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11. 发明申请

WO2014014224A1 실리콘 단결정 성장 장치 및 그 제조 방법 审中-公开
标题翻译：用于生长单晶硅的装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2014014224A1
公开(公告)日：2014-01-23
申请号：PCT/KR2013/006030
申请日：2013-07-08
申请人： 주식회사 엘지실트론
发明人： 강종민 , 하세근
IPC分类号： C30B15/20 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/26 , C30B15/28 , C30B29/06 , Y10T117/1008
摘要： 실시 예는 실리콘 융액이 수용된 도가니, 상기 실리콘 융액으로부터 성장되는 실리콘 단결정을 둘러싸는 열실드, 숄더링 공정에 의하여 성장하는 숄더를 촬영하고, 촬영된 결과에 따른 화상 데이터를 취득하는 화상 촬영부 및 상기 화상 데이터를 이용하여 상기 숄더의 무게를 산출하고, 산출된 상기 숄더의 무게에 기초하여 상기 도가니의 승강을 제어하는 제어부를 포함한다.
摘要翻译：一个实施例包括：用于保持硅熔体的坩埚; 用于围绕从硅熔体生长的单晶硅的隔热罩; 用于捕获肩部的热图像捕获部分，其通过肩部过程生长，并且作为图像捕获的结果获得热图像数据; 以及控制部，用于通过使用热图像数据计算肩部的重量，并且基于计算出的肩部的重量来控制坩埚的升高或降低。

12. 发明申请

WO2010073945A1 サファイア単結晶の製造方法审中-公开
标题翻译：生产单晶SAPPHIRE的方法
公开(公告)号：WO2010073945A1
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：PCT/JP2009/070957
申请日：2009-12-16
申请人：昭和電工株式会社 , 庄内智博
发明人：庄内　智博
IPC分类号： C30B29/20 , C30B15/28
CPC分类号： C30B15/28 , C30B29/20
摘要：るつぼ中の酸化アルミニウムを溶融させてアルミナ融液を得る溶融工程と、アルミナ融液に接触させた種結晶を引き上げることにより、種結晶の下方に肩部を形成する肩部形成工程と、融液からサファイア単結晶を引き上げて直胴部を形成する直胴部形成工程と、酸素と不活性ガスとを含み、酸素の濃度が１．０体積％以上且つ５．０体積％以下に設定された混合ガスを供給するとともに、融液からサファイア単結晶を引き離して尾部を形成する尾部形成工程とを実行する。それにより、酸化アルミニウムの融液からサファイア単結晶を成長させる際に、サファイア単結晶の尾部における凸状部の形成をより抑制する。
摘要翻译：实施以下步骤：将坩埚内的氧化铝熔融以获得铝熔体的熔融步骤; 其中与铝熔体接触的晶种被拉起以形成晶种下方的肩部的肩部形成步骤; 直线形成步骤，其中将单晶蓝宝石从熔体中拉出以形成直的部分; 以及尾部形成步骤，其中供给包含氧和惰性气体并且具有设定为1.0-5.0体积％的氧浓度的混合气体，并将单晶蓝宝石从熔体中拉出以形成尾部。因此，当通过从氧化铝熔体的晶体生长获得单晶蓝宝石时，在单晶蓝宝石的尾部更有效地抑制凸起部分的形成。

13. 发明申请

WO2009067641A2 R-PLANE SAPPHIRE METHOD AND APPARATUS 审中-公开
标题翻译： R-PLANE SAPPHIRE方法和装置
公开(公告)号：WO2009067641A2
公开(公告)日：2009-05-28
申请号：PCT/US2008/084277
申请日：2008-11-21
申请人： SAINT-GOBAIN CERAMICS & PLASTICS, INC. , MACK, III, Guilford L. , JONES, Christopher D. , PRANADI, Fery , LOCHER, John W. , ZANELLA, Steven A. , BATES, Herbert E.
发明人： MACK, III, Guilford L. , JONES, Christopher D. , PRANADI, Fery , LOCHER, John W. , ZANELLA, Steven A. , BATES, Herbert E.
IPC分类号： H01L21/86 , C30B29/20 , C30B15/14 , C30B15/20 , H05B6/36
CPC分类号： C30B15/203 , C30B15/28 , C30B15/34 , C30B29/20 , C30B29/22
摘要： A method and apparatus for the production of r-plane single crystal sapphire is disclosed. The method and apparatus may use edge defined film-fed growth techniques for the production of single crystal material exhibiting an absence of lineage.
摘要翻译：公开了一种用于生产r面单晶蓝宝石的方法和装置。该方法和装置可以使用边缘限定的胶片生长技术来生产表现出谱系不存在的单晶材料。

