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121. 发明申请

WO2016002612A1 撮像パネル及び当該撮像パネルを備えるＸ線撮像システム审中-公开
标题翻译：成像面板和X射线成像系统提供与成像面板
公开(公告)号：WO2016002612A1
公开(公告)日：2016-01-07
申请号：PCT/JP2015/068305
申请日：2015-06-25
申请人：シャープ株式会社
发明人：森　重恭 , 冨安　一秀
IPC分类号： H01L27/144 , A61B6/00 , G01T1/20 , H01L27/146 , H01L31/10 , H04N5/32 , H04N5/369
CPC分类号： H01L27/14663 , A61B6/4216 , A61B6/4233 , G01T1/20 , H01L27/14614 , H01L27/14632 , H01L27/14687 , H01L31/10 , H04N5/32 , H04N5/359
摘要：　間接変換方式のＸ線撮像システムに用いられる撮像パネルにおいて、薄膜トランジスタの安定した動作を実現できるようにする。撮像パネル（１２）は、基板（２０）と、薄膜トランジスタ（２４）と、光電変換素子（２６）と、バイアス配線）４６）とを含む。薄膜トランジスタは、基板上に形成される。光電変換素子は、薄膜トランジスタに接続され、シンチレーション光が照射される。バイアス配線は、光電変換素子に接続され、光電変換素子に対して逆バイアスとなる電圧を印加する。薄膜トランジスタは、半導体活性層（３２）と、ゲート電極（２８）とを含む。ゲート電極は、基板と半導体活性層との間に形成される。バイアス配線は、シンチレーション光の照射方向から見て、ゲート電極及び半導体活性層に重なる部分を含む。
摘要翻译：本发明使得间接转换X射线成像系统中使用的成像面板中的薄膜晶体管的稳定运行成为可能。所述成像面板（12）设置有基板（20），上述薄膜晶体管（24），光电转换元件（26）和偏置导线（46）。薄膜晶体管形成在基板上。光电转换元件连接到薄膜晶体管并暴露于闪烁光。偏置线连接到光电转换元件，并向光电转换元件施加相反偏压的电压。薄膜晶体管设置有半导体有源层（32）和栅电极（28）。所述栅电极形成在上述衬底和半导体有源层之间。从闪烁光入射的方向看，偏置线具有与栅电极和半导体活性层重叠的部分。

122. 发明申请

WO2015166238A1 DEVICE AND METHOD 审中-公开
标题翻译：装置和方法
公开(公告)号：WO2015166238A1
公开(公告)日：2015-11-05
申请号：PCT/GB2015/051245
申请日：2015-04-29
申请人： ISDI LIMITED
发明人： ANAXAGORAS, Thalis
IPC分类号： H04N5/3745 , H04N5/355 , H04N5/32
CPC分类号： H04N5/3559 , H04N5/32 , H04N5/37452 , H04N5/378
摘要： Embodiments of the present invention provide a detector comprising at least one detector element, the at least one detector element comprising: a photodiode element operable to generate charge carriers, the detector being configured to generate a signal indicative of a cumulative amount of charge carriers generated by the photodiode element during the integration period; a reset switch element configured to couple the photodiode element to a reset potential; at least one charge storage reservoir; and at least one gain control switch element configured to couple at least one said at least one charge storage reservoir to the photodiode element, wherein the detector is configured to perform a reset operation in which the reset switch element and at least one said at least one gain control switch element are closed in order to couple at least one said at least one charge storage reservoir and the photodiode element to the reset potential, the detector being configured to open at least one gain control switch element following a reset operation in dependence on whether at least one charge storage reservoir is to remain connected to the photodiode element during the integration period.
摘要翻译：本发明的实施例提供了一种包括至少一个检测器元件的检测器，所述至少一个检测器元件包括：可操作以产生电荷载流子的光电二极管元件，所述检测器被配置为产生指示由在积分期间的光电二极管元件; 复位开关元件，其被配置为将所述光电二极管元件耦合到复位电位; 至少一个蓄电池; 以及至少一个增益控制开关元件，其被配置为将至少一个所述至少一个电荷存储容器耦合到所述光电二极管元件，其中所述检测器被配置为执行复位操作，其中所述复位开关元件和至少一个所述至少一个增益控制开关元件被关闭以将至少一个所述至少一个电荷存储容器和光电二极管元件耦合到复位电位，所述检测器被配置为根据复位操作来打开至少一个增益控制开关元件，这取决于是否至少一个电荷存储容器在积分期间保持连接到光电二极管元件。

