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21. 发明申请

WO2020173830A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILS 审中-公开
公开(公告)号：WO2020173830A1
公开(公告)日：2020-09-03
申请号：PCT/EP2020/054644
申请日：2020-02-21
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： KNORR, Fabian , ALBRECHT, Tony , BOSS, Markus
IPC分类号： H01S5/022 , G02B27/42 , H01S5/183
摘要： In einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) einen optoelektronischen Halbleiterchip (2) zur Emission einer Strahlung. Ein optisches Element (3) ist dem Halbleiterchip (2) nachgeordnet. Der Halbleiterchip (2) und das optische Element (3) sind in einen Vergusskörper (4) eingebettet. Das optische Element (3) weist eine strukturierte, zusammenhängende und optisch wirksame Fläche (31, 32) auf, die sich im Inneren des optischen Elements (3) direkt an einem optischen Kontrastbereich (33), bevorzugt einem evakuierten oder gasgefüllten Hohlraum, befindet. Die optisch wirksame Fläche (31, 32) überdeckt eine Strahlungsaustrittsfläche (20) des Halbleiterchips (2) vollständig.

22. 发明申请

WO2014170271A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VIELZAHL STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译： METHOD FOR生产各种发射辐射的半导体芯片
公开(公告)号：WO2014170271A1
公开(公告)日：2014-10-23
申请号：PCT/EP2014/057528
申请日：2014-04-14
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： RICHTER, Markus , BAUMGARTNER, Alexander , GALLMEIER, Hans-Christoph , ALBRECHT, Tony
IPC分类号： H01L33/50 , H01L33/46
CPC分类号： H01L33/507 , H01L33/0095 , H01L33/508 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/60 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2933/0058
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl strahlungsemittierender Halbleiterchips mit den folgenden Schrittenangegeben: - Bereitstellen einer Vielzahl von Halbleiterkörpern (1), die dazu geeignet sind, elektromagnetische Strahlung von einer Strahlungsaustrittsfläche (3) auszusenden, - Aufbringen der Halbleiterkörper (1) auf einen Träger (2), - Aufbringen einer ersten Maskenschicht (4) auf Bereiche des Trägers (2) zwischen den Halbleiterkörpern (1), - vollflächiges Aufbringen einer Konversionsschicht (5) mit einem Sprühbeschichtungsverfahren auf die Halbleiterkörper (1) und die erste Maskenschicht (4), und - Entfernen der ersten Maskenschicht (4), so dass jeweils eine Konversionsschicht (5) auf der Strahlungsaustrittsfläche (3) der Halbleiterkörper (1) entsteht.
摘要翻译：它是用于生产各种发射辐射的半导体芯片的步骤的方法显示： - 提供多个半导体本体（1），其能够从一个辐射出射表面（3）电磁辐射的向外发送， - 在支撑所述半导体主体（1）的应用（2）， - 在所述载体的区域施加第一掩模层（4）（2）在半导体本体（1）之间， - 由一个喷涂的转换层（5）的全面积应用的半导体主体（1）和第一掩模层（4）上和 - 除去所述（4），使得在每种情况下的转换层的半导体主体（1）的辐射出射表面（3）上形成第一掩模层（5）。