14. 发明申请

WO2009028134A1 単結晶直径の検出方法および単結晶引上げ装置审中-公开
标题翻译：单晶直径检测方法和单晶拉伸装置
公开(公告)号：WO2009028134A1
公开(公告)日：2009-03-05
申请号：PCT/JP2008/002038
申请日：2008-07-30
申请人：信越半導体株式会社 , 柳町隆弘 , 園川将
发明人：柳町隆弘 , 園川将
IPC分类号： C30B15/22
CPC分类号： C30B15/28 , C30B15/26 , Y10T117/1004
摘要：　本発明は、チョクラルスキー法により育成される単結晶の直径を検出する方法であって、カメラとロードセルの両方によってそれぞれ単結晶の直径を検出し、カメラ検出直径とロードセルにより算出した直径との差と、前記単結晶の成長速度に応じて予め求められた補正係数αとによって前記カメラ検出直径を補正し、該補正によって得られた値を前記単結晶の直径とすることを特徴とする単結晶直径の検出方法および引上げる単結晶の直径を検出するためのカメラとロードセルの両方を具備する単結晶引上げ装置である。これによって、大口径、高重量結晶の直径の測定精度を向上し、歩留まりの向上と品質ばらつきの低減を達成することができるようになる。
摘要翻译：用Czochralski法生长的单晶的直径检测方法的特征在于，通过照相机和称重传感器两者确定单晶的直径，通过使用相机测量的直径通过使用使用通过照相机测量的直径与通过使用测力传感器计算的直径之间的差异以及根据单晶的生长速率预定的校正系数α和校正值用作单晶的直径。单晶上拉装置包括用于确定上拉单晶直径的照相机和称重传感器。由此，能够提高大直径重量级晶体的直径的测定精度，能够提高成品率，降低质量变动。

15. 发明申请

WO2003052175A1 "WATERFALL" PRODUCTION EQUIPMENT FOR CRYSTAL GROWTH 审中-公开
标题翻译： “WATERFALL”生产设备用于水晶生长
公开(公告)号：WO2003052175A1
公开(公告)日：2003-06-26
申请号：PCT/IB2001/002641
申请日：2001-12-19
申请人： FIELKER, Mark , KUZNETSOV, Igor
发明人： FIELKER, Mark , KUZNETSOV, Igor
IPC分类号： C30B15/28
CPC分类号： C30B17/00 , C30B15/00 , C30B15/20 , C30B15/28 , C30B29/20
摘要： Article of the invention: production equipment "Waterfall" for bulk single crystal growth of leucosapphire by the Czokhraiski and Kyropoulus methods and in the vacuum with resistive heating and utilizing a string weight sensor. Essence of the invention: a unique string weight sensor has been used on this equipment for the purposes of automation of the technological process of bulk single crystal growth of leucosapphire to enable the growth according to the present parameters. The weight sensor is mounted on the upper end of the mobile hollow rod. Single seed crystal is attached to the active string element of the weight sensor by the control rod. Changes in the weight of the growing crystal are detected by the weight sensor as an electric signal that is immediately transmitted to the PC-based control system. Technical outcome: by bulk single crystals with a preset desired size and weight, thanks to the great precision control of the parameters of the crystal in the process of its growth.
摘要翻译：本发明的目的是通过Czokhraiski和Kyropoulus方法的生产设备“瀑布”用于散装单晶生长的白云石，并在具有电阻加热和利用串重量传感器的真空中。本发明的本质：该设备已经使用了一种独特的绳子重量传感器，用于自动化白云石的大块单晶生长技术过程，以使根据本参数生长。重量传感器安装在移动中空杆的上端。单个晶种通过控制棒连接到重量传感器的有源弦元件上。生长晶体的重量变化由重量传感器检测为立即传送到基于PC的控制系统的电信号。技术成果：由于在其生长过程中对晶体参数进行了极大的精确控制，因此具有预设所需尺寸和重量的散装单晶。

