING DEVICE ARRAY COMPRISING THE SAME 审中-公开
标题翻译：具有改进的外部发光效率的边缘发光发光装置和包括其的自扫描发光装置阵列
公开(公告)号：WO00076003A1
公开(公告)日：2000-12-14
申请号：PCT/JP2000/003662
申请日：2000-06-06
IPC分类号： B41J2/45 , H01L27/15 , H01L33/00 , H01L33/14 , H01L33/38
CPC分类号： H01L27/153 , B41J2/45 , B41J2002/453 , H01L33/0016 , H01L33/145 , H01L33/20 , H01L33/38
摘要： An edge-emitting thyristor having an improved external luminous efficiency and a self-scanning light-emitting device array comprising the edge-emitting thyristor are disclosed. To improve the external luminous efficiency of an edge-emitting light-emitting thyristor, a structure where the current injected from an electrode concentrates on and near the edge of the light-emitting thyristor is adopted.
摘要翻译：公开了具有改进的外部发光效率的边缘发射晶闸管和包括边缘发射晶闸管的自扫描发光器件阵列。为了提高边缘发光发光晶闸管的外部发光效率，采用从电极注入的电流集中在发光晶闸管的边缘附近的结构。

26. 发明申请

WO2016057403A1 HYBRID HETEROSTRUCTURE LIGHT-EMITTING DEVICES 审中-公开
标题翻译：混合型结构发光装置
公开(公告)号：WO2016057403A1
公开(公告)日：2016-04-14
申请号：PCT/US2015/054018
申请日：2015-10-05
申请人： WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION
发明人： MA, Zhenqiang , SEO, Jung-Hun
IPC分类号： H01L33/04
CPC分类号： H01L33/06 , H01L21/283 , H01L27/156 , H01L31/0328 , H01L33/0008 , H01L33/0016 , H01L33/0079 , H01L33/0083 , H01L33/04 , H01L33/28 , H01L33/32 , H01S5/105 , H01S5/18369 , H01S5/20 , H01S5/3095
摘要： Light-emitting devices having a multiple quantum well (MQW) pin diode structure and methods of making and using the devices are provided. The devices are composed of multilayered semiconductor heterostructures. The devices include one or more interfacial layers of a material that allows current tunneling through lattice mismatched heterogeneous junctions at the interfaces between the intrinsic active region and the p-type and/or n-type doped charge injection layers.
摘要翻译：提供了具有多量子阱（MQW）pin二极管结构的发光器件以及制造和使用器件的方法。器件由多层半导体异质结构组成。这些器件包括一种或多种材料的界面层，其允许在本征有源区和p型和/或n型掺杂电荷注入层之间的界面处的电流隧穿通过晶格失配的异质结。

27. 发明申请

WO2015121062A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILS SOWIE OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开
标题翻译：方法用于制造光电半导体器件和光电半导体器件
公开(公告)号：WO2015121062A1
公开(公告)日：2015-08-20
申请号：PCT/EP2015/051608
申请日：2015-01-27
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： OTTO, Isabel
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/38
CPC分类号： H01L33/44 , H01L27/1446 , H01L27/153 , H01L27/156 , H01L31/02161 , H01L31/022408 , H01L31/02327 , H01L31/03044 , H01L31/1852 , H01L31/1856 , H01L33/0016 , H01L33/007 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils mit einer Vielzahl von Bildpunkten (71, 72) angegeben, umfassend die folgenden Schritte: a) Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (11, 12, 13) mit -einer n-leitenden Halbleiterschicht (11), -eineraktiven Zone (13) und -einer p-leitenden Halbleiterschicht (12), b) Aufbringen einer ersten Schichtenfolge (22, 31), wobei die erste Schichtenfolge (22, 31) in eine Vielzahl von Bereichen (61, 62) unterteilt wird, die lateral beabstandet zueinander auf einer der n-leitenden Halbleiterschicht (11) abgewandten Deckfläche (12a) der p-leitenden Halbleiterschicht (12) angeordnet sind, c) Aufbringen einer zweiten Isolationsschicht (32) d) teilweises Entfernen der p-leitenden Halbleiterschicht (12) und der aktiven Zone(13), derart dass die n-leitende Halbleiterschicht (11) stellenweise freigelegt ist und die p-leitende Halbleiterschicht (12) in einzelne Bereiche (71, 72) aufgeteilt werden,die lateral zueinander beabstandet sind, wobei jeder der Bereiche einen Teil der p-leitenden Halbleiterschicht (12) und einen Teil der aktiven Zone (13) umfasst.
摘要翻译：它是用于与多个像素的制造光电子半导体器件的方法（71，72）被指定，包括以下步骤：a）提供一个半导体层序列（11，12，13）（带 - 该n型半导体层11）， - 的有源区（13）和 - 该p型半导体层（12），b）将第一系列的层（22，31），其中，所述第一系列的层（22，31）成多个区域（61,62）被划分，彼此在n型半导体层中的一个（11）从所述p型半导体层（12）的顶面（12a）的背对的横向距离设置，c）沉积第二绝缘层（32）D）部分地除去p型半导体层（12 ，）和所述有源区（13），使得在n型半导体层（11）被暴露的地方，并在p型半导体层（12）（在各个区域71被划分72），横向彼此间隔开，每个所述区域包括p型半导体层（12）和有源区（13）的一部分的一部分。