23. 发明申请

WO2014048896A1 OPTOELEKTRONISCHE BAUELEMENTEVORRICHTUNG, VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTEVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM BETREIBEN EINER OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTEVORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译： OPTO电子元件器件，制造用于经营一家电子元器件的光电器件的光电组件的装置和方法
公开(公告)号：WO2014048896A1
公开(公告)日：2014-04-03
申请号：PCT/EP2013/069783
申请日：2013-09-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： ALBRECHT, Tony , BESTELE, Michael , KAISER, Stephan , KIRSCH, Markus , MARFELD, Jan , SCHNEIDER, Albert
IPC分类号： H01L33/60 , F21V7/00
CPC分类号： F21V14/04 , F21V7/0066 , G01J1/0414 , G01J1/42 , G01J1/4228 , H01L25/10 , H01L25/13 , H01L33/60 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Optoelektronische Bauelementevorrichtung, Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung und Verfahren zum Betreiben einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird eine optoelektronische Bauelementevorrichtung (100), die optoelektronische Bauelementevorrichtung (100) aufweisend: mehrere optoelektronische Bauelemente (104), eingerichtet zum Bereitstellen und/oder Aufnehmen von elektromagnetischer Strahlung (102); einen Reflektor (110), der im Strahlengang der elektromagnetischen Strahlung der mehreren optoelektronischen Bauelemente (104) angeordnet ist, und der eine wenigstens teilweise bezüglich der bereitgestellten elektromagnetischen Strahlung (102) reflektierende Oberfläche (112) aufweist; wobei die mehreren optoelektronischen Bauelemente (104) den Reflektor (110) wenigstens teilweise umgeben oder wenigstens teilweise von dem Reflektor (104) umgeben sind; und wobei der Reflektor (110) derart eingerichtet ist, dass er eine bereitgestellte elektromagnetische Strahlung derart reflektiert, dass eine vorgegebene Feldverteilung der reflektierten elektromagnetischen Strahlung in der Bildebene der optoelektronischen Bauelementevorrichtung (100) ausgebildet wird.
摘要翻译：光电器件器件，制造用于操作光电器件装置在各种实施例中，光电子器件装置（100），所述光电装置设备（100），包括一个光电组件的装置和方法的方法：多个光电器件（104）的，用于提供和/或接收电磁辐射（102）; 布置在所述多个光电器件（104）的所述电磁辐射的光路中的反射器（110）和具有至少部分地设置有相对于所述电磁辐射（102）反射表面（112）; 其中围绕所述反射器（110），所述多个光电器件（104）至少部分地包围或至少部分地由所述反射器（104）; 并且其中，所述反射器（110）被布置为反射被供给的电磁辐射，使得形成在光电器件装置（100）的图像平面中的反射的电磁辐射的预定字段分配。

24. 发明申请

WO2017194620A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUTEIL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUTEILS 审中-公开
标题翻译：光电子器件和生产光电子器件的方法
公开(公告)号：WO2017194620A1
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：PCT/EP2017/061215
申请日：2017-05-10
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： ALBRECHT, Tony , LAMFALUSI, Tamas , GATZHAMMER, Christian
IPC分类号： H01L33/54 , H01L33/48 , H01L25/075 , H01L33/50
摘要： Ein optoelektronisches Bauteil mit: einem optoelektronischen Halbleiterchip (100) umfassend eine Anschlussfläche (100b), eine der Anschlussfläche (100b) gegenüberliegende Deckfläche (100a) und laterale Seitenflächen (100c), welche die Anschlussfläche (100b) und die Deckfläche (100a) miteinander verbinden, einem ersten Vergusskörper (21) und einem zweiten Vergusskörper (22), wobei der erste Vergusskörper (21) alle lateralen Seitenflächen (100c) und die Deckfläche (100a) des Halbleiterchips (100) bedeckt, der erste Vergusskörper (21) eine Bodenfläche (21b) aufweist, die bündig mit der Anschlussfläche (100b) des Halbleiterchips (100) abschließt, der zweite Vergusskörper (22) eine Bodenfläche (22b) aufweist, die bündig mit der Bodenfläche (21b) des ersten Vergusskörpers (21) abschließt, der zweite Vergusskörper (22) alle dem Halbleiterchip (100) abgewandten Seitenflächen (100c) des erstens Vergusskörpers (21) vollständig bedeckt, und eine der Anschlussfläche (100c) gegenüberliegende Deckfläche (22a) des zweiten Vergusskörpers (22) konvex gekrümmt ist.
摘要翻译：
一种光电子器件，包括：包括Anschlussfl BEAR表面（100B）的光电子半导体芯片（100），Anschlussfl BEAR表面（100B）对导航用途berliegende Deckfl BEAR表面（100A）和横向Seitenfl＆AUML之一;陈（100℃）连接Anschlussfl BEAR连接表面（100A）至彼此，第一Vergussk＆oUML ;;枝（100B）和所述Deckfl＆AUML体（21）和第二Vergussk＆oUML;主体（22），其中所述第一Vergussk＆oUML;主体（21）体（21）具有与所述Anschlussfl＆AUML一个Bodenfl＆AUML平齐;在半导体芯片（100）覆盖第一Vergussk＆oUML的枝（100A）;所有横向Seitenfl BEAR表面（100℃）和具有表面Deckfl BEAR（21B）中，b导航用途枝（半导体芯片的100B可锁定的）（100）ROAD吨，第二Vergussk＆oUML;主体（22）具有Bodenfl BEAR表面（22B）其中b与Bodenfl BEAR大街可锁定rpers导航用途冲洗（21）;枝（21B）的第一Vergussk＆ouml的; t，第二VergusskÖlper（22）全部背离半导体芯片（100） ÑSeitenfl BEAR表面第一Vergussk＆OUML的（100℃）; MMT; rpers（22）凸出冠导航用途rpers（21）完全承担不断覆盖，并且Anschlussfl BEAR表面（100℃）对导航用途berliegende第二Vergussk＆OUML的Deckfl BEAR表面（22a）的一个是

