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11. 发明申请

WO2004030472A1 MODIFIED LUPIN PROTEINS FOR THE PREPARATION OF WATER DISPERSIBLE PRODUCT FORMS OF FAT SOLUBLE COMPOUNDS 审中-公开
标题翻译：用于制备脂溶性化合物的水分散产物形式的改性的LUPINE蛋白
公开(公告)号：WO2004030472A1
公开(公告)日：2004-04-15
申请号：PCT/EP2003/010974
申请日：2003-10-02
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FOERDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , FUNDA, Elger , LEUENBERGER, Bruno , BECK, Markus , SCHAEFER, Christian
发明人： FUNDA, Elger , LEUENBERGER, Bruno , BECK, Markus , SCHAEFER, Christian
IPC分类号： A23L1/303
CPC分类号： A61Q19/00 , A23J3/346 , A23L5/44 , A23L33/12 , A23L33/155 , A61K8/645 , A61K2800/43
摘要： The present invention relates to a process for the manufacture of a modified lupin protein, which comprises adjusting an aqueous solution or suspension of lupin proteins of native origin having a dry mass content of from 0,1 to 20 % to pH 3 to 9, adding 0,01 to 10 % by weight of a protease, in relation to the dry weight of the lupin protein, incubating the protein solution or suspension at a temperature of from 5 to 70 °C until a degree of hydrolysis of from 1 to 30 % is obtained, and inactivating the protease, to modified lupin proteins obtainable by this process, to compositions containing said lupin proteins together with a fat-soluble active ingredient or colorant, and to the use of said composition for enrichment, fortification and/or coloration of food, beverages, animal feeds, cosmetics or drugs. Further, the invention relates to food, beverage, animal feeds, cosmetics or drugs containing said composition.
摘要翻译：本发明涉及一种制备改性羽扇豆蛋白的方法，其包括调节干质量含量为0.1-20％至pH 3至9的天然来源的羽扇豆蛋白的水溶液或悬浮液，加入相对于羽扇豆蛋白的干重，为0.01至10重量％的蛋白酶，将蛋白质溶液或悬浮液在5至70℃的温度下孵育至水解度为1至30％并且将通过该方法获得的经修饰的羽扇豆蛋白质失活的组合物与含有所述羽扇豆蛋白质的组合物与脂溶性活性成分或着色剂一起使用，并且所述组合物用于富集，强化和/或着色食品，饮料，动物饲料，化妆品或药物。此外，本发明涉及包含所述组合物的食品，饮料，动物饲料，化妆品或药物。

12. 发明申请

WO2010125428A1 MANUFACTURING INTEGRATED CIRCUIT COMPONENTS HAVING MULTIPLE GATE OXIDATIONS 审中-公开
标题翻译：制造具有多栅极氧化的集成电路组件
公开(公告)号：WO2010125428A1
公开(公告)日：2010-11-04
申请号：PCT/IB2009/051773
申请日：2009-04-30
申请人： X-FAB Semiconductor Foundries AG , ENTALAI, Wilson , LIEW, Jerry
发明人： ENTALAI, Wilson , LIEW, Jerry
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L21/762
CPC分类号： H01L21/823462 , H01L21/76232 , H01L21/823481
摘要： STI divot formation is minimized and STI field height mismatch between different regions is eliminated. A nitride cover layer (150) having a thickness less than 150 then a oxide cover layer (160) having a thickness less than 150 is deposited acting as implant buffer after pad oxide removal following the STI CMP process. This nitride or oxide stack is selectively removed by masking prior to gate oxidation of each LV (low voltage)region (GX1), MV (intermediate voltage) region (GX3) and HV (high voltage) region (GX5) respectively followed by a gate poly deposition.
摘要翻译： STI纹波形成被最小化，不同区域之间的STI场高度失配被消除。厚度小于150°的氮化物覆盖层（150），然后沉积厚度小于150°的氧化物覆盖层（160），在STI CMP工艺之后，在衬垫氧化物去除之后作为注入缓冲层进行沉积。在每个LV（低电压）区域（GX1），MV（中间电压）区域（GX3）和HV（高电压）区域（GX5）的栅极氧化之前，通过掩模选择性地去除该氮化物或氧化物堆叠，随后是栅极聚沉积。