16. 发明申请

WO2014148695A1 METHOD OF INTERPRETING SAPPHIRE SINGLE-CRYSTAL GROWTH AND METHOD OF GROWING SAPPHIRE SINGLE-CRYSTAL 审中-公开
标题翻译：解释SAPPHIRE单晶生长的方法和生长SAPPHIRE单晶的方法
公开(公告)号：WO2014148695A1
公开(公告)日：2014-09-25
申请号：PCT/KR2013/006619
申请日：2013-07-24
申请人： LG SILTRON INCORPORATED
发明人： SONG, Do Won , LEE, Chang Youn , CHOI, Jun Hyuk , MUN, Young Hee
IPC分类号： C30B15/20 , C30B29/20
CPC分类号： C30B15/20 , C30B15/22 , C30B15/28 , C30B29/20
摘要： Disclosed is a method of interpreting sapphire single-crystal growth including preparing a crucible filled with an alumina melt, growing a single-crystal by bringing a seed crystal into contact with the alumina melt and dipping the seed crystal in the alumina melt, calculating at least one of an angle and a movement speed of an interface between the single-crystal and the alumina melt, measuring defects formed in the grown sapphire single-crystal, and calculating at least one of an angle and a movement speed of an interface between the single-crystal and the alumina melt in which defects are not formed by repeating the crucible preparation operation, the single-crystal growth operation, the operation of calculating at least one of the angle and the movement speed of the interface, and the defects measurement operation.
摘要翻译：公开了一种解释蓝宝石单晶生长的方法，包括制备填充有氧化铝熔体的坩埚，通过使晶种与氧化铝熔体接触并将晶种浸入氧化铝熔体中生长单晶，至少计算单晶和氧化铝熔体之间的界面的角度和移动速度之一，测量在生长的蓝宝石单晶中形成的缺陷，并且计算单个和氧化铝熔体之间的界面的角度和移动速度中的至少一个晶体和氧化铝熔体，其中通过重复坩埚制备操作，单晶生长操作，计算界面的角度和移动速度中的至少一个的操作以及缺陷测量操作来形成缺陷。

17. 发明申请

WO2012044914A1 SHEET WAFER PROCESSING AS A FUNCTION OF WAFER WEIGHT 审中-公开
标题翻译：作为WAFER权重函数的表面加工
公开(公告)号：WO2012044914A1
公开(公告)日：2012-04-05
申请号：PCT/US2011/054183
申请日：2011-09-30
申请人： EVERGREEN SOLAR, INC. , VAN GLABBEEK, Leo , SIMPSON, Gerald, A., Jr. , HAMMA, Soumana , YAMARTINO, Stephen
发明人： VAN GLABBEEK, Leo , SIMPSON, Gerald, A., Jr. , HAMMA, Soumana , YAMARTINO, Stephen
IPC分类号： H01L31/18 , C30B29/06 , C30B15/00 , C30B15/20 , C30B15/28
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/007 , C30B15/20 , C30B15/28
摘要： A method and apparatus for forming a sheet wafer melts feedstock material in a crucible that is part of a crystal growth furnace, passes a plurality of filaments through the crucible to form a sheet wafer, and cuts a portion of the sheet wafer to form a smaller sheet wafer. The method and apparatus then determine the weight of the smaller sheet wafer, and control the temperature of the melted feedstock material (e.g., by controlling crucible temperature or by interfacing with another temperature control system) as a function of the determined weight.
摘要翻译：用于形成片状晶片的方法和装置在作为晶体生长炉的一部分的坩埚中熔化原料，将多根细丝通过坩埚形成片状晶片，并切割片状晶片的一部分以形成较小的片状晶片。然后，该方法和装置确定较小的片状晶片的重量，并且根据所确定的重量来控制熔化的原料的温度（例如，通过控制坩埚温度或通过与另一个温度控制系统的连接）。