25. 发明申请

WO2017037010A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON LEUCHTDIODENFILAMENTEN UND LEUCHTDIODENFILAMENT 审中-公开
标题翻译：工艺用于生产和LEUCHTDIODENFILAMENTEN LEUCHTDIODENFILAMENT
公开(公告)号：WO2017037010A1
公开(公告)日：2017-03-09
申请号：PCT/EP2016/070302
申请日：2016-08-29
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： SCHLERETH, Thomas , TÅNGRING, Ivar , ALBRECHT, Tony
IPC分类号： H01L33/50 , H01L25/075
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L33/642 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2933/005 , H01L2924/00014
摘要： In einer Ausführungsform dient das Verfahren zur Herstellung von Leuchtdiodenfilamenten (10) und umfasst die Schritte: A) Aufbringen von Leuchtdiodenchips (3) direkt auf einen ersten Träger (1), B) Abdecken der Leuchtdiodenchips (3) mit einem zweiten Träger (2), C) Umspritzen der Leuchtdiodenchips (3) mit einem Vergusskörper (4) zu einem zusammenhängenden Filamentverbund (40), wobei die beiden Träger (1, 2) als Gussformen dienen und wobei der Vergusskörper (4) direkt an die Leuchtdiodenchips (3) angeformt wird, D) Entfernen des ersten Trägers (1) oder des zweiten Trägers (2) oder von beiden Trägern (1, 2), E) Anbringen von elektrischen Verbindungen (5) an den Vergusskörper (4) und zwischen den Leuchtdiodenchips (3), sodass die Leuchtdiodenchips (3) elektrisch verschaltet werden, und F) Vereinzeln des Filamentverbunds (40) zu den Leuchtdiodenfilamenten (10), wobei jedes der fertigen Leuchtdiodenfilamente (10) mechanisch selbsttragend ist, mindestens acht der Leuchtdiodenchips (3) umfasst und ein Verhältnis aus Länge zu Breite von mindestens 15 aufweist.
摘要翻译：在一个实施例中，用于Leuchtdiodenfilamenten（10）的使用和制备方法包括以下步骤：A）在第一支撑的发光二极管芯片（3）应用程序（1），B），其覆盖所述发光二极管芯片（3）（与第二载波2），C）将LED芯片（3）配有一个铸造体封装（4）（以连续长丝组件40），其中，所述两个支撑件（1,2）作为模具和（4）（直接到LED芯片3所形成的铸造体的）是，D）移除所述第一载体（1）或所述第二载波的（2）或（两个载波1，2）中，e）安装电连接（5）到铸造体的（4）和所述发光二极管芯片（3）之间使得发光二极管芯片（3）电连接，和F）的灯丝组件（40的分离）到Leuchtdiodenfilamenten（10），每个成品Leuchtdiodenfilamente（10）机械地自支撑的，所述LED芯片至少八个（3），并具有长度以至少15°的宽度的比率。

26. 发明申请

WO2016012232A1 BELEUCHTUNGSMODUL 审中-公开
标题翻译：照明模块
公开(公告)号：WO2016012232A1
公开(公告)日：2016-01-28
申请号：PCT/EP2015/065475
申请日：2015-07-07
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： ALBRECHT, Tony , LAMFALUSI, Tamas , SCHULZ, Roland , SINGER, Frank , SABATHIL, Matthias
IPC分类号： F21K99/00 , H01L25/075 , H01L33/60 , H01L33/40 , F21Y103/00
CPC分类号： H01L25/0753 , F21K9/64 , H01L33/405 , H01L33/60 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要： Es wird ein Beleuchtungsmodul (1) mit einem Montagekörper (3), der sich zwischen einer Rückseite (31) und einer der Rückseite gegenüberliegenden Vorderseite (30) erstreckt, und mit einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen (2), die zur Erzeugung von Strahlung vorgesehen sind, angegeben, wobei - der Montagekörper an der Rückseite eine Mehrzahl von Ausnehmungen (35) aufweist, in denen die Halbleiterbauelemente angeordnet sind, - der Montagekörper für die in den Halbleiterbauelementen erzeugte Strahlung durchlässig ist und die Strahlung an der Vorderseite des Montagekörpers austritt, - auf der Rückseite des Montagekörpers eine Kontaktschicht (5) angeordnet ist, mit der die Halbleiterbauelemente über Verbindungsleitungen elektrisch leitend verbunden sind, und - auf der Rückseite des Montagekörpers eine Reflektorschicht (6) angeordnet ist, die zumindest die Ausnehmungen vollständig überdeckt.
摘要翻译：它是一种照明模块（1）包括：安装体（3），其后侧（31）和后侧的前侧（30）相对中的一个之间延伸，并且多个半导体元件（2）提供了一种用于产生辐射所指出的，其特征在于， - 在所述背面的安装体具有多个凹部（35），其中半导体部件布置， - 所述安装体以在半导体器件的辐射是透明的产生，并且在前面的辐射的安装体出现， - 上安装体的背面，接触层（5）被布置成，与该半导体元件被电经由连接线连接，以及 - 布置在所述安装体的背面具有反射器层（6），其至少完全覆盖凹部。