123. 发明申请

WO2015163288A1 光検出装置审中-公开
标题翻译：光检测装置
公开(公告)号：WO2015163288A1
公开(公告)日：2015-10-29
申请号：PCT/JP2015/061998
申请日：2015-04-20
申请人：シャープ株式会社
发明人：冨安　一秀
IPC分类号： H01L27/146 , G01T1/20 , G01T7/00 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L31/10 , H04N5/32 , H04N5/369
CPC分类号： G01T1/20 , G01T7/00 , H01L27/146 , H01L29/786 , H01L31/10 , H04N5/32 , H04N5/369
摘要：　本発明は、フォトダイオードとＴＦＴとを有する光検出装置の開口率が制限されることを抑制し、かつ、製造歩留まりを向上させることを目的とする。　光検出装置（１００）は、基板（１０）と、基板に支持された、半導体層（２４）、ソース電極（２６）、ドレイン電極（２８）およびゲート電極（２２）を有するＴＦＴ（２０）と、ＴＦＴを覆う絶縁層（３２）と、絶縁層上に配置された、半導体積層構造（４２）および上部電極（４４）を有するフォトダイオード（４０）とを有し、絶縁層は、ドレイン電極に至る開口部（３２ｃ）を有し、半導体積層構造は、開口部内でドレイン電極と直接接触し、ドレイン電極に電気的に接続され、基板の法線方向から見たとき、開口部は半導体積層構造の内側にあり、半導体積層構造は半導体層と重ならない。
摘要翻译：本发明的目的是抑制具有光电二极管和TFT的光检测装置的开口率的限制，并提高制造成品率。光检测装置（100）包括：基板（10）; 由所述基板支撑并具有半导体层（24），源极（26），漏极（28）和栅电极（22）的TFT（20）。覆盖TFT的绝缘层（32）; 和设置在所述绝缘层上且具有半导体层叠结构（42）和上部电极（44）的光电二极管（40），所述绝缘层具有通向所述漏极的开口（32c），所述半导体层叠结构直接与开口内的漏电极接触并与漏电极电连接，当从基板的法线方向观察时，开口位于半导体层叠结构内部，半导体层叠结构不与半导体层叠层。

124. 发明申请

WO2015155373A1 PROCEDE DE CALIBRATION D'UN IMAGEUR NUMERIQUE 审中-公开
标题翻译：用于校准数字图像的方法
公开(公告)号：WO2015155373A1
公开(公告)日：2015-10-15
申请号：PCT/EP2015/097007
申请日：2015-04-03
申请人： TRIXELL
发明人： VIGNOLLE, Jean-Michel
IPC分类号： H04N17/00 , H04N5/32 , H04N5/367 , H04N5/365 , H04N5/217
CPC分类号： G06T7/80 , H04N5/2176 , H04N5/23293 , H04N5/32 , H04N5/365 , H04N5/367 , H04N17/002
摘要： L'invention concerne un procédé de calibration d'un imageur numérique à partir d'une séquence de P images d'entrée (An), auxquelles une image de calibration (C_REF) est appliquée pour obtenir une séquence de P images de sortie (Yn). Selon l'invention, la calibration est effectuée en mettant à jour l'image de calibration (C_REF) par estimation, à une itération n, n étant un nombre entier supérieur ou égal à 1, d'une image représentative (Cn) de l'image de calibration (C_REF).
摘要翻译：本发明涉及一种从P输入图像序列（An）中校准数字成像器的方法，为了获得P个输出图像序列（Yn），应用校准图像（C_REF）。根据本发明，通过用代表校准图像（C_REF）的图像（Cn）的n次迭代来估计校正图像（C_REF）来进行校准，n是高于或等于 1。

