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11. 发明申请

WO2011115371A2 ETCHANT FOR METAL WIRING AND METHOD FOR MANUFACTURING METAL WIRING USING THE SAME 审中-公开
标题翻译：金属接线用金属接头及其制造金属接线方法
公开(公告)号：WO2011115371A2
公开(公告)日：2011-09-22
申请号：PCT/KR2011/001060
申请日：2011-02-17
申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. , DONGJIN SEMICHEM CO., LTD. , SUH, Nam-Seok , HONG, Sun-Young , CHOUNG, Jong-Hyun , KIM, Bong-Kyun , PARK, Hong-Sick , SONG, Jean-Ho , LEE, Wang-Woo , KIM, Do-Won , KIM, Sang-Woo , SEO, Won-Guk , SHIN, Hyun-Cheol , LEE, Ki-Beom , CHO, Sam-Young
发明人： SUH, Nam-Seok , HONG, Sun-Young , CHOUNG, Jong-Hyun , KIM, Bong-Kyun , PARK, Hong-Sick , SONG, Jean-Ho , LEE, Wang-Woo , KIM, Do-Won , KIM, Sang-Woo , SEO, Won-Guk , SHIN, Hyun-Cheol , LEE, Ki-Beom , CHO, Sam-Young
IPC分类号： C23F1/34 , C23F1/02 , H05K3/06
CPC分类号： C09K13/08 , C23F1/18 , C23F1/26 , C23F1/44 , H01L21/28088 , H01L21/32134 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H05K3/067
摘要： Exemplary embodiments of the present invention provide a metal wiring etchant. A metal wiring etchant according to an exemplary embodiment of the present invention includes ammonium persulfate, an organic acid, an ammonium salt, a fluorine-containing compound, a glycol-based compound, and an azole-based compound.
摘要翻译：本发明的示例性实施例提供了一种金属布线蚀刻剂。根据本发明的示例性实施方式的金属线蚀刻剂包括过硫酸铵，有机酸，铵盐，含氟化合物，二醇类化合物和唑类化合物。

12. 发明申请

WO01051683A1 GALVANIC METHODS OF ACCELERATING COPPER DISSOLUTION INTO SOLUTIONS CONTAINING NITROGEN COMPOUNDS 审中-公开
标题翻译：将铜溶解加入到含有化合物的溶液中的气体方法
公开(公告)号：WO01051683A1
公开(公告)日：2001-07-19
申请号：PCT/US2001/000089
申请日：2001-01-03
IPC分类号： C02F1/46 , C02F1/461 , C23F1/34 , C25C1/12 , C25D21/18 , C25C7/04 , B27K3/52 , C25F5/00
CPC分类号： C23F1/34 , C02F1/4606 , C02F1/46176
摘要： Methods of dissolving copper at an accelerated rate into electrolytic solutions, such as solutions comprising nitrogen compounds, by supplying an anodic current to a copper or copper-containing metal that is in contact with an electrolytic solution comprising a nitrogen compound (such as 2-hydroxyethylamine and ethanolamine) and carbon dioxide. Anodic current may be provided by, for example, galvanic coupling with a material (e.g. silver, stainless steel,...) having a more positive reduction potential in the electrolytic solution (or given the system of electrolytic solutions) than copper, and/or by applying an impressed anodic current to the copper or copper-containing metal. Separate reaction vessels may be employed to house a first copper metal and a second cathode metal, as well as the electrolytic solutions associated with each. Copper-containing solutions thus formed are useful as biocidal fluids, for example, for treating wood or lumber and for water purification.
摘要翻译：通过向包含氮化合物的电解液（例如2-羟乙基胺）接触的铜或含铜金属提供阳极电流，将铜以加速速率溶解到电解溶液中，例如包含氮化合物的溶液的方法和乙醇胺）和二氧化碳。阳极电流可以通过例如与电解溶液（或给定电解溶液系统）比铜更正的还原电位的材料（例如银，不锈钢，...）进行电偶合，和/ 或通过向铜或含铜金属施加印刷的阳极电流。可以使用单独的反应容器来容纳第一铜金属和第二阴极金属，以及与每个相关联的电解溶液。如此形成的含铜溶液可用作杀生物流体，例如用于处理木材或木材并用于水净化。

