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11. 发明申请

WO2016123399A1 SYSTEMS AND METHODS FOR FABRICATING SINGLE CRYSTAL PHOTOVOLTAIC PEROVSKITE MATERIALS AND DEVICES INCORPORATING THE SAME 审中-公开
标题翻译：用于制造单晶紫外线耐火材料的系统和方法以及与其同时进行的装置
公开(公告)号：WO2016123399A1
公开(公告)日：2016-08-04
申请号：PCT/US2016/015458
申请日：2016-01-28
申请人： NUTECH VENTURES
发明人： HUANG, Jinsong , DONG, Qingfeng
IPC分类号： C30B1/00 , C30B1/02 , C30B1/06 , C30B28/02
CPC分类号： C30B19/04 , C30B29/12
摘要： Systems and methods for perovskite single crystal growth include using a low temperature solution process that employs a temperature gradient in a perovskite solution in a container, also including at least one small perovskite single crystal, and a substrate in the solution upon which substrate a perovskite crystal nucleates and grows, in part due to the temperature gradient in the solution and in part due to a temperature gradient in the substrate. For example, a top portion of the substrate external to the solution may be cooled.
摘要翻译：钙钛矿单晶生长的系统和方法包括使用在包含至少一种小钙钛矿单晶的容器中采用钙钛矿溶液中的温度梯度的低温溶液法和在其上的基底上的钙钛矿晶体成核和生长，部分是由于溶液中的温度梯度，部分是由于衬底中的温度梯度。例如，可以冷却溶液外部的基底的顶部。

12. 发明申请

WO2010040283A1 高纯多晶硅棒作为供料棒在单晶硅区熔炼法中的应用以及制备方法审中-公开
公开(公告)号：WO2010040283A1
公开(公告)日：2010-04-15
申请号：PCT/CN2009/001229
申请日：2009-11-05
申请人：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 , 万跃鹏 , 张涛
发明人：万跃鹏 , 张涛
IPC分类号： C30B13/00 , C30B28/02 , C30B29/06 , C01B33/037
CPC分类号： C01B33/037 , C30B13/00 , C30B29/06

13. 发明申请

WO2008138148A1 ALLIAGES NANOCRISTALLINS DU TYPE FE3AL(RU) ET USAGE DE CEUX-CI SOUS FORME NANOCRISTALLINE OU NON POUR LA FABRICATION D'ÉLECTRODES POUR LA SYNTHÈSE DU CHLORATE DE SODIUM 审中-公开
标题翻译： FE3AL（RU）型的纳米晶体合金及其在纳米晶体形式中的选择性用于制备氯化钠合成电极
公开(公告)号：WO2008138148A1
公开(公告)日：2008-11-20
申请号：PCT/CA2008/000947
申请日：2008-05-15
申请人： HYDRO-QUÉBEC , MEEIR TECHNOLOGIE INC. , SCHULZ, Robert , SAVOIE, Sylvio
发明人： SCHULZ, Robert , SAVOIE, Sylvio
IPC分类号： C30B29/52 , C23C24/00 , C25B1/26 , C25B11/08 , C25B11/10 , C30B28/02 , C30B31/02
CPC分类号： C23C30/00 , B22F1/0044 , B22F2999/00 , C22C1/0491 , C22C38/06 , C23C4/08 , C23C24/04 , C25B1/265 , C25B11/0452 , B22F2009/041
摘要： L'invention vise un alliage nanocristallin de formule : Fe 3-X Al 1+X M y T z ; dans laquelle : M représente au moins une espèce catalytique choisi dans le groupe constitué par Ru, Ir, Pd, Pt, Rh, Os, Re, Ag et Ni; T représente au moins un élément choisi dans le groupe constitué par Mo, Co, Cr, V, Cu, Zn, Nb, W, Zr, Y, Mn, Cb, Si, B, C, O, N, P, F, S, Cl et Na; x est un nombre supérieur à -1 et inférieur ou égal à +1; y est un nombre supérieur à O et inférieur ou égal à +1; z est un nombre compris entre O et +1. L'invention vise aussi l'usage de l'alliage ci-dessus sous forme nanocristalline ou non pour la fabrication d'électrodes destinées notamment à la synthèse du chlorate de sodium.
摘要翻译：本发明涉及一种具有式Fe 3-X 1 Al 1 + X M M z N z的纳米晶体合金，其中：M是选自Ru，Ir，Pd，Pt，Rh，Os，Re，Ag和Ni中的至少一种催化物质; T是选自Mo，Co，Cr，V，Cu，Zn，Nb，W，Zr，Y，Mn，Cb，Si，B，C，O，N，P，F，S中的至少一种，Cl和Na; x是高于-1且不高于+1的数字; y是高于0且不高于+1的数字; z是0和+1之间的数字。本发明还涉及上述合金以纳米晶体形式或不用于制造特别用于合成氯酸钠的电极的用途。