125. 发明申请

WO2015087663A1 二次元フォトンカウンティング素子审中-公开
标题翻译：二维光子计数元件
公开(公告)号：WO2015087663A1
公开(公告)日：2015-06-18
申请号：PCT/JP2014/080484
申请日：2014-11-18
申请人：浜松ホトニクス株式会社
发明人：市河　実 , 藤田　一樹 , 森　治通
IPC分类号： H04N5/32 , G01T1/24 , H01L27/144 , H01L27/146 , H04N5/378
CPC分类号： G01J1/4228 , G01T1/16 , G01T1/2928 , H04N5/32 , H04N5/347 , H04N5/37455
摘要：　加算部５３は、或る画素電極部の周囲に配置された画素電極部のうち特定の画素電極部に接続された信号生成部５１において生成された入力信号と、上記或る画素電極部に接続された信号生成部５１において生成された入力信号と、を加算する。キャリア入力パターン判別部５６は、上記或る画素電極部及び当該或る画素電極部の周囲に配置された上記画素電極部へのキャリアの入力の有無を画素電極部毎に表すキャリア入力パターンが、複数の判別パターンの何れかに合致するか否かの判別を行う。計数部５７は、キャリア入力パターン判別部５６においてキャリア入力パターンが複数の判別パターンの何れかと合致すると判別され、且つ加算部５３から出力された加算後の入力信号の大きさが所定の閾値を超えた場合に、光子数を加算する。
摘要翻译：加法单元（53）添加：在设置在一个像素电极单元周围的像素电极单元中的与特定像素电极单元连接的信号生成单元（51）中生成的输入信号; 以及在与一个像素电极单元连接的信号生成单元（51）中生成的输入信号。载波输入图案确定单元（56）确定对于每个像素电极单元是否存在输入到一个像素电极单元的载体和设置在周边的像素电极单元的载体输入图案所述一个像素电极单元对应于多个确定模式中的任何一个。当载波输入图形确定单元（56）确定载波输入模式对应于多个确定模式中的任何一个时，并且从加法单元（53）输出的相加输入信号的大小超过规定的阈值计数单元（57）计算光子数。

126. 发明申请

WO2015087610A1 放射線撮像装置及び放射線撮像システム审中-公开
标题翻译：辐射成像装置和辐射成像系统
公开(公告)号：WO2015087610A1
公开(公告)日：2015-06-18
申请号：PCT/JP2014/077341
申请日：2014-10-14
申请人：キヤノン株式会社
发明人：竹中　克郎 , 亀島　登志男 , 八木　朋之 , 岩下　貴司 , 佐藤　恵梨子 , 岡田　英之 , 笠　拓哉 , 照井　晃介 , 中山　明哉
IPC分类号： H04N5/343 , A61B6/00 , G01T7/00 , H04N5/32 , H04N5/361
CPC分类号： G01T1/247 , A61B6/4233 , H04N5/343 , H04N5/3572
摘要：　放射線照射の開始からプレビュー画像取得までの時間を削減し得る撮像装置又は撮像システムを提供する。　画素が行列状に複数配列された画素アレイと、画素アレイから転送された電気信号を読み出す読み出し動作を制御する制御部とを有し、被写体の放射線画像の撮像を行う放射線撮像装置において、制御部は、被写体の放射線画像の撮像の良否を確認するための電気信号を放射線が画素アレイに照射されている放射線照射期間に画素アレイの一部の画素から読み出す第１の読み出し動作と、被写体の放射線画像の撮像を行うための電気信号を放射線照射期間の後に画素アレイから読み出す第２の読み出し動作とを行うように制御する。
摘要翻译：提供了一种成像装置或成像系统，其能够将从放射线照射开始到预览图像的获取的时间切断。一种放射线成像装置，用于对拍摄对象的放射线图像进行成像并具有其中多个像素排列成矩阵的像素阵列;以及控制单元，用于控制用于读取从像素阵列传送的电信号的读取操作，其中，控制单元进行控制，使得执行第一读取操作和第二读取操作，第一读取操作是用于从像素中的一些像素读取用于验证摄影对象的放射线图像的成像质量的电信号的操作在放射线照射期间，其中像素阵列被辐射照射，并且第二读取操作是用于读取用于在辐射照射周期之后的像素阵列对摄影对象的放射线图像进行成像的电信号的操作。