13. 发明申请

WO2010013194A3 AUSRICHTUNG EINER ELEKTRONISCHEN CMOS-STRUKTUR BEZOGEN AUF EINE VERGRABENE STRUKTUR BEI GEBONDETEM UND RÜCKGEDÜNNTEM STAPEL VON HALBLEITERSCHEIBEN 审中-公开
公开(公告)号：WO2010013194A3
公开(公告)日：2010-02-04
申请号：PCT/IB2009/053268
申请日：2009-07-27
申请人： X-FAB Semiconductor Foundries AG , KLINGNER, Holger , UNGELENK, Jens
发明人： KLINGNER, Holger , UNGELENK, Jens
IPC分类号： H01L23/544 , H01L23/10 , H01L21/50
摘要： Die Erfindung geht aus von einem Verfahren zur Ausrichtung einer elektronischen CMOS-Struktur bezogen auf eine vergrabene Struktur bei gebondetem und rückgedünntem Stapel von Halbleiterscheiben. Das Verfahren soll Ausrichtung(en) von "Vorderseite zu Rückseite" vermeiden. Das vorgeschlagene Verfahren zur Ausrichtung der elektronischen CMOS-Struktur verwendet die Ausbildung von Justiermarken (7;7a,7b) im Prozess der Herstellung der zu vergrabenden Struktur auf einer zum Bonden dienenden Vorderseite der die zu vergrabende Struktur (2) tragenden Halbleiterscheibe (1). Die Justiermarken (7) werden am Rand der Halbleiterscheibe ausgebildet. Eine Deckelscheibe (5) wird mit von der Bondseite her vorgenommenen ersten Abdünnungen (10a;10b) der Scheibendicke versehen, an Stellen, die in ihrer Lage zu den Justiermarken (7) korrespondieren. Eine Draufsicht auf die Justiermarken (7) wird nach dem Scheibenbonden möglich. Die ersten Abdünnungen der Deckelscheibe (5) werden dazu von ihrer Bondseite her unter Zurücksetzung eines Rands jedes abgedünnten Teils der Deckelscheibe (5) ausgebildet. Ein zweites Abdünnen der Deckelscheibe (5) des durch das Bonden entstandenen Scheibenstapels (6) erfolgt bis auf ein bestimmtes Maß, womit die Justiermarken (7;7a,7b) sichtbar werden. Ein Ausrichten von Masken zur Herstellung der elektronischen Struktur (40h) kann auf einer Oberfläche (8a) der abgedünnten Deckelscheibe (8) vermittels der Justiermarken (7;7a,7b) erfolgen.