14. 发明申请

WO2006124266A3 METHOD AND APPARATUS FOR GROWING SINGLE-CRYSTAL METALS 审中-公开
标题翻译：用于生长单晶金属的方法和装置
公开(公告)号：WO2006124266A3
公开(公告)日：2007-02-08
申请号：PCT/US2006016771
申请日：2006-05-03
申请人： UNIV TEXAS , CIULIK JAMES R , TALEFF ERIC M
发明人： CIULIK JAMES R , TALEFF ERIC M
IPC分类号： C22C45/00 , C21D8/12 , C30B13/20 , C30B28/02
CPC分类号： C30B1/04 , C30B1/02 , C30B29/02 , Y10T117/10
摘要： A method for growing large single crystals of metals is disclosed. A polycrystalline form of a metal specimen is initially heated in a non-oxidizing environment. A minimum plastic strain is then applied to the heated metal specimen to initiate the growth of a selected grain within the heated metal specimen. Additional plastic strain is subsequently applied to the heated metal specimen to propagate the growth of the selected grain to become a large single crystal.
摘要翻译：公开了生长大单晶金属的方法。金属样品的多晶形式最初在非氧化环境中被加热。然后将最小的塑性应变施加到加热的金属样品上以引起加热的金属样品内选定的晶粒的生长。随后将附加的塑性应变施加到加热的金属试样上，以使所选择的晶粒的生长传播成为大的单晶。

15. 发明申请

WO2005029550A2 METHOD AND SYSTEM FOR PRODUCING CRYSTALLINE THIN FILMS WITH A UNIFORM CRYSTALLINE ORIENTATION 审中-公开
标题翻译：生产具有均匀结晶取向的晶体薄膜的方法和系统
公开(公告)号：WO2005029550A2
公开(公告)日：2005-03-31
申请号：PCT/US2004030329
申请日：2004-09-16
申请人： UNIV COLUMBIA , IM JAMES S
发明人： IM JAMES S
IPC分类号： C30B1/02 , C30B1/06 , C30B1/08 , C30B28/02 , C30B29/06 , C30B35/00 , H01L20060101 , H01L
CPC分类号： C30B28/00 , C03C23/0025 , C30B28/08 , C30B35/00 , H01L21/2026 , H01L27/1285 , H01L27/1296
摘要： System and method generating a polycrystalline thin film with a particular crystalline orientation for use as thin film transistors, microelectronic devices and the like. In one exemplary embodiment, a polycrystalline silicon thin film that has a substantially uniform crystalline orientation is produced so that its crystals are provided in at least one direction. The crystalline orientation may be any low index orientation and may be achieved with sequential lateral solidification. The polycrystalline thin film may then be crystallized in a direction that is perpendicular to the first direction by, e.g., a sequential lateral solidification procedure so that the crystalline orientation is approximately the same as the first direction, and is substantially uniform in all directions.
摘要翻译：产生具有特定晶体取向的多晶薄膜以用作薄膜晶体管，微电子器件等的系统和方法。在一个示例性实施例中，制造具有基本上均匀的晶体取向的多晶硅薄膜，使得其晶体沿至少一个方向提供。晶体取向可以是任何低折射率取向并且可以通过顺序横向固化来实现。然后可以通过例如顺序横向凝固过程在垂直于第一方向的方向上结晶多晶薄膜，使得晶体取向与第一方向大致相同，并且在所有方向上基本均匀。