127. 发明申请

WO2015026888A1 TEMPERATURE COMPENSATION FOR THIN FILM TRANSISTORS IN DIGITAL X-RAY DETECTORS 审中-公开
标题翻译：数字X射线探测器中薄膜晶体管的温度补偿
公开(公告)号：WO2015026888A1
公开(公告)日：2015-02-26
申请号：PCT/US2014/051783
申请日：2014-08-20
申请人： CARESTREAM HEALTH, INC.
发明人： TREDWELL, Timothy, J.
IPC分类号： H04N5/32
CPC分类号： G01T7/005 , A61B6/4233 , A61B6/58 , G01T1/247 , H04N5/32
摘要： A digital radiographic detector uses predetermined calibration information corresponding to a first operating temperature of the detector. The calibration data is accessible by the detector to compensate a radiographic image captured by the detector at a second operating temperature different than the first operating temperature. The operating temperature of the detector is monitored at approximately the time at which the radiographic image is captured at the second temperature.
摘要翻译：数字放射线检测器使用与检测器的第一工作温度相对应的预定校准信息。校准数据可由检测器访问以补偿在与第一操作温度不同的第二操作温度下由检测器捕获的放射线照相图像。在大约在第二温度下拍摄放射照相图像的时间监测检测器的工作温度。

128. 发明申请

WO2015015700A1 放射線検出用半導体装置审中-公开
标题翻译：用于辐射检测的半导体器件
公开(公告)号：WO2015015700A1
公开(公告)日：2015-02-05
申请号：PCT/JP2014/003356
申请日：2014-06-23
申请人：シャープ株式会社
发明人：増田　亮一
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/336 , H01L23/52 , H01L27/12 , H01L27/144 , H01L29/786 , H04N5/32 , H04N5/335 , H04N5/357
CPC分类号： H01L27/14614 , H01L27/14609 , H01L27/14616 , H01L27/14643 , H01L27/14658 , H01L27/14663 , H01L27/14692 , H01L29/0649 , H01L29/78391 , H01L29/78603 , H01L29/78624 , H01L29/78645 , H01L29/78648 , H01L31/117
摘要：デバイス動作時の閾値電圧のばらつきを低減する。ＭＯＳトランジスタのチャネル領域４１に対向して配置された絶縁体層を、シリコン窒化膜８３とシリコン酸化膜８３との積層構造と、ＭＯＳトランジスタのソース領域４３への入力信号を反転させた信号をチャネル領域４１に入力する反転信号入力部とを有し、反転信号入力部は、ＭＯＳトランジスタのゲート電極８１に隣接してゲート電極８１のチャネル領域４１の延長上に形成された別のゲート電極８２と、ＭＯＳトランジスタのソース領域４３に入力する入力信号を、入力信号の入力値に応じて反転させるＣＭＯＳ回路８０とを有して、ＣＭＯＳ回路８０で反転させた信号を別のゲート電極８２に入力する。
摘要翻译：本发明的目的是减少器件工作时间阈值电压的变化。一种用于放射线检测的半导体器件，其中：与MOS晶体管的沟道区域（41）相对设置的绝缘层具有包括氮化硅膜（83）和氧化硅膜（83）的堆叠结构。以及反向信号输入单元，其向所述沟道区域（41）输入到所述MOS晶体管的源极区域（43）的输入信号已被反相的信号。反相信号输入单元具有：栅极电极（82），其在栅极电极（81）的沟道区域（41）延伸的同时与MOS晶体管的栅电极（81）相邻形成。以及CMOS电路（80），其根据输入信号的输入值对输入到MOS晶体管的源极区域（43）的输入信号进行反相。在CMOS电路（80）处已经反相的信号被输入到首先提到的栅电极（82）。

