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    • 11. 发明申请
    • VERFAHREN ZUR KONTAKTFREIEN ERMITTLUNG EINER TEMPERATUR SOWIE INFRAROT-MESSSYSTEM
    • 用于非接触测定温度和红外测量系统的方法
    • WO2018001738A1
    • 2018-01-04
    • PCT/EP2017/064527
    • 2017-06-14
    • ROBERT BOSCH GMBH
    • FRANK, MichaelSENZ, VolkmarBADEJA, MichaelRUMBERG, AxelKRUEGER, MichaelDITTMER, Helge
    • G01J5/02G01J5/06G01J5/10G01J5/08
    • G01J5/06G01J5/023G01J5/024G01J5/0245G01J5/0265G01J5/0834G01J5/10G01J2005/066G01J2005/106
    • Das vorgeschlagene Verfahren zur kontaktfreien Ermittlung einer Temperatur einer Oberfläche (22), insbesondere zur kontaktfreien Ermittlung einer Temperaturverteilung einer Oberfläche (22), geht aus von einem Infrarot-Messsystem (10, 10a), das zumindest aufweist: ein Infrarot-Detektorarray (36) mit einem Detektorarray-Substrat (72). Erfindungsgemäß - sind zumindest eine Referenzpixel (65) und Blindpixel (64) vorgesehen, die für Infrarotstrahlung im Wesentlichen unempfindlich sind, wobei die erste thermische Wärmeleitfähigkeit λ RP (123) des Referenzpixels und die dritte thermische Wärmeleitfähigkeit λ BΡ (122) des Blindpixels jeweils grösser sind als die zweite thermische Wärmeleitfähigkeit λ ΜΡ (120) des Messpixels, und - werden Temperaturmesswerte T MP (67) bestimmt, die von einem Referenzsignal U RP des zumindest einen Referenzpixels (65) unabhängig sind, in dem jeweils ein Temperaturmesswert T MP,rel 1 (66) eines ersten Messpixels (62) und ein Temperaturmesswert Τ ΒΡ,rel 1 (68) eines ersten Blindpixels (64) voneinander subtrahiert werden ( T MP = T MP-rel 1 - T BP , rel 1 ), wobei der Temperaturmesswert T MP-rel 1 (66) und der Temperaturmesswert Τ ΒΡ,rel 1 (68) unter Verwendung eines Referenzsignals U RP desselben Referenzpixels (65) ermittelt werden, - werden Temperaturmesswerte T BP (69) bestimmt, die von dem Referenzsignal U RP des zumindest einen Referenzpixels (65) unabhängig sind, indem jeweils ein Temperaturmesswert Τ ΒΡ,rel 1 (68) eines ersten Blindpixels (64) und ein Temperaturmesswert Τ ΒΡ,rel 2 (68) eines zweiten Blindpixels (64) voneinander subtrahiert werden ( T BP = T BP,rel 1 - Τ ΒΡ,rel 2 ), wobei der Temperaturmesswert T BP,rel 1 (68) und der Temperaturmesswert Τ ΒΡ,rel 2 (68) unter Verwendung eines Referenzsignals U RP desselben Referenzpixels (65) ermittelt werden; werden Temperaturmesswerte T MP (67) um jeweils Pixelzugehörige Temperatur-Driftkomponenten T drift (46) korrigiert, wobei die Temperatur-Driftkomponenten T drift (46) unter Verwendung von Temperaturmesswerten T BP (69) und/oder T MP (67) bestimmt werden. Ferner wird ein mit dem Verfahren betriebenes Infrarot-Messsystem (10, 10a) vorgeschlagen.
