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    • 12. 发明申请
    • METHOD AND APPARATUS FOR REMOVING CONTAMINANTS FROM METALLURGICAL SILICON
    • 从冶金硅中去除污染物的方法和装置
    • WO2012152435A1
    • 2012-11-15
    • PCT/EP2012/001983
    • 2012-05-08
    • CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AGPAROUS, Louis, C.WEBER, Frank
    • PAROUS, Louis, C.WEBER, Frank
    • B22F9/00C01B33/037
    • C01B33/037
    • A method and an apparatus for removing contaminants from metallurgical silicon are disclosed. In the method, metallurgical silicon is molten and subsequently introduced into a process chamber, wherein the molten silicon upon introduction into the process chamber is atomized via a gas flow. The thus atomized molten silicon subsequently falls to the floor of the process chamber. A reactive atmosphere is generated in the process chamber, wherein the reactive atmosphere contains a process gas, which reacts with contaminants in the molten silicon, in order to remove containments from the molten silicon. The apparatus comprises a melting unit connected via a conduit to a process chamber. Furthermore, a gas circulation unit is provided for circulating gas evacuated from the process chamber through a gas conditioning unit for cleaning the gas and then back into the process chamber via a gas inlet, which is used for atomizing molten silicon exiting the conduit between the melting unit and the process chamber.
    • 公开了一种用于从冶金硅中除去污染物的方法和装置。 在该方法中,冶金硅熔化并随后引入处理室,其中在引入处理室中的熔融硅经由气流雾化。 这样雾化的熔融硅随后落到处理室的地板上。 在处理室中产生反应性气氛,其中反应气氛包含与熔融硅中的污染物反应的工艺气体,以便从熔融硅中除去容纳物。 该装置包括通过导管连接到处理室的熔化单元。 此外,提供了一种气体循环单元,用于使从处理室排出的气体通过气体调节单元循环,用于清洁气体,然后经由气体入口返回到处理室中,气体入口用于雾化熔融硅离开管道之间的熔融 单元和处理室。
    • 13. 发明申请
    • VERRIEGELUNGSVORRICHTUNG, INSBESONDERE FÜR EINEN VERSTELLBESCHLAG UND INSBESONDERE FÜR EINEN FAHRZEUGSITZ, UND FAHRZEUGSITZ
    • 的锁定装置,尤其是对于调节和尤其是用于车辆座椅和车辆座椅
    • WO2010045956A1
    • 2010-04-29
    • PCT/EP2008/008978
    • 2008-10-23
    • JOHNSON CONTROLS GMBHKIENKE, IngoWEBER, FrankMAHARAJAPURAM, Karthikeyan, S.
    • KIENKE, IngoWEBER, FrankMAHARAJAPURAM, Karthikeyan, S.
    • B60N2/20B60N2/235B60N2/433
    • B60N2/433B60N2/20B60N2/2252B60N2/2352
    • Es wird eine Verriegelungsvorrichtung (1), insbesondere für einen Verstellbeschlag und insbesondere für einen Fahrzeugsitz vorgeschlagen, wobei die Verriegelungsvorrichtung (1) eine um eine erste Drehachse (13) drehbare Verriegelungsnocke (10) und eine um eine zweite Drehachse (23) drehbare Verriegelungsklinke (20) ausweist, wobei die Verriegelungsvorrichtung (1) in eine Verriegelungsstellung und in eine Freigabestellung einstellbar ist, wobei die Verriegelungsnocke (10) einen ersten Verriegelungsbereich (11) und einen ersten Sicherheitsbereich (12) aufweist, wobei die Verriegelungsklinke (20) einen zweiten Verriegelungsbereich (11) und einen zweiten Sicherheitsbereich (22) aufweist, wobei in der Verriegelungsstellung der Verriegelungsvorrichtung (1) der erste und zweite Verriegelungsbereich (11, 21) in Kontakt miteinander vorgesehen sind und wobei in der Verriegelungsstellung der Verriegelungsvorrichtung (1) der erste und zweite Sicherheitsbereich (12, 22) sich gegenüberliegend oder in Kontakt miteinander vorgesehen sind.