13. 发明申请

WO2023286555A1 表面改質剤、積層体、金属配線パターンの形成方法、及びプリント配線板の製造方法审中-公开
公开(公告)号：WO2023286555A1
公开(公告)日：2023-01-19
申请号：PCT/JP2022/025011
申请日：2022-06-23
申请人：コニカミノルタ株式会社
发明人：有田　浩了 , 原　淳 , 山田　哲也
IPC分类号： H05K3/06 , C23F1/18 , C23F1/34 , H01L21/306
摘要：本発明の課題は、エッチング性とレジスト材料の剥離性を両立させる表面改質剤、並びに当該表面改質剤を用いた積層体、金属配線パターンの形成方法、及びプリント配線板の製造方法を提供することである。　本発明の表面改質剤は、下記一般式（１）で表される構造を有する含窒素複素芳香環化合物を含有し、当該含窒素複素芳香環化合物のＣｌｏｇＰが、２～５の範囲内であることを特徴とする。［一般式（１）中、Ｘ１～Ｘ５は、それぞれ独立に、窒素原子又はＣＲ１を表す。Ｒ１は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、ヘテロアリール基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アミノ基、シアノ基、チオール基、カルボニル基、ハロゲノ基、トリフルオロメチル基、又は、ヒドロキシ基を表し、さらに置換基を有していても良い。］

14. 发明申请

WO2019013160A1 銅エッチング液审中-公开
公开(公告)号：WO2019013160A1
公开(公告)日：2019-01-17
申请号：PCT/JP2018/025863
申请日：2018-07-09
申请人：メルテックス株式会社
发明人：希代　誠 , 渡口　繁 , 熊谷　博之 , 松原　敏明 , 中村　惟之
IPC分类号： C23F1/34 , H05K3/18
摘要：本件発明の課題は、ガルバニック腐食を確実に抑制することができ、浴管理が容易でエッチング速度に優れた銅エッチング液を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、アルカリ性の水溶液からなる銅エッチング液であって、１～７０ｇ／Ｌの銅と、２５％アンモニア水換算で１０～５００ｇ／Ｌのアンモニア水と、５～５００ｇ／Ｌのアンモニウム塩とを含み、前記アンモニウム塩は、無機酸のアンモニウム塩、スルホン酸のアンモニウム塩、飽和脂肪酸のアンモニウム塩、芳香族カルボン酸のアンモニウム塩、ヒドロキシ酸のアンモニウム塩、ジカルボン酸のアンモニウム塩の群から選択される１種又は２種以上のアンモニウム塩であることを特徴とする銅エッチング液を提供する。

15. 发明申请

WO2007055669A3 RECYCLABLE ETCHING SOLUTION 审中-公开
标题翻译：可循环蚀刻解决方案
公开(公告)号：WO2007055669A3
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：PCT/TN2006000001
申请日：2006-11-09
申请人： EVE RECYCLING SARL , NAHDI DRIDI KARIM
发明人： NAHDI DRIDI KARIM
IPC分类号： C23F1/34 , C09K13/02 , C23F1/46 , H05K3/06
CPC分类号： C23F1/34 , C09K13/02 , C23F1/46 , H05K3/067
摘要： The invention relates to an aqueous etching solution which is recyclable by reducing a copper concentration during operation, is used for copper etching, in particular for printed circuits and for producing copper articles and which generally comprises water, ammonium, copper carbonate and ammonium carbonate. The inventive etching solution also comprises bromoacetylbiphenyland the derivatives thereof in the form of an additional catalyst.
摘要翻译：本发明涉及通过在操作期间减少铜浓度可回收的水性蚀刻溶液，用于铜蚀刻，特别是用于印刷电路和用于生产铜制品，并且通常包括水，铵，碳酸铜和碳酸铵。本发明的蚀刻溶液还包含溴乙酰基联苯及其衍生物，其为另外的催化剂形式。