14. 发明申请

WO2009112456A1 TESTSTRUKTUREN ZUR UEBERPRUEFUNG DER POSITIONIERGENAUIGKEIT BEI MIKROELEKTRONISCHEN SCHALTKREISEN 审中-公开
标题翻译：测试结构检查电子微电路的定位
公开(公告)号：WO2009112456A1
公开(公告)日：2009-09-17
申请号：PCT/EP2009/052723
申请日：2009-03-09
申请人： X-FAB SEMICONDUCTOR FOUNDRIES AG , LERNER, Ralf
发明人： LERNER, Ralf
IPC分类号： G01R31/26 , G03F7/20 , H01L21/66 , H01L23/544
CPC分类号： G03F7/70658 , G03F7/70633 , H01L22/34
摘要： Vorgeschlagen wird eine Teststruktur zur Überprüfung der Positioniergenauigkeit der Prozessschritte einer Metallisierung bei der Herstellung mikroelektronischer Schaltkreise. Eine elektrisch leitfähige Untergrundschicht (1) hat eine geometrisch begrenzte Flächenausdehnung. Eine über der Untergrundschicht (1) befindliche erste elektrisch isolierende Schicht (2) und eine über der ersten elektrisch isolierenden Schicht (2) liegende zu kontaktierende Leitschicht (3), die eine bezüglich der vorgegebenen Positioniergenauigkeit und Größe von vier Durchgangsleitern (4) abgestimmte, geometrisch begrenzte Flächenausdehnung aufweist, sind vorgesehen. Eine über der Leitschicht (3) befindliche zweite elektrisch isolierende Schicht (5) hat vier Durchgangsleiter (4), die in definierter Lage zueinander und zum Zentrum der zu kontaktierenden Leitschicht (3) liegen. Eine über der zweiten elektrisch isolierenden Schicht (5) liegende elektrisch leitenden Anschlussschicht (6) steht, mit den Durchgangsleitern (4) in Verbindung. Durch die Überlappung der Flächenausdehnung der Durchgangsleiter (4) mit der Leitschicht (3) erfolgt ein Kontakt zwischen der Anschlussschicht (6) und der Leitschicht. Es ist wenigstens ein elektrischer Anschluss an der Untergrundschicht (1) sowie wenigstens ein elektrischer Anschluss an der Anschlussschicht (6) vorgesehen, wobei bei Anlegen einer Spannung an die Anschlüsse (7, 8) festzustellen ist, ob ein Strompfad zwischen der Anschlussschicht (6) und der Untergrundschicht (1) vorhanden ist. Die Teststruktur wird in einem Verfahren zur Überprüfung der Positioniergenauigkeit bei der Herstellung von ICs eingesetzt.
摘要翻译：公开了用于在微电子电路的制造测试的金属化的处理步骤的定位精度的测试结构。导电性基材层（1）具有一几何学上限定的表面的程度。位于一个副基体层上面（1）第一电绝缘层（2）和所述第一电绝缘层上（2），其设置于由（3），其具有相对的直通导体（4）相匹配的四个预定的位置精度和尺寸的导电层接触，几何具有有限的表面程度，提供了。一个位于第二电绝缘层（5）具有四个通导体（4）在限定的位置，以彼此和（3）在导电层的中心到接触谎言导电层（3）的上方。一个第二电绝缘层上方（5），其设置导电连接层（6）是通过在组合的导体（4）与所述反应。通过经由导体（4）具有所述导电层（3）的表面区域的重叠，连接层（6）和所述导电层之间的接触下进行。有基础层（1）上的至少一个电连接器和所述连接层（6），其特征在于，在加电压时给终端的应用（7,8）是，以确定至少一个电连接是否连接层之间的电流路径（6）和底涂层（1）的存在。该测试结构的方法中的用于在IC制造验证所述定位精度。

15. 发明申请

WO2009056615A1 LICHT BLOCKIERENDE SCHICHTENFOLGE MIT EINEM ODER FÜR EINEN INTEGRIERTEN SCHALTKREIS UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DER SCHICHTENFOLGE 审中-公开
标题翻译：与一个或用于集成电路的遮光层序以及制造方法层序列
公开(公告)号：WO2009056615A1
公开(公告)日：2009-05-07
申请号：PCT/EP2008/064760
申请日：2008-10-30
申请人： X-FAB SEMICONDUCTOR FOUNDRIES AG , GAEBLER, Daniel
发明人： GAEBLER, Daniel
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L27/148
CPC分类号： H01L27/14623 , H01L27/14685 , H01L27/14818 , H01L31/02164 , H01L31/0236 , Y02E10/50
摘要： In einem integrierten Schaltkreis wird ein lichtempfindlicher Bereich vor Strahlung geschützt, indem eine Licht blockierende Schichtenfolge (504) über dem lichtempfindlichen Bereich angeordnet wird. Die Licht blockierende Schichtenfolge weist eine oder mehrere Metallschichten (504a) und eine Siliziumschicht (503b,1) zur Absorption auf. Auf der Siliziumschicht ist eine Mottenaugenstruktur (504c) vorgesehen. Dadurch wird eine Reflexion der eintreffenden Strahlung so minimiert, dass auch Streulicht wirksam von dem lichtempfindlichen Bereich unter der Licht blockierende Schichtenfolge (504) abgehalten werden kann.
摘要翻译：在集成电路中，辐射前的光感应区域被光阻挡层序列（504）被放置在光敏区保护。光阻挡层序列包括一个或多个金属层（504A）和所述吸收的硅层（503B 1）。在硅层中，提供了蛾眼结构（504C）。其特征在于一个所述入射辐射的反射最小化，使得杂散光可有效地从光阻挡层序列（504）的光敏区域来防止。