    • 有一个锁定装置(1),特别是用于调整和提议,特别是用于车辆座椅,其中所述锁定装置(1)(绕第一旋转轴线(13)可旋转的锁定凸轮(10)和围绕旋转(23)可旋转的锁定卡爪的第二轴线 20)标识,其特征在于,所述锁定装置(1)是可调节到锁定位置和到释放位置,其中所述锁定凸轮(10)具有第一锁定部(11)和第一安全区域(12),所述锁定爪(20)具有一个第二锁定部分 (11)和一个第二安全区域(22),其中,在所述锁定装置的锁定位置(1)中的接触被提供有彼此,并且其中在所述锁定装置的锁定位置的第一和第二锁定部(11,21)的(1)的第一和第二的 位于安全区域(12,22)相对的赋 8r被彼此接触地设置。
    • 16. 发明申请
    • MESSKÖRPER FÜR EIN IMPLANTAT UND VERFAHREN ZUR ERSTELLUNG EINER 3D-MESSAUFNAHME
    • 测体的植入和方法用于创建3D测量录音
    • WO2009065954A1
    • 2009-05-28
    • PCT/EP2008/066044
    • 2008-11-21
    • SIRONA DENTAL SYSTEMS GMBHSCHNEIDER, SaschaWEBER, Frank
    • SCHNEIDER, SaschaWEBER, Frank
    • A61C8/00A61C13/00
    • A61C8/0001A61C9/0053A61C13/0004
    • Die Erfindung betrifft einen Messkörper 1 für ein Implantat 4, umfassend eine durch eine Messkamera 6 erfassbare Messgeometrie 2.5 und umfassend eine Anschlussgeometrie 3.5 an das Implantat 4, wobei die Messgeometrie 2.5 an einem Prüfteil 2 und wobei die Anschlussgeometrie 3.5 an einem Trägerteil 3 angeordnet ist, die beide als getrennte Bauteile 2, 3 ausgebildet sind, wobei das Trägerteil 3 ein Lager 3.1 für das Prüfteil 2 und das Prüfteil 2 ein Gegenlager 2.1 zu dem Lager 3.1 aufweisen und die Messgeometrie 2.5 an einem freien Ende 2.6 des Prüfteils 2 vorgesehen ist. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur Erstellung einer 3D-Messaufnahme eines an einem Implantat 4 angeordneten Messkörpers 1 nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das zu verwendende Implantat 4 aus einer Anzahl verschiedener Implantattypen ausgewählt ist, wobei ein zum Implantattyp 4 passendes Trägerteil 3 auf das Implantat 4 aufgesetzt wird, ein standardisiertes, von dem Trägerteil 3 baulich getrennt gefertigtes Prüfteil 2 mit dem Trägerteil verbunden wird und die Messgeometrie 2.5 des Prüfteils 2 im aufgesetzten Zustand mittels der Messkamera 6 erfasst wird. Die Verbindung des Prüfteils 2 mit dem Trägerteil 3 kann erfolgen, bevor oder nachdem das Trägerteil mit dem Implantat 4 verbunden wird.
    • 本发明涉及一种测量体1的植入物4,包含可检测由测量摄像机6测量几何2.5和包括连接几何3.5到植入物4,其特征在于,将测量几何体,连接几何布置在支撑部分3 3.5上的试验片2和是2.5, 这两者都形成为单独的部件2,3,其中,所述支撑构件3的轴承3.1在试验片2和上轴承3.1和测量几何具有反支撑2.1试验片2在其自由端的测试2.6提供2.5。2 本发明还涉及一种方法,用于产生三维测量接收布置在植入物4的测量体1如前述权利要求之一的方法,其中所使用的植入物是4从多个不同的植入物类型,选择其中的装配到植入物类型4-支承部3向 植入物4放置,一个标准化的,制造从支撑部件3的试验片2结构上分离由测量摄像头的装置的6连接到所述支撑部和测量几何2.5试验片2在安装状态下被检测。 试验片2与载体3的连接之前或部分被连接到所述植入物的载体之后进行。4
    • 20. 发明申请
    • A METHOD FOR TREATING METALLURGICAL SILICON
    • 一种处理冶金硅的方法
    • WO2012152434A1
    • 2012-11-15
    • PCT/EP2012/001982
    • 2012-05-08
    • CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AGPAROUS III, Louis, C.WEBER, Frank
    • PAROUS III, Louis, C.WEBER, Frank
    • B01J2/04B22F9/00C01B33/037
    • C01B33/037B01J2/04B22F9/082
    • A method for generating particles of metallurgical silicon comprises the following steps: melting metallurgical silicon or silicon having specific additives, having for example an amount of copper between 0.01 to 2% by weight; introducing the molten silicon in a process chamber, wherein upon introduction into the process chamber the molten silicon is atomized via a gas flow and subsequently falls to the floor of the process chamber or a collection container attached thereto, wherein the process conditions in the process chamber, in particular the gas flow for atomizing the silicon or the alloy is adjusted or controlled, such that the atomized silicon at least partially solidifies during the free fall and in substance spherical silicon particles having a mean particle size of 20 μιη to 425 pm are generated.
    • 用于产生冶金硅颗粒的方法包括以下步骤:熔化具有特定添加剂的冶金硅或硅,其具有例如0.01至2重量%的铜含量; 将熔融硅引入处理室中,其中在引入处理室中时,熔融硅经由气流雾化并随后落到处理室的底部或附着于其的收集容器,其中处理室中的工艺条件 特别是用于雾化硅或合金的气流被调节或控制,使得雾化硅在自由落体期间至少部分地固化,并且在物质中具有平均粒径为20μΩ的球形硅颗粒。 到425 pm。