27. 发明申请

WO2014206842A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2014206842A1
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：PCT/EP2014/062863
申请日：2014-06-18
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： ALBRECHT, Tony , KLEIN, Markus , MARFELD, Jan
IPC分类号： H01L33/38
CPC分类号： H01L33/38 , H01L25/0753 , H01L33/382 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
摘要： Die Erfindung betrifft einen optoelektronischen Halbleiterchip. Der Halbleiterchip weist eine Halbleiterschichtenfolge auf, welche einen ersten Halbleiterbereich, einen zweiten Halbleiterbereich und eine dazwischen angeordnete aktive Zone zur Strahlungserzeugung umfasst. Der Halbleiterchip weist einen elektrisch mit dem ersten Halbleiterbereich verbundenen ersten Kontakt, einen elektrisch mit dem zweiten Halbleiterbereich verbunden zweiten Kontakt und einen elektrisch mit dem ersten Halbleiterbereich verbundenen dritten Kontakt auf. Der erste Kontakt und der dritte Kontakt sind im Bereich von entgegen gesetzten Seiten des Halbleiterchips angeordnet. Die Erfindung betrifft des Weiteren eine Vorrichtung umfassend mehrere optoelektronische Halbleiterchips.
摘要翻译：本发明涉及一种光电子半导体芯片。半导体芯片具有半导体层序列，其包括：第一半导体区域，第二半导体区域，以及用于产生辐射的介于活性区域。该半导体芯片具有电连接到所述第一半导体区域的第一接触，电连接到所述第二半导体区域和第二接触电连接到所述第一半导体区域的第三接触。第一接触和第三接触被布置在半导体芯片的相对侧上的区域中。本发明还涉及包括多个光电子半导体芯片的装置。

28. 发明申请

WO2014139834A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：光电子器件及其制造方法的光电子器件
公开(公告)号：WO2014139834A1
公开(公告)日：2014-09-18
申请号：PCT/EP2014/054147
申请日：2014-03-04
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： SCHMIDTKE, Kathy , STOLL, Ion , ALBRECHT, Tony , KLEIN, Markus
IPC分类号： H01L33/44 , H01L33/50 , H01L33/00 , H01L33/56
CPC分类号： H01L33/502 , H01L33/005 , H01L33/44 , H01L33/483 , H01L33/501 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0025 , H01L2933/0033 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement umfassend einen Träger (10), eine Halbleiterschichtenfolge (20), die zur Emission von elektromagnetischer Primärstrahlung eingerichtet und auf dem Träger (10) angeordnet ist, wobei die Halbleiterschichtenfolge (20) eine dem Träger (10) abgewandte Strahlungshauptseite (21) aufweist, eine Verbindungsschicht (30), die zumindest auf der Strahlungshauptseite (21) der Halbleiterschichtenfolge (20) direkt aufgebracht ist, ein Konversionselement (40), das zur Emission von elektromagnetischer Sekundärstrahlung eingerichtet und direkt auf der Verbindungsschicht (30) angeordnet ist, wobei das Konversionselement (40) als vorgefertigter Körper ausgeformt ist, wobei die Verbindungsschicht (30) zumindest einen anorganischen Füllstoff (31), eingebettet in einem Matrixmaterial (32), aufweist, wobei die Verbindungsschicht (30) mit einer Schichtdicke von kleiner oder gleich 2 μm ausgeformt ist, wobei der vorgefertigte Körper mittels der Verbindungsschicht (30) an der Halbleiterschichtenfolge (20) befestigt ist, wobei die Verbindungsschicht (30) derart eingerichtet ist, einen kurzwelligen Anteil der elektromagnetischen Primärstrahlung herauszufiltern.
摘要翻译：本发明涉及包括适于电磁初级辐射的发射和在该载体基片（10），半导体层序列（20）的光电元件（10）被布置，其中，所述半导体层序列（20）远离所述载体（10）辐射的主侧（21），至少一个粘接层（30）上的半导体层序列（20）的辐射主侧面（21）被直接施加，一个转换元件（40），其设置适于电磁二次辐射的发射和连接层（30）上，其中所述转换元件（40）形成为预制体，其特征在于，所述连接层（30）包括嵌入基体材料（32）至少一种无机填料（31），其特征在于，具有以下的层厚度比连接层（30）或等于2微米形成，其中，所述预制体由Ve的是附着到半导体层序列（20），其中所述连接层（30）被布置成过滤掉电磁初级辐射的短波部分rbindungsschicht（30）。