18. 发明申请

WO2010056350A3 METHODS FOR CASTING BY A FLOAT PROCESS AND ASSOCIATED APPRATUSES 审中-公开
标题翻译：通过浮选工艺和相关规定进行铸造的方法
公开(公告)号：WO2010056350A3
公开(公告)日：2011-04-14
申请号：PCT/US2009006114
申请日：2009-11-13
申请人： UNIV CARNEGIE MELLON , YDSTIE BIRGER ERIK , RANJAN SUDHIR , SUKUMAR BALAJI , SEETHARAMAN SRIDHAR
发明人： YDSTIE BIRGER ERIK , RANJAN SUDHIR , SUKUMAR BALAJI , SEETHARAMAN SRIDHAR
IPC分类号： H01L31/18 , B22D11/01 , C01B33/037 , C30B15/06 , C30B15/22 , C30B29/06 , C30B29/60
CPC分类号： B22D11/01 , C01B33/037 , C30B15/002 , C30B15/007 , C30B15/06 , C30B15/14 , C30B15/22 , C30B15/28 , C30B15/30 , C30B29/06 , C30B29/60 , C30B29/64 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02P70/521
摘要： A method for producing a solid layer material (42), comprising providing (70) a first layer (30); providing (72) a second liquid layer (32) on the first layer (30); providing (74) a third liquid layer (34) on the second liquid layer (32), wherein the third liquid layer has a melting point that is higher than a melting point of the second liquid layer, and wherein the second liquid layer is between the first and third layers; cooling (76) a surface of the third liquid layer to a temperature less than the melting point of the third liquid layer; forming (78) the solid layer from the third liquid layer while cooling the third layer liquid; and removing (80) the solid layer.
摘要翻译：一种制备固体层材料（42）的方法，包括提供（70）第一层（30）; 在第一层（30）上提供（72）第二液体层（32）; 在所述第二液体层（32）上提供（74）第三液体层（34），其中所述第三液体层具有高于所述第二液体层的熔点的熔点，并且其中所述第二液体层在第一和第三层; 将第三液体层的表面冷却（76）至低于第三液体层的熔点的温度; 在冷却第三层液体的同时，从第三液体层形成（78）固体层; 并去除（80）固体层。

19. 发明申请

WO2010117601A2 SYSTEMS AND METHODS FOR WEIGHING A PULLED OBJECT 审中-公开
标题翻译：用于称量拉伸物体的系统和方法
公开(公告)号：WO2010117601A2
公开(公告)日：2010-10-14
申请号：PCT/US2010028093
申请日：2010-03-22
申请人： MEMC ELECTRONIC MATERIALS , KORB HAROLD W , PHILLIPS RICHARD J
发明人： KORB HAROLD W , PHILLIPS RICHARD J
IPC分类号： G01G19/18 , C30B15/28
CPC分类号： G01G19/18 , C30B15/28 , G01G23/12
摘要： Systems and methods are disclosed for measuring the weight of an object coupled to a first end of a cable while pulling the object. The cable is routed over a pulley suspended from a load cell. The force exerted by the cable on the pulley is used to calculate the weight of the object. The second end of the cable is coupled to a drum which when rotated pulls the object by wrapping the cable around the drum. An arm is coupled to the pulley at one end and to a frame at another end. A path travelled by the cable between the pulley and the drum is substantially parallel to a longitudinal axis of the arm. Horizontal force components are transmitted by the arm to the frame and do not affect a force measured by the load cell, thus increasing the accuracy of the calculated weight of the object.
摘要翻译：公开了系统和方法，用于在拉动物体的同时测量耦合到电缆的第一端的物体的重量。电缆穿过从称重传感器悬挂的滑轮。电缆施加在皮带轮上的力用于计算物体的重量。线缆的第二端连接到滚筒上，滚筒在旋转时通过将线缆缠绕在滚筒上来拉动物体。手臂的一端连接到滑轮，另一端连接到框架。缆绳在滑轮和鼓之间行进的路径基本平行于臂的纵向轴线。水平力分量通过手臂传递到框架，并且不会影响测力传感器测量的力，从而提高计算物体重量的准确性。

20. 发明申请

WO2010048790A1 提拉法晶体生长的控制方法审中-公开
公开(公告)号：WO2010048790A1
公开(公告)日：2010-05-06
申请号：PCT/CN2009/070019
申请日：2009-01-05
申请人：惠梦君
发明人：惠梦君
IPC分类号： C30B15/28 , C30B15/22
CPC分类号： C30B15/28 , C30B15/22

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