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    • 22. 发明申请
    • 金属溶湯用撹拌体
    • 熔融金属搅拌器
    • WO2017135021A1
    • 2017-08-10
    • PCT/JP2017/001202
    • 2017-01-16
    • 三井金属鉱業株式会社
    • 堤 英気内野 哲也
    • F27D27/00B22D1/00C22B9/05C22B21/06
    • B22D1/00C22B9/05C22B21/06F27D27/00
    • 本発明の金属溶湯用撹拌体(1)、(10)は、吹き込みガスが流通可能な通気路(4)を内部に設けたシャフト(3)と、シャフト(3)の端部に配設された撹拌翼(2)とを有し、シャフト(3)は、撹拌翼(2)と別部材に形成されるか、又は通気路(4)に沿う方向と交差する方向に二以上に分割可能に形成されており、シャフト(3)と撹拌翼(2)との境界部において、シャフト(3)と撹拌翼(2)とが、両者の間に前記撹拌体の外部と連通する隙間が存在しない状態で連続している。シャフト(3)、撹拌翼(2)、及びセラミックス材料が何れも窒化珪素系セラミックスであることが好ましい。
    • 本发明(1),(10)的熔融金属搅拌器包括设置吹入气体可以流动通气路径的轴(4)在(3)内部,轴(3 其中,所述轴形成为与所述搅拌叶片分离的部件或者与沿着所述通风路径的方向相交,其中所述搅拌叶片设置在所述轴的一端, 并且在轴(3)和搅拌叶片(2)之间布置有轴(3)和搅拌叶片(2),使得搅拌器 在没有与壳体外部连通的间隙的状态下。 轴(3),搅拌叶片(2)和陶瓷材料优选都是氮化硅陶瓷。

    • 24. 发明申请
    • PURIFYING AN ALLOY MELT
    • 净化合金熔体
    • WO2016146980A1
    • 2016-09-22
    • PCT/GB2016/050679
    • 2016-03-11
    • BRUNEL UNIVERSITY
    • FAN, ZhongyunJI, ShouxunSTONE, Ian
    • C22B9/05C22B21/06
    • C22C3/005B01F7/00816B01F7/00925B01F2215/0075C22B9/05C22B21/064C22C21/00F27D3/16
    • Device and method for melt treatment of aluminium alloys having excessive inclusions, impurities and unwanted gases to be removed, by (a) cooling the melt at an appropriate cooling rate to a temperature below the liquidus by shearing the melt associated with the introduction of at least one type of inert gases into the melt to form fine bubbles and high shear in the melt, and (b) purifying inclusions in the melt by floating them to the top surface, degassing the undesirable gases by reacting with the inert gas, and forming solid intermetallics containing impurity elements and transferring the melt mixture by the shearing device into a holding furnace, and (c) maintaining the melt in the holding furnace at a temperature below the liquidus and above the solidus temperature to settle the solid intermetallics formed by impurity elements as sediment at the bottom of the holding furnace while flowing the melt with much reduced inclusions, impurities and unwanted gases out of the holding furnace as applicable materials. The method is advantageously applicable for upgrading aluminium alloys from recycled and/or scrapped materials.
    • 用于熔融处理具有过量夹杂物,杂质和不想要去除的气体的铝合金的装置和方法,通过(a)通过剪切与至少引入的熔体相关联的熔体,以适当的冷却速度将熔体冷却至低于液相线的温度 一种惰性气体进入熔体,以在熔体中形成细小的气泡和高剪切力;(b)通过将熔体中的夹杂物漂浮到顶部表面,通过与惰性气体反应来脱气不需要的气体,并形成固体 含有杂质元素的金属间化合物和通过剪切装置将熔融混合物转移到保持炉中,(c)将保持炉中的熔体保持在低于液相线并高于固相线温度的温度下,以将由杂质元素形成的固体金属间化合物沉淀为 在保持炉底部的沉淀物中,同时使含有大量减少的夹杂物,杂质和不需要的气体的熔体流出保持炉 ace作为适用材料。 该方法有利地用于从再循环和/或报废的材料中提升铝合金。
    • 25. 发明申请
    • METHOD OF PURIFYING AND CASTING MATERIALS
    • 净化和铸造材料的方法
    • WO2016144557A1
    • 2016-09-15
    • PCT/US2016/019490
    • 2016-02-25
    • HONEYWELL INTERNATIONAL INC.
    • MITCHELL, Glenn M.SUNDARRAJ, SureshMEYER, Wayne D.LI, JianxingSTEELE, David E.RUGGIERO, Marc D.
    • H01L21/302
    • C22B9/05B22D1/002B22D21/027
    • A method of purifying and casting a material comprising placing a material to be purified within a crucible, the crucible located within a purification chamber; providing thermal energy to the material to maintain the material in a molten state; providing a purification gas into the molten material to purify the material until a first measured condition is attained; passing the material in a fluid state from the purification chamber having a first atmosphere to a casting chamber having a second atmosphere, the purification chamber in fluid communication with the casting chamber such that the material passes from the purification chamber to the casting chamber without exposure to a third atmosphere; placing the material into a mold within the casting chamber; cooling the material within the mold to form a cast material.