16. 发明申请

WO2004033769A1 FABRICATION METHOD FOR CRYSTALLINE SEMICONDUCTOR FILMS ON FOREIGN SUBSTRATES 审中-公开
标题翻译：外部衬底上的晶体半导体膜的制造方法
公开(公告)号：WO2004033769A1
公开(公告)日：2004-04-22
申请号：PCT/AU2003/001313
申请日：2003-10-07
申请人： UNISEARCH LIMITED , ABERLE, Armin , WIDENBORG, Per , STRAUB, Axel , NEUHAUS, Dirk-Holger , HARTLEY, Oliver , HARDER, Nils-Peter
发明人： ABERLE, Armin , WIDENBORG, Per , STRAUB, Axel , NEUHAUS, Dirk-Holger , HARTLEY, Oliver , HARDER, Nils-Peter
IPC分类号： C30B28/02
CPC分类号： H01L21/2022 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02P70/521
摘要： The invention provides a method of forming a polycrystalline semiconductor film (26) on a supporting substrate (21, 22) of foreign material. The method involves depositing a metal film (23) onto the substrate, forming a film of metal oxide and/or hydroxide (24) on a surface of the metal, and forming a layer of an amorphous semiconductor material (25) over a surface of the metal oxide and/or hydroxide film. The entire sample is then heated to a temperature at which the semiconductor layer is absorbed into the metal layer and deposited as a polycrystalline layer (26) onto the target surface by metal-induced crystallisation. The metal is left as an overlayer (27) covering the deposited polycrystalline layer, with semiconductor inclusions (28) in the metal layer (29). The polycrystalline semiconductor film (26) and the overlayer (27) are separated by a porous interfacial metal oxide and/or hydroxide film (30). The metal in the overlayer and the interfacial metal oxide and/or hydroxide film are then removed with an etch which underetches the semiconductor inclusions to form freestanding islands. Finally the freestanding semiconductor "islands" are removed from the surface of the polycrystalline semiconductor layer by a lift-off process. There is also provided a method for the formation of a further polycrystalline layer using a polycrystalline layer as a seed layer. The seed layer may be a polycrystalline semiconductor layer formed by the metal induced crystallisation method. The surface of the seed layer is first cleaned to remove any oxides or other contaminants, before forming an amorphous layer of a semiconductor material over the cleaned surface of the seed layer, and heating the substrate, the seed layer and the amorphous layer to crystallise the semiconductor material by solid phase epitaxy.
摘要翻译：本发明提供了在异物的支撑基板（21,22）上形成多晶半导体膜（26）的方法。该方法包括在衬底上沉积金属膜（23），在金属表面上形成金属氧化物和/或氢氧化物（24）的膜，并在该表面上形成非晶半导体材料层（25）金属氧化物和/或氢氧化物膜。然后将整个样品加热到半导体层被吸收到金属层中并通过金属诱导结晶作为多晶层（26）沉积到目标表面上的温度。留下金属作为覆盖沉积的多晶层的覆盖层（27），在金属层（29）中具有半导体夹杂物（28）。多晶半导体膜（26）和覆层（27）被多孔界面金属氧化物和/或氢氧化物膜（30）分离。然后用蚀刻去除覆盖层中的金属和界面金属氧化物和/或氢氧化物膜，该蚀刻不影响半导体夹杂物以形成独立的岛。最后，通过剥离工艺从多晶半导体层的表面去除独立的半导体“岛”。还提供了使用多晶层作为种子层形成另外的多晶层的方法。种子层可以是通过金属诱导结晶法形成的多晶半导体层。在种子层的清洁表面上形成半导体材料的非晶层之前，首先清洗种子层的表面以去除任何氧化物或其它污染物，以及加热衬底，籽晶层和非晶层，使结晶半导体材料通过固相外延生长。

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