29. 发明申请

WO2014124853A1 MONOLITHISCHES HALBLEITERCHIP-ARRAY 审中-公开
标题翻译：单片半导体芯片阵列
公开(公告)号：WO2014124853A1
公开(公告)日：2014-08-21
申请号：PCT/EP2014/052246
申请日：2014-02-05
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： SCHLERETH, Thomas , KIRSCH, Markus , GÄRTNER, Christian , ALBRECHT, Tony
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/44 , H01L33/62
CPC分类号： H01L27/156 , H01L33/14 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Halbleiterchip (10) angegeben, umfassend: - eine Halbleiterschichtenfolge (20) mit einem p-Typ Halbleiterbereich (5) und einem n-Typ Halbleiterbereich (3), - mehrere p-Kontakte (IIa, 11b), die elektrisch leitend mit dem p-Typ Halbleiterbereich (5) verbunden sind, und - mehrere n-Kontakte (12a, 12b), die elektrisch leitend mit dem n-Typ Halbleiterbereich (3) verbunden sind, wobei: - die p-Kontakte (IIa, 11b) und die n-Kontakte (12a, 12b) an einer Rückseite des Halbleiterchips (10) angeordnet sind, - der Halbleiterchip (10) mehrere nebeneinander angeordnete Bereiche (21, 22) aufweist, und - die Bereiche (21, 22) jeweils einen der p-Kontakte (IIa, 11b) und einen der n-Kontakte (12a, 12b) aufweisen.
摘要翻译：本发明提供一种半导体芯片（10），包括： - 具有p型半导体区域的半导体层序列（20）（5）和n型半导体区域（3）， - 多个p接触（IIA，11B），导电用（5）被连接在p型半导体区域，以及 - 多个n触点（12A，12B），其导电地连接到n型半导体区域（3），其中： - 所述p接触（IIA，11B ）和n触点（12A，12B）被布置在半导体芯片（10），的后侧 - 半导体芯片（10）的多个相邻布置的区域（21,22），以及 - 所述区域（21,22）每一个都具有该p接触（IIA，11B）和n触点中的一个（12A，12B）。

30. 发明申请

WO2014091003A1 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR HERSTELLUNG EINER LEUCHTDIODE 审中-公开
标题翻译：方法和设备用于生产发光二极管
公开(公告)号：WO2014091003A1
公开(公告)日：2014-06-19
申请号：PCT/EP2013/076575
申请日：2013-12-13
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： GALLMEIER, Hans-Christoph , RICHTER, Markus , ALBRECHT, Tony , BAUMGARTNER, Alexander
IPC分类号： H01L33/50 , B05B1/00
CPC分类号： H01L33/50 , H01L2933/0041
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung von mindestens einem Strahlung emittierenden Halbleiterbauelement (11) mit den folgenden Schritten angegeben: -Bereitstellen von mindestens einem Strahlung emittierenden Halbleiterchip (4) mit einer Oberseite (6) und mindestens einer Seitenfläche (7), die schräg zu der Oberseite (6) verläuft, -Aufbringen eines Konversionselements (8) auf die Oberseite (6) und/oder die mindestens eine Seitenfläche (7) mittels Aufsprühen, wobei das Konversionselement (8) aus einem Sprühmittel (2b) erzeugt wird, das ein Matrixmaterial und Konverterpartikel enthält.
摘要翻译：据说，包括以下步骤用于产生至少一个辐射的半导体器件（11）的方法包括： - 提供至少一个发射辐射的半导体芯片（4），其具有一个顶部（6）和至少一个侧表面（7），其是倾斜于顶侧（6），在上面（6）和/或借助喷雾，雾化，所述至少一个侧表面（7），其中，所述转换元件（8）由喷雾装置产生-Aufbringen的转换元件（8）（图2b）包括基体材料和转换器含有颗粒。

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