28. 发明申请

WO2015074353A1 一种半导体发光二极管芯片审中-公开
公开(公告)号：WO2015074353A1
公开(公告)日：2015-05-28
申请号：PCT/CN2014/073361
申请日：2014-03-13
申请人：扬州中科半导体照明有限公司
发明人：金豫浙 , 冯亚萍 , 张溢 , 李佳佳 , 李志聪 , 孙一军 , 王国宏
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/14 , H01L33/10
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/0016 , H01L33/14 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/60
摘要：提供一种半导体发光二极管芯片，在N焊盘（102a）和P焊盘（101a）下分别设有对应的图形化电流扩展层（200a，200b），在发光复合区都有电子复合发光。与现有技术相比增加了发光复合区面积，可有效改善芯片电流分布和发光亮度；同时图形化的电流扩展层能有效增加焊盘在表面的粘附力，提高芯片的可靠性。

29. 发明申请

WO2014082030A1 OPTICAL TILTED CHARGE DEVICES AND TECHNIQUES 审中-公开
标题翻译：光学倾斜装置和技术
公开(公告)号：WO2014082030A1
公开(公告)日：2014-05-30
申请号：PCT/US2013/071645
申请日：2013-11-25
申请人： QUANTUM ELECTRO OPTO SYSTEMS SDN.BHD. , WALTER, Gabriel
发明人： WALTER, Gabriel
IPC分类号： H01L33/00 , H01L29/737
CPC分类号： H01L33/06 , H01L25/167 , H01L27/15 , H01L33/0016 , H01L33/04 , H01L33/30 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A method for producing light emission, including the following steps: providing a layered semiconductor structure that includes a collector region, a first base region, a first emitter region, a coupling region, a second base region, and a second emitter region; providing a quantum size region within the second base region; and applying electrical signals with respect to the second emitter region, the first base region and the collector region, to produce light emission from the second base region.
摘要翻译：一种发光方法，包括以下步骤：提供包括集电极区域，第一基极区域，第一发射极区域，耦合区域，第二基极区域和第二发射极区域的分层半导体结构; 在所述第二基区内提供量子尺寸区域; 以及相对于所述第二发射极区域，所述第一基极区域和所述集电极区域施加电信号，以产生来自所述第二基极区域的光发射。

30. 发明申请

WO2011158368A1 直流駆動の無機エレクトロルミネッセンス素子と発光方法审中-公开
标题翻译：直流电驱动无机电致发光元件和发光方法
公开(公告)号：WO2011158368A1
公开(公告)日：2011-12-22
申请号：PCT/JP2010/060330
申请日：2010-06-18
申请人：光文堂印刷有限会社 , 石村卓良
发明人：石村卓良
IPC分类号： H05B33/22
CPC分类号： C09K11/574 , C09K11/0822 , C09K11/7745 , H01L33/0016 , H01L33/02 , H01L33/08 , H01L33/502
摘要：　無機物の蛍光体物質に直流電圧を印加することにより発光させることができ、蛍光体層中に分散する発光中心または、蛍光体の種類を変えることにより、発光色を適当に変化させることができる無機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。　直流駆動発光素子の内部に半導体でＮＰＮ型の構造を形成し、それに隣接して蛍光体物質を蒸着した後、第１の電極と第２の電極で挟んだ構造の無機エレクトロルミネッセンス素子を作る。この構造を利用して、陰極側のＰＮ接合に順方向電圧を加えＰ型半導体層内へ電子を注入する。さらにＰ型半導体層とＮ型半導体の加速層によって形成されているＰＮ接合部を、逆バイアスすることにより加速層内部に広がる空乏層の電場を利用して、電子を加速し、発光中心または蛍光体に衝突させ、発光を得る方法である。
摘要翻译：提供一种无机电致发光元件，其可以通过向无机发光体施加直流电压而发光，并且其中可以通过改变分散在发光体层中的发光中心适当地改变发光的颜色，或发光体的类型。所公开的无机电致发光元件被制备成具有以下结构：通过使用半导体材料在直流驱动的发光元件内形成NPN结构; 在NPN结构附近气相沉积发光体物质; 并且发光体物质和NPN结构夹在第一电极和第二电极之间。在所公开的发光方法中：通过采用上述结构，向阴极侧的PN结施加正向电压，向P型半导体层注入电子。通过对由P型半导体层和由N型半导体构成的加速层构成的PN结施加反向偏压，在加速层内形成耗尽层; 并且通过在耗尽层中使用电场，电子被加速并与发光中心或发光体颗粒碰撞，以实现发光。

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