16. 发明申请

WO2005013321A3 ETCHING OF SOLAR CELL MATERIALS 审中-公开
标题翻译：太阳能电池材料的蚀刻
公开(公告)号：WO2005013321A3
公开(公告)日：2006-02-02
申请号：PCT/US2004023198
申请日：2004-07-19
申请人： SUNPOWER CORP , ROSE DOUGLAS H , URALWONG PONGSTHORN , SMITH DAVID D
发明人： ROSE DOUGLAS H , URALWONG PONGSTHORN , SMITH DAVID D
IPC分类号： H01L20060101 , H01L31/00 , H01L31/18 , C23F1/00 , C23F1/18 , C23F1/20 , C23F1/34 , C23F1/36
CPC分类号： H01L31/022425 , H01L31/02008 , H01L31/18
摘要： A solar cell is fabricated by etching one or more of its layers without substantially etching another layer of the solar cell. In one embodiment, a copper layer in the solar cell is etched (506) without substantially etching a topmost metallic layer comprising tin. For example, an etchant comprising sulfuric acid and hydrogen peroxide may be employed to etch the copper layer selective to the tin layer. A particular example of the aforementioned etchant is a Co-Bra Etch® etchant modified to comprise about 1% by volume of sulfuric acid, about 4% by volume of phosphoric acid, and about 2% by volume of stabilized hydrogen peroxide. In one embodiment, an aluminum layer in the solar cell is etched (514) without substantially etching the tin layer. For example, an etchant comprising potassium hydroxide may be employed to etch the aluminum layer without substantially etching the tin layer.
摘要翻译：通过蚀刻其一个或多个层而不基本上蚀刻太阳能电池的另一层来制造太阳能电池。在一个实施例中，在基本上蚀刻包含锡的最顶层的金属层的同时蚀刻太阳能电池中的铜层（506）。例如，可以使用包含硫酸和过氧化氢的蚀刻剂来蚀刻对锡层有选择性的铜层。上述蚀刻剂的一个具体实例是改性为包含约1体积％的硫酸，约4体积％的磷酸和约2体积％的稳定的过氧化氢的Co-Bra Etch蚀刻剂。在一个实施例中，蚀刻（514）太阳能电池中的铝层而基本上不蚀刻锡层。例如，可以使用包含氢氧化钾的蚀刻剂来蚀刻铝层而基本上不蚀刻锡层。

17. 发明申请

WO2005026410A3 PETROLEUM-FREE, AMMONIA-FREE CLEANER FOR FIREARMS AND ORDNANCE 审中-公开
标题翻译：无油，免清洁无烟清洁剂
公开(公告)号：WO2005026410A3
公开(公告)日：2005-06-02
申请号：PCT/US2004014729
申请日：2004-05-11
申请人： BULK CHEMICALS INC , SCHLOSSER TED M
发明人： SCHLOSSER TED M
IPC分类号： C11D7/32 , C11D7/36 , C11D11/00 , C23F1/34 , C23F1/44 , C23G1/19 , C11D3/30 , B08B3/04 , C11D3/20 , C11D3/43
CPC分类号： C23F1/44 , C11D7/3218 , C11D7/36 , C11D11/0029 , C23F1/34 , C23G1/19
摘要： A composition for removing copper from a surface comprises a polyphosphonic acid, a primary amine, and water. Optionally, the composition may also comprise a dialkanolamine and/or a trialkanolamine, a degreaser, and/or a surfactant. The pH of the composition is between 9.0 and 12.5. The method of removing copper from a surface, which may be a gun bore, involves contacting the surface with the composition.
摘要翻译：用于从表面除去铜的组合物包括多膦酸，伯胺和水。任选地，组合物还可以包含二烷醇胺和/或三烷醇胺，脱脂剂和/或表面活性剂。组合物的pH为9.0至12.5。从可能是枪口的表面去除铜的方法包括使表面与组合物接触。