16. 发明申请

WO2009013255A2 VERFAHREN ZUM UEBERTRAGEN EINER EPITAXIE-SCHICHT VON EINER SPENDER- AUF EINE SYSTEMSCHEIBE DER MIKROSYSTEMTECHNIK 审中-公开
标题翻译：从分配器到微系统技术系统板传输外延层的方法
公开(公告)号：WO2009013255A2
公开(公告)日：2009-01-29
申请号：PCT/EP2008/059492
申请日：2008-07-18
申请人： X-FAB SEMICONDUCTOR FOUNDRIES AG , KNECHTEL, Roy , SCHWARZ, Uwe
发明人： KNECHTEL, Roy , SCHWARZ, Uwe
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/0038 , B81B2203/0315 , B81C2201/0191 , H01L21/2007
摘要： Zum Bonden einer Spenderscheibe (1) und einer Systemscheibe (9) wird ein Randwulst (3) einer Epitaxie-Schicht (2) auf der Spenderscheibe durch eine Ätzung abgeflacht oder vollständig entfernt, so dass ein zuverlässiger Kontakt nach dem Bonden bis hin zum Randbereich (5,6) möglich ist. Die Erzeugung der Ätzmaske erfolgt mit Hilfe einer Lackschicht (4) sowie durch Randentlackung, Freibelichten und Entwickeln ohne eine spezielle Fotomaske.
摘要翻译：
对于粘合施体晶片（1）和一个系统盘（9），胎圈（3）的外延层（2）的施体晶片上由GIRL估计变平或完全承受不断移出，在结合到边缘区域（5,6）之后可以实现可靠的接触。使用抗蚀剂层（4）以及边缘去除，自由曝光和显影不需要特殊的光掩模执行tzmaske;所述＆AUML的产生。

17. 发明申请

WO2008046925A1 TESTSTRUKTUR FÜR HOCH BESCHLEUNIGTE ELEKTROMIGRATIONSTESTS FÜR DICKE METALLISIERUNGSSYSTEME VON FESTKÖRPERSCHALTKREISEN 审中-公开
标题翻译：测试结构FOR HIGH电ACCELERATED迁移试验固态电路厚金属化
公开(公告)号：WO2008046925A1
公开(公告)日：2008-04-24
申请号：PCT/EP2007/061246
申请日：2007-10-19
申请人： X-FAB SEMICONDUCTOR FOUNDRIES AG , HEIN, Verena
发明人： HEIN, Verena
IPC分类号： H01L23/544
CPC分类号： G01R31/2858 , G01R31/2884 , H01L22/34 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird eine Teststruktur und ein Verfahren für den Elektromigrationstest von integrierten Schaltkreisen vorgeschlagen, bei denen Metallisierungsebenen, bestehend aus Leitbahnen mit gewöhnlicher Dicke (11), mit Metallisierungsebenen, bestehend aus wesentlich dickeren Leitbahnen (12), wie sie für den Anschluss von Bauelementen mit höherer Leistung benötigt werden, verbunden sind.
摘要翻译：它提出了一种测试结构和用于集成电路的电迁移测试的方法，其中金属化包括具有普通厚度（11）的导电线，具有金属化，基本上由较厚的导电线（12）的，作为用于设备的具有较高的连接所需的电源被连接。

18. 发明申请

WO2007107580A1 BEHÄLTER MIT EINER VERSCHLUSS-KOMBINATION AUS DECKELRING NACH ART EINES EINDRÜCKDECKELS UND WIEDERVERSCHLUSSKAPPE 审中-公开
标题翻译：与A型压并再次VERSCHLUSSKAPPE的盖环的锁暗集装箱
公开(公告)号：WO2007107580A1
公开(公告)日：2007-09-27
申请号：PCT/EP2007/052667
申请日：2007-03-20
申请人： IMPRESS METAL PACKAGING SA , KEILBERG, Birger , SPICKERMANN, Winfried
发明人： KEILBERG, Birger , SPICKERMANN, Winfried
IPC分类号： B65D51/20
CPC分类号： B65D51/20 , Y10T29/49826
摘要： Es ist ein Behälter zu bilden, bei dem einerseits das abgefüllte Fluid durch die - den Gefahrgutanforderungen entsprechende - Verpackung ausreichend geschützt ist und bei einfacher Ausbildung der Verschluss-Kombination ein einfaches Erstverschließen des gefüllten Behälters und ein leichtes Öffnen und Wiederverschließen erreicht werden. Vorgeschlagen wird dazu ein Behälter für beispielsweise Farbe, mit einem zum Erstverschließen dienenden Eindrückdeckel (6). Er hat einen Deckelring (7) mit an diesem fluidicht befestigter Folie (12), die eine vom Deckelring innen begrenzte Öffnung verschließt. Es ist eine zum Wiederverschließen des Behälters dienende Deckelkappe (15) vorgesehen. Der Erstverschluss (7, 12) und der Wiederverschluss (15) können wahlweise jeder einzeln oder - zu einer Einheit vormontiert - gemeinsam beim Erstverschließen des gefüllten Behälters mittels Druck in Richtung einer Achse (4) des Behälters in eine dicht verschließende Stellung gebracht werden.
摘要翻译：它是形成其中一方面，通过瓶装流体的容器 - 得到充分保护的包装和填充容器的简单Erstverschließen，易于开启和重闭可与盖的组合件的一个简单的设计来实现 - 的危险要求适当。提出了例如，彩色的容器，具有服务于Erstverschließen插头盖（6）。它有一个盖环（7），其封闭由盖开环界定的内部该流体层附片（12）。它是用于重新封闭容器罩盖（15）每份。每个罐的Erstverschluss（7，12）和再封闭件（15），单独地，或 - 预组装成一个单元 - 一起在填充容器的Erstverschließen通过在容器（4）被带入一个密封位置闭合的轴的方向上的压力的装置。