    • 一种净化和铸造材料的方法,包括将待净化的材料放置在坩埚内,所述坩埚位于净化室内; 向材料提供热能以将材料保持在熔融状态; 在熔融材料中提供净化气体以净化材料,直到达到第一测量条件; 将流体状态的材料从具有第一气氛的净化室传送到具有第二气氛的铸造室,所述净化室与铸造室流体连通,使得材料从净化室通过铸造室而不暴露于 第三个气氛 将材料放置在铸造室内的模具中; 冷却模具内的材料以形成铸造材料。
    • 27. 发明申请
    • GA PURGING PLUS COMPRISING WEAR INDICATOR
    • GA包装包含磨损指数
    • WO2013117498A1
    • 2013-08-15
    • PCT/EP2013/052035
    • 2013-02-01
    • VESUVIUS CRUCIBLE COMPANYVESUVIUS GROUP
    • YANG, Bin
    • B22D1/00C21C7/072C22B9/05
    • F27D21/00B22D1/005B22D2/00B22D41/00C21C5/48C21C2005/448C22B9/05F27D3/16F27D21/0021F27D2003/161
    • 1. The present invention concerns a gas purging plug (1) for blowing gas into a metallurgical vessel comprising: 2. (a) An elongated body (2) made of a first refractory material and extending from a first, inlet end (2a) to a second, outlet end (2b) over a distance, H, measured along a central longitudinal axis (X1) comprising, 3. (b) At least one gas flow path (3) fluidly connecting a gas inlet (3a) located at said first inlet end of said elongated body to a gas outlet (3b), located at the opposite second, outlet end; 4. (c) A final visual wear indicator (5) in the form of an elongated core extending from the first inlet end (2a) to a first distance, h1, measured along the central longitudinal axis (X1), which is less than the length, H, of the elongated body, h1
    • 1.一种用于将气体吹入冶金容器的气体吹扫塞(1),包括:2.(a)由第一耐火材料制成并从第一入口端(2a)延伸的细长主体(2) 沿着包括3的中心纵向轴线(X1)测量一段距离H的第二出口端(2b)。(b)至少一个气体流动路径(3),流体连接位于 所述细长体的所述第一入口端到位于相对的第二出口端的气体出口(3b); (c)细长芯的形式的最终视觉磨损指示器(5),其从第一入口端(2a)延伸到沿着中心纵向轴线(X1)测量的第一距离h1,其小于 细长体的长度H为h1
    • 30. 发明申请
    • フラックスの不純物除去方法
    • 从漏洞中删除伪造的方法
    • WO2010126016A1
    • 2010-11-04
    • PCT/JP2010/057409
    • 2010-04-27
    • 信越化学工業株式会社畑山 和久
    • 畑山 和久
    • C01B13/16B22D25/04C01B33/037C01B33/12C22B9/05
    • C22B61/00B82Y30/00C01B33/037C01P2004/64C22B9/05C22B9/10
    •  不純物を含むフラックスを加熱溶融し、この溶融フラックス中に水蒸気及び酸素のいずれか一方又は両方を含む気体を吹き込むことにより、フラックス中の不純物を低減することを特徴とするフラックスの不純物除去方法。 冶金的手法による太陽電池用高純度Siの製造に用いるフラックス中の不純物、特にBを効果的に低減することができる。本発明により得られたフラックスは、含有するBが極めて少量あるいは実質的に含有しない。従って、これを冶金的手法による太陽電池用高純度Siの製造に用いることで、Si中のBを容易、迅速、かつ多量に除去することができる。こうしてBを除去したSiに、高真空下、局所高温加熱等によりPを揮発除去し、更に一方向凝固等により、金属不純物を低減し、極めて安価に純度6N程度の太陽電池に使用可能な高純度Siとすることができる。
    • 公开了一种从助熔剂中除去杂质的方法,其特征在于通过加热熔化含有杂质的焊剂并将含有水蒸气和/或氧气的气体吹入熔融焊剂中来减少焊剂中的杂质。 该方法能够有效地减少用于通过冶金工艺生产太阳能电池的高纯度Si的助熔剂中的杂质,特别是B。 通过该方法得到的焊剂含有极少量的B或基本不含有B.因此,当通过冶金工艺生产用于太阳能电池的高纯度Si时,通过使用该方法,Si中可以含有大量的B 容易且快速地从中除去。 然后,通过局部高温加热等在高真空中将P挥发除去已从其中除去B的Si。 之后,通过单向凝固等来降低Si中的金属杂质,从而以极低的成本获得纯度为约6N的高纯度Si,可用于太阳能电池。