18. 发明申请

WO2023086156A1 METHODS FOR WET ATOMIC LAYER ETCHING OF COPPER 审中-公开
公开(公告)号：WO2023086156A1
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：PCT/US2022/043508
申请日：2022-09-14
申请人： TOKYO ELECTRON LIMITED , TOKYO ELECTRON U.S. HOLDINGS, INC.
发明人： NETZBAND, Christopher , ABEL, Paul , FAGUET, Jacques , ARKALGUD, Sitaram
IPC分类号： H01L21/3213 , C23F1/34 , H01L21/02
摘要： The present disclosure provides a new wet atomic layer etch (ALE) process for etching copper. More specifically, the present disclosure provides various embodiments of methods that utilize new etch chemistries for etching copper in a wet ALE process. By utilizing the new etch chemistries disclosed herein within a wet ALE process, the present disclosure provides a highly selective etch of copper with monolayer precision.

19. 发明申请

WO2022202921A1 積層体の製造方法审中-公开
公开(公告)号：WO2022202921A1
公开(公告)日：2022-09-29
申请号：PCT/JP2022/013645
申请日：2022-03-23
申请人：ナミックス株式会社
发明人：小畠　直貴 , 佐藤　牧子
IPC分类号： C23F1/34 , C23C26/00 , H05K3/18 , H05K3/38
摘要：本発明は、新規な積層体の製造方法を提供することを目的とし、当該製造方法は、前記絶縁基材層と、表面に凸部を有する銅部材とを貼り合わせる工程と、前記銅部材を引き剥がすことによって、前記凸部を前記絶縁基材層表面に転移させ、シード層を形成する工程と、前記シード層の表面上の所定の場所にレジストを形成する工程と、前記シード層の表面であって前記レジストが積層していない領域を銅めっき処理することによって、前記銅を積層する工程と、前記レジストを除去する工程と、前記レジストの除去によって露出した前記シード層を除去する工程と、を含む。

20. 发明申请

WO2021250182A1 AN AQUEOUS BASIC ETCHING COMPOSITION FOR THE TREATMENT OF SURFACES OF METAL SUBSTRATES 审中-公开
公开(公告)号：WO2021250182A1
公开(公告)日：2021-12-16
申请号：PCT/EP2021/065663
申请日：2021-06-10
申请人： ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH
发明人： KOHLMANN, Lars , BRUNNER, Heiko
IPC分类号： C23C22/34 , C23C22/40 , C23C22/46 , C23F1/34 , C23F1/40 , C23F1/46
摘要： The present invention is directed to an aqueous basic etching composition for the treatment of surfaces of metal substrates, the composition comprising: (a) functionalized urea, biuret and guanidine derivatives and/or salts thereof selected from the group comprising compounds having formulae (I) and (II) and/or salts thereof, wherein X and Y are independently selected from the group comprising oxygen, NRR' and NR5, wherein R, R' and R5 are independently selected from the group comprising R1, hydrogen, polyethylene glycols, aromatic compounds, and C1-C4 alkyl, wherein the aromatic compounds and C1-C4 alkyl optionally comprise at least one substituent selected as OR6, wherein R6 is selected from the group comprising hydrogen and C1-C4 alkyl, wherein X and Y can be identical or different; R1 and R2 are independently selected from the group comprising hydrogen, alkyl compounds, amines, and nitrogen-comprising heteroaromatic compounds, wherein R1 and R2 can be identical or different, with the proviso that R1 cannot be hydrogen, and with the proviso that in compounds having formula (I) R1 cannot be hydrogen or alkyl compound if X is oxygen; m is an integer from 1 to 4, preferably 3; and n is an integer from 0 to 8, preferably 2 to 4; wherein m and n can be identical or different; (b) an oxidizing agent for oxidizing the metals of the metal surface to be treated; and wherein the aqueous basic etching composition comprises a pH from 7.1 to 14.

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