19. 发明申请

WO2007065953A1 ISOLATIONSGRABENKREUZUNGSSTRUKTUR MIT REDUZIERTER SPALTWEITE 审中-公开
标题翻译：具有减少间隙宽度隔离沟交结构
公开(公告)号：WO2007065953A1
公开(公告)日：2007-06-14
申请号：PCT/EP2006/069498
申请日：2006-12-08
申请人： X-FAB SEMICONDUCTOR FOUNDRIES AG , LERNER, Ralf , ECKHOLDT, Uwe
发明人： LERNER, Ralf , ECKHOLDT, Uwe
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76224
摘要： Die Erfindung betrifft Isolationsgräben (Trenches) mit hohem Aspektverhältnis für trenchisolierte Smart Power Technologien in Silicon On Insulator (SOI) Siliziumscheiben. Durch die besondere geometrische Gestaltung (Layout) der Kreuzungs- und Einmündungen (100,100') von Isolationsgräben (10,10') wird die Fehlerquote reduziert und der Fertigungsprozess vereinfacht.
摘要翻译：本发明涉及隔离沟槽（沟槽）与分离在硅智能电源技术绝缘体上硅（SOI）晶片的高纵横比的沟槽。由于“（隔离沟槽10,10）的交叉点和交叉点（100,100）”的特殊几何设计（布局）被降低的错误率和简化了制造过程。

20. 发明申请

WO2007042521A2 HERSTELLUNG VON SELBSTORGANISIERTEN NADELARTIGEN NANO-STRUKTUREN UND IHRE RECHT UMFANGREICHEN ANWENDUNGEN 审中-公开
标题翻译：制造自组织针状纳米结构及其权用途广泛的
公开(公告)号：WO2007042521A2
公开(公告)日：2007-04-19
申请号：PCT/EP2006/067249
申请日：2006-10-10
申请人： X-FAB SEMICONDUCTOR FOUNDRIES AG , GAEBLER, Daniel , BACH, Konrad
发明人： GAEBLER, Daniel , BACH, Konrad
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/0216 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L31/18 , B81C1/00111 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , H01L31/02363 , Y02E10/50
摘要： Die Erfindung betrifft Verfahren und Vorrichtungen mit einer Nanostruktur (2;4,4a) zur Verbesserung des optischen Verhaltens von Bauelementen und Geräten und/oder zur Verbesserung des Verhaltens von Sensoren durch Vergrößern des aktiven Oberflächenbereichs. Die Nanostruktur (2) wird mittels spezieller RIE-Ätzung hergestellt und kann in ihrer Materialzusammensetzung modifiziert werden und mit geeigneten Deckschichten versehen werden. Der Materialverbrauch der Basisschicht (3) kann durch Vorsehen einer Pufferschicht (406) reduziert werden. Viele Anwendungen werden erläutert.
摘要翻译：本发明涉及一种方法和具有纳米结构的器件;通过以改善组件和设备的光学行为和/或改善的传感器增加活性表面区域（2甲基-4,4a）的性能。纳米结构体（2）是使用特殊RIE蚀刻产生的，并且可以在它们的材料组成进行修改，并且设置有合适的包衣。可以通过提供一个缓冲层（406）可以减小基极层（3）的材料消耗。许多应用程序进行了说明。

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