129. 发明申请

WO2014199838A1 固体撮像装置审中-公开
标题翻译：固态成像装置
公开(公告)号：WO2014199838A1
公开(公告)日：2014-12-18
申请号：PCT/JP2014/064319
申请日：2014-05-29
申请人：浜松ホトニクス株式会社
发明人：藤田　一樹 , 久嶋　竜次 , 森　治通
IPC分类号： H04N5/365 , H01L27/146 , H04N5/32
CPC分类号： H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14663 , H04N5/32 , H04N5/359
摘要：　固体撮像装置１Ａは、受光部２０、不要キャリア捕獲部３０、及び垂直シフトレジスタ６０を備える。不要キャリア捕獲部３０は、受光部２０と垂直シフトレジスタ６０との間の領域において各行毎に配置されたキャリア捕獲領域ＤＡ１～ＤＡＭを有する。キャリア捕獲領域ＤＡ１～ＤＡＭは、トランジスタ及びフォトダイオードを含む。トランジスタの一端はフォトダイオードに接続されており、他端は電荷排出用配線Ｒｄに接続されている。電荷排出用配線Ｒｄは、基準電位線ＧＮＤに短絡されている。これにより、ダミーフォトダイオードに隣接する画素の出力特性やノイズの大きさを、他の画素に近づけることができる固体撮像装置が実現される。
摘要翻译：该固态成像装置（1A）具有光接收部（20），不需要的载体捕获部（30）和垂直移位寄存器（60）。在光接收部分（20）和垂直移位寄存器（60）之间的区域中，不需要的载波捕获部分（30）对于每一行都具有载波捕获区域（DA1至DAM）。所述载流子捕获区域（DA1至DAM）中的每一个包含晶体管和光电二极管，晶体管的一端连接到光电二极管，晶体管的另一端连接到电荷消除线（Rd）。所述电荷消除线（Rd）与基准电位线（GND）短路。这导致固态成像装置，其中与虚拟光电二极管相邻的像素的输出特性和所述像素中的噪声的幅度可以接近于其他像素的输出特性。

130. 发明申请

WO2014070719A1 CHARGE INJECTION COMPENSATION FOR DIGITAL RADIOGRAPHIC DETECTORS 审中-公开
标题翻译：数字放射性检测器的电荷注入补偿
公开(公告)号：WO2014070719A1
公开(公告)日：2014-05-08
申请号：PCT/US2013/067234
申请日：2013-10-29
申请人： CARESTREAM HEALTH, INC.
发明人： SHAFER, Mark, E. , HEILER, Gregory, N. , GEISBUESCH, Gordon , TREDWELL, Timothy, J.
IPC分类号： H04N5/3745 , H04N5/32 , H04N5/357 , H04N5/365
CPC分类号： H04N5/32 , G01T1/247 , H04N5/357 , H04N5/365 , H04N5/3745
摘要： Embodiments of DR detector methods and/or apparatus for charge compensation can provide charge injection and/or at least one charge injection circuit that can temporally cancel charge injection to readout circuits resulting from positive (and/or negative) transitions of gate lines for pixel signal readout. In certain exemplary embodiments, DR detector imaging array methods and/or apparatus can provide variable charge injection levels (e.g., voltage or capacitance), variable Tau (e.g., resistance or capacitance), and/or multi-charge injection with staggered timing (e.g., using voltage and/or capacitance steps). In certain exemplary embodiments, DR detector imaging array methods and/or apparatus can provide charge injection compensation on ROIC on mask block basis. In exemplary embodiments, DR detector imaging array methods and/or apparatus can provide voltage reset offset in readout circuits (e.g., ROICs).
摘要翻译：用于电荷补偿的DR检测器方法和/或装置的实施例可以提供电荷注入和/或至少一个电荷注入电路，其可以暂时地抵消由用于像素信号的栅极线的正（和/或负）跃迁导致的读出电路的电荷注入读出。在某些示例性实施例中，DR检测器成像阵列方法和/或装置可以提供可变电荷注入水平（例如，电压或电容），可变Tau（例如，电阻或电容）和/或具有交错定时的多电荷注入（例如，，使用电压和/或电容步骤）。在某些示例性实施例中，DR检测器成像阵列方法和/或装置可以基于掩码块在ROIC上提供电荷注入补偿。在示例性实施例中，DR检测器成像阵列方法和/或设备可以在读出电路（例如，ROIC）中提供电压复位偏移。

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