    • 用于表面BEAR表面(22)的温度的非接触确定用于表面BEAR表面(22)的温度分布的非接触确定所提出的方法,特别是基于红外线测量系统(10,10a)的 至少包括:具有探测器阵列基板(72)的红外探测器阵列(36)。 发明&AUML;大街 - 至少提供一个参考像素(65)和虚拟像素(64)的F导航用途ř红外辐射基本上是不敏感的,其特征在于,所述第一热W&AUML; rmeleitf BEAR能力λ<子>的 RP 参考像素的(123)和所述第三热W&AUML; rmeleitf BEAR能力λ<子>的(122)的虚拟像素的每个GR&ouml的; SSER比第二热W&AUML; rmeleitf BEAR能力λ <子>的ΜΡ(120)所述测量像素,以及 - 温度读数的Ť的<子>的 MP (67 )确定哪个65)独立地与AUML至少一个参考像素(从参考信号的û的<子>的 RP 的;被ngig,在其中相应的温度值的 Ť <子>的 MP,相对 1 (66)的第一测量象素(62)和温度测量值的Τ的 <子>的ΒΡ,相对 1 彼此(68)的第一伪像素(64)的(被减去的Ť的<子> < i> MP = sub> MP-rel 1 - BP >, <子>的相对 1 ),所述温度测量值的Ť的<子>的 MP 相对 1 (66)和所测量的温度值的Τ的<子>的ΒΡ,相对 1 (68)使用的参考信号的û的<子>的 RP ,确定 - 是温度读数的 Ť <子>的 BP 由参考信号确定(69)的 V 的<子>的 RP 的至少一个参考像素(65)独立地BEAR由各自的温度测量值ngig的的Τ的<子>的ΒΡ,相对 1 第一伪像素(64)和温度测量值的Τ的<子>的ΒΡ,相对 2 <(68) / SUP被减去>(68)的第二伪像素(64)(Ť的<子>的 BP = Ť的<子的 > BP,相对 1 - Τ的<子>的ΒΡ,REL (68)和所测量的温度值的Τ的<子>的ΒΡ,相对 2 使用参考信号U(68)< (65)的相应子像素(RP);以及相同参考像素(65)的子像素(RP)。 是温度读数的Ť的<子>的 MP (67)到每个Pixelzugeh&ouml;引擎温度漂移分量的Ť的<子>漂移 (67)。 此外,提出了一种使用该方法操作的红外测量系统(10,10a)。

    • 12. 发明申请
    • BOLOMETER HAVING ABSORBER WITH PILLAR STRUCTURE FOR THERMAL SHORTING
    • 具有用于热插拔的支柱结构的吸收器的滚筒
    • WO2014100247A1
    • 2014-06-26
    • PCT/US2013/076250
    • 2013-12-18
    • ROBERT BOSCH GMBHYAMA, GaryPURKL, FabianFEYH, Ando
    • YAMA, GaryPURKL, FabianFEYH, Ando
    • G01J5/02G01J5/20H01L31/09
    • H01L31/0248G01J5/024G01J5/0245G01J5/20H01L31/09H01L31/18
    • A semiconductor bolometer sensor (10) includes a substrate (12) having an electrode structure (24). An absorber structure (16) is suspended over the electrode structure and spaced a first distance (A) apart from the first electrode structure. The absorber structure includes i) suspension structures (18)extending upwardly from the substrate and being electrically connected to readout conductors (26), and ii) a pillar structure (20) extending downwardly from the absorber structure toward the first electrode structure (24). The pillar structure has a contact portion (21) located a second distance (B) apart from the first electrode structure, the second distance being less than the first distance. The absorber structure is configured to flex toward the substrate under a test condition. The second distance is selected such that the contact portion of the pillar structure is positioned in contact with the first electrode structure when the absorber structure is flexed in response to the test condition.
    • 半导体辐射热量计传感器(10)包括具有电极结构(24)的基板(12)。 吸收体结构(16)悬挂在电极结构上并与第一电极结构隔开第一距离(A)。 吸收体结构包括i)从衬底向上延伸并与读出导体(26)电连接的悬挂结构(18),和ii)从吸收体结构向下延伸到第一电极结构(24)的柱结构(20) 。 柱结构具有位于距离第一电极结构的第二距离(B)的接触部分(21),第二距离小于第一距离。 吸收体结构被配置成在测试条件下朝向衬底弯曲。 选择第二距离,使得当吸收体结构根据测试条件弯曲时,柱结构的接触部分定位成与第